功率電子

• 技術(shù)洞察 | 英飛凌CoolMOS? 8證實(shí)高壓硅基技術(shù)在功率電子領(lǐng)域仍然發(fā)揮著重要作用

  核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)/方案詳細(xì)規(guī)格/產(chǎn)品實(shí)體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測(cè)試報(bào)告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 近年來，媒體、網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)和雜志幾乎每天都會(huì)報(bào)道碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件的大規(guī)模部署，它們作為新一代半導(dǎo)體材料，正勢(shì)不可擋地拓展應(yīng)用范圍，似乎正在動(dòng)搖硅基器件多年來在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的主導(dǎo)地位！然而，盡管電動(dòng)出行和可再生能源政策為新技術(shù)

  大大通

  729

  06/09 13:30

  功率半導(dǎo)體 功率電子

  
• SiC襯底市場(chǎng)2024年?duì)I收年減9%，但長(zhǎng)期需求樂觀

  受2024年汽車和工業(yè)需求走弱，SiC襯底出貨量成長(zhǎng)放緩，與此同時(shí)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC襯底產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年減9%，為10.4億美元。 進(jìn)入2025年，即便SiC襯底市場(chǎng)持續(xù)面臨需求疲軟和供給過剩的雙重壓力，但長(zhǎng)期成長(zhǎng)趨勢(shì)依舊不變，隨著成本逐漸下降和半導(dǎo)體元件技術(shù)不斷提升，未來SiC的應(yīng)用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。同時(shí)，激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)

  與非網(wǎng)編輯

  681

  05/12 18:15

  SiC Wolfspeed

  

正在努力加載...