半導體工藝

• 什么是SPT技術，SPT技術位于工藝流程什么位置？

  在半導體工藝中，SPT 通常是指應力鄰近技術（Stress Proximity Technology）。它是一種通過在柵極周圍形成特定結構或沉積特定材料，將應力引入到半導體溝道中的工藝技術。具體介紹如下：

  國芯制造

  362

  06/17 15:15

  半導體工藝 SPT技術

  
• 在半導體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長？

  在半導體 SiGe 工藝中，分兩步生長低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求：晶格常數(shù)差異：Ge的晶格常數(shù)（5.66 ?）比Si（5.43 ?）大約4%，直接在 Si 襯底上生長高摻雜 Ge 層會因晶格失配產(chǎn)生高應力，導致位錯等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層，通過較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量（如從 Si 到 SiGe 的過渡），逐步釋放晶格應力，為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長基礎。

  國芯制造

  581

  06/17 08:50

  半導體工藝 SiGe

  

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