封裝

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封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過(guò)程,簡(jiǎn)單地說(shuō),就是把鑄造廠生產(chǎn)出來(lái)的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來(lái),然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞,“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過(guò)程和動(dòng)作;作為名詞,“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別,基底和外殼、引線的材料,強(qiáng)調(diào)其保護(hù)芯片、增強(qiáng)電熱性能、方便整機(jī)裝配的重要作用。

封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過(guò)程,簡(jiǎn)單地說(shuō),就是把鑄造廠生產(chǎn)出來(lái)的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來(lái),然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞,“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過(guò)程和動(dòng)作;作為名詞,“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別,基底和外殼、引線的材料,強(qiáng)調(diào)其保護(hù)芯片、增強(qiáng)電熱性能、方便整機(jī)裝配的重要作用。收起

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  • 近40個(gè)半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目上榜,珠海2025重點(diǎn)項(xiàng)目清單公布
    近日,珠海市發(fā)展改革局發(fā)布2025年重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目計(jì)劃清單。共安排重點(diǎn)項(xiàng)目(含預(yù)備項(xiàng)目)466個(gè),總投資約7600億元,其中建設(shè)項(xiàng)目399個(gè),年度計(jì)劃投資488.67億元;續(xù)建項(xiàng)目193個(gè),年度計(jì)劃投資315.88億元;新開(kāi)工項(xiàng)目86個(gè),年度計(jì)劃投資75.99億元。
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  • Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
    Nexperia正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色,采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢(shì)以及通孔技術(shù)的高效散熱能力,確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率(工業(yè))應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至?/div>
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  • 如何選擇合適的MDD整流二極管封裝?DIP、SMA、DO-41各有何優(yōu)劣?
    在電子設(shè)計(jì)中,MDD整流二極管的封裝選擇直接影響電路的性能、可靠性和成本。某工業(yè)電源項(xiàng)目因封裝選型不當(dāng),導(dǎo)致整流二極管溫升超標(biāo),最終引發(fā)批量失效。MDD本文通過(guò)對(duì)比DIP、SMA、DO-41等常見(jiàn)封裝,為工程師提供選型指南。 一、封裝選型的核心考量因素 功率耗散能力 封裝熱阻(RθJA)決定散熱性能,影響最大工作電流。 案例:TO-220封裝的1N5408可承受3A電流,而DO-41封裝的1N40
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  • 英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝, 在提升效率的同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
    目前,許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展,實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對(duì)這一市場(chǎng)趨勢(shì),全球功率系統(tǒng)和領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于 2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列,這是首款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴(kuò)展到TO-247-2
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  • 劃片機(jī)在Micro-LED芯片封裝中的應(yīng)用與技術(shù)革新
    隨著Micro-LED顯示技術(shù)向更小尺寸、更高集成度發(fā)展,其制造工藝對(duì)精密度和效率的要求日益嚴(yán)苛。劃片機(jī)作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵設(shè)備,在Micro-LED芯片封裝中扮演著核心角色。本文結(jié)合行業(yè)動(dòng)態(tài)與技術(shù)進(jìn)展,探討劃片機(jī)在Micro-LED領(lǐng)域的應(yīng)用現(xiàn)狀及未來(lái)趨勢(shì)。 一、Micro-LED封裝的核心挑戰(zhàn)與劃片機(jī)的技術(shù)定位. Micro-LED芯片的特征尺寸通常在100微米以下,甚至達(dá)到0.1-10微米
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  • AMEYA360代理:羅姆650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小,散熱性能出色,還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性,因此在工業(yè)設(shè)備、車(chē)載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次,ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商(OSAT)擁有豐富業(yè)績(jī)的日月新半導(dǎo)體(威
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    02/17 07:14
  • 簡(jiǎn)化隔離驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì),納芯微推出集成晶振的NSIP3266全橋變壓器驅(qū)動(dòng)
    NSIP3266專為高壓系統(tǒng)中隔離驅(qū)動(dòng)供電的半分布式架構(gòu)而設(shè)計(jì),采用全橋拓?fù)?,支持寬壓輸入,集成晶振釋放MCU資源 納芯微宣布推出集成晶振與多種保護(hù)、支持軟啟動(dòng)的全橋變壓器驅(qū)動(dòng)NSIP3266,可廣泛應(yīng)用于汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)(OBC)、牽引逆變器及充電樁、光伏發(fā)電和儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等系統(tǒng)中的隔離驅(qū)動(dòng)供電電路。NSIP3266支持寬范圍輸入的全橋拓?fù)?,同時(shí)憑借巧妙的引腳和功能設(shè)計(jì),極大簡(jiǎn)化了隔離驅(qū)動(dòng)供電
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  • 什么是晶圓微凸點(diǎn)封裝?
    晶圓微凸點(diǎn)封裝,更常見(jiàn)的表述是晶圓微凸點(diǎn)技術(shù)或晶圓級(jí)凸點(diǎn)技術(shù)(Wafer Bumping),是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù)。以下是對(duì)晶圓微凸點(diǎn)封裝的詳細(xì)解釋:
  • Vishay推出性能先進(jìn)的新款40 V MOSFET
    器件占位面積小,采用BWL設(shè)計(jì),ID高達(dá)795 A,可提高功率密度,而且低至0.21 °C/W的RthJC可優(yōu)化熱性能 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E,該器件擁有優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,能夠?yàn)楣I(yè)應(yīng)用提供
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  • 艾邁斯歐司朗發(fā)布紅外LED新品,搭載全新IR:6技術(shù),助力提升安防與生物識(shí)別應(yīng)用效率
    全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗(瑞士證券交易所股票代碼:AMS)今日宣布,發(fā)布最新IR:6紅外(IR)LED芯片技術(shù)。相較于艾邁斯歐司朗現(xiàn)有IR LED發(fā)射器芯片,該技術(shù)能將顯示亮度提升35%,工作效率提高42%。 IR:6技術(shù)可適用于個(gè)人電腦中的生物特征認(rèn)證系統(tǒng)(圖片:艾邁斯歐司朗) 全新IR:6薄膜芯片技術(shù),將助力制造商大幅度提升照明效果與圖像質(zhì)量,實(shí)現(xiàn)更快速、更準(zhǔn)確的生物特征識(shí)別,
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  • KKR擬收購(gòu)封裝設(shè)備龍頭,國(guó)內(nèi)封測(cè)產(chǎn)業(yè)敲響警鐘:誰(shuí)來(lái)“保住”ASMPT?
    10月初,關(guān)于美國(guó)著名私募基金KKR可能收購(gòu)新加坡半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASMPT的消息引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。緊接著,在18日,美國(guó)商務(wù)部宣布了一項(xiàng)初步投資額達(dá)16億美元的創(chuàng)新投資基金計(jì)劃,旨在推動(dòng)美國(guó)在先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)的布局和升級(jí)。 事實(shí)上,近幾個(gè)月來(lái),美國(guó)媒體不斷披露,拜登政府正計(jì)劃將對(duì)華施壓的重點(diǎn)轉(zhuǎn)向先進(jìn)封裝領(lǐng)域,這一領(lǐng)域正逐漸成為芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵。在當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇的大環(huán)境下,KKR對(duì)A
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  • 車(chē)規(guī)模塊系列(三):特斯拉TPAK系列
    相比于前兩篇聊到的半橋DCM系列和三相全橋HPD模塊,今天我們要聊的TPAK(Tesla Pack)封裝,更像是單管,由特斯拉于2018年發(fā)布的Model3/Y率先采用,也是率先在新能源汽車(chē)電驅(qū)采用全SiC的解決方案,24-in-1的結(jié)構(gòu),每個(gè)橋臂上下橋由4個(gè)TPAK并聯(lián)而成。而今,市面上很多廠家也相繼推出了TPAK封裝產(chǎn)品,亦是一種學(xué)習(xí)的力量,今天我們就來(lái)聊聊TPAK。
    2.6萬(wàn)
    2024/09/26
    車(chē)規(guī)模塊系列(三):特斯拉TPAK系列
  • 晶振封裝技術(shù)比較:滾邊焊與激光焊
    晶發(fā)電子專注17年晶振生產(chǎn),晶振產(chǎn)品包括石英晶體諧振器、振蕩器、貼片晶振、32.768Khz時(shí)鐘晶振、有源晶振、無(wú)源晶振等,產(chǎn)品性能穩(wěn)定,品質(zhì)過(guò)硬,價(jià)格好,交期快.國(guó)產(chǎn)晶振品牌您值得信賴的晶振供應(yīng)商。 在電子行業(yè)中,晶振的封裝技術(shù)對(duì)于確保其穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。目前,常見(jiàn)的晶振封裝技術(shù)主要有滾邊焊和激光焊兩種。晶發(fā)電子將對(duì)這兩種技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)比較,以幫助讀者了解各自的優(yōu)勢(shì)及適用場(chǎng)合。 滾邊焊技術(shù)
  • 封裝好的芯片如何開(kāi)封?
    知識(shí)星球里的學(xué)員問(wèn):封裝好的芯片,怎么能將外面包裹的環(huán)氧樹(shù)脂除去呢?想研究下芯片的結(jié)構(gòu),有什么辦法嗎? 封裝好的芯片什么樣? 封好的芯片一般包括: 1,芯片,這個(gè)部分被封裝保護(hù)起來(lái),只有在開(kāi)封芯片后才能看到。 2,外殼,通常使用環(huán)氧樹(shù)脂、陶瓷或金屬材料作為殼體,外殼保護(hù)內(nèi)部的芯片免受物理?yè)p傷、環(huán)境因素影響。 3,引腳,這些引腳一端連接到芯片的PAD,另一端延伸到封裝外部,用于安裝到電路板上。通過(guò)這
  • 尼得科精密檢測(cè)科技將參展SEMICON TAIWAN 2024
    尼得科精密檢測(cè)科技株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“本公司”)將參展2024年9月4日(周三)~9月6日(周五)于臺(tái)北南港會(huì)展中心舉辦的“SEMICON TAIWAN 2024”,該展會(huì)是展示半導(dǎo)體行業(yè)前沿技術(shù)和創(chuàng)新成果的亞洲最大規(guī)模的國(guó)際展會(huì)之一。 該展會(huì)是臺(tái)灣頗具影響力的半導(dǎo)體行業(yè)展會(huì),今年的主題為“BREAKING LIMITS: POWERING THE AI ERA.”,預(yù)計(jì)有超過(guò)1,100家企業(yè)參展
    尼得科精密檢測(cè)科技將參展SEMICON TAIWAN 2024
  • 打破陳規(guī):磁性封裝新技術(shù)將如何重塑電源模塊的未來(lái)
    德州儀器全球團(tuán)隊(duì)堅(jiān)持克服挑戰(zhàn),為電源模塊開(kāi)發(fā)新的 MagPack? 封裝技術(shù),這是一項(xiàng)將幫助推動(dòng)電源設(shè)計(jì)未來(lái)的突破性技術(shù)。作為一名經(jīng)驗(yàn)豐富的馬拉松運(yùn)動(dòng)員,Kenji Kawano 深知在奮力奔向遙遠(yuǎn)終點(diǎn)的過(guò)程中,耐心和毅力極其重要。開(kāi)發(fā)新技術(shù)也可以比作一場(chǎng)馬拉松,通過(guò)循序漸進(jìn)的提升和不可避免地挫折,歷盡千辛萬(wàn)苦才能取得成功。Kenji 來(lái)自日本,是 Kilby Labs(德州儀器的創(chuàng)新突破應(yīng)用研究實(shí)驗(yàn)室)電源部高級(jí)經(jīng)理,曾多次經(jīng)歷這樣的過(guò)程。
  • 封裝過(guò)程中開(kāi)路引起的原因及優(yōu)化措施
    在電子制造中,(Open Circuit)是一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題,它會(huì)導(dǎo)致電路中的電流無(wú)法流通,從而影響整個(gè)電子產(chǎn)品的功能。針對(duì)開(kāi)路原因及其改進(jìn)建議,我們可以進(jìn)一步細(xì)化和擴(kuò)展這些內(nèi)容。
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    2024/08/14
  • 湖南靜芯推出應(yīng)用于USB3.X/4.0、Thunderbolt 3/4 深回掃型CSP0603封裝
    一、USB發(fā)展歷程與接口分類 由英特爾等多家公司聯(lián)合在1996年推出通用串行總線(英語(yǔ):Universal Serial Bus,縮寫(xiě):USB)是一種串口總線標(biāo)準(zhǔn),也是一種輸入輸出接口的技術(shù)規(guī)范,被廣泛地應(yīng)用于個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備等信息通訊產(chǎn)品,并擴(kuò)展至攝影器材、數(shù)字電視(機(jī)頂盒)、游戲機(jī)等其它相關(guān)領(lǐng)域。最新一代USB 4于 2019 年發(fā)布,支持高達(dá) 40 Gbps 的連接,同時(shí)提供與 Thund
    1067
    2024/08/13
  • 貿(mào)澤電子開(kāi)售適用于Analog Devices MAX40109低功耗精密傳感器接口SoC
    專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)售Analog Devices, Inc. (ADI) 的MAX40109低功耗精密傳感器接口片上系統(tǒng) (SoC)。該SoC集成了高精度、可編程的模擬前端 (AFE),以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)、校準(zhǔn)存儲(chǔ)器和數(shù)字信號(hào)處理功能。MAX40109采用TQFN封裝,設(shè)計(jì)用于應(yīng)力、壓力、溫度、應(yīng)變計(jì)
    貿(mào)澤電子開(kāi)售適用于Analog Devices MAX40109低功耗精密傳感器接口SoC
  • 電子封裝中的錫須現(xiàn)象及其控制策略
    錫須(Tin whiskers)是在純錫(Sn)或含錫合金表面自發(fā)形成的細(xì)長(zhǎng)、針狀的錫單晶。這些錫須通常只有幾個(gè)微米的直徑,但長(zhǎng)度可以長(zhǎng)達(dá)數(shù)毫米甚至超過(guò)10毫米,從而可能引發(fā)嚴(yán)重的可靠性問(wèn)題。以下是關(guān)于錫須生長(zhǎng)機(jī)制、影響因素以及抑制措施的綜合解釋:
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    2024/07/26

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