面向臨時鍵合/解鍵TBDB的ERS光子解鍵合技術(shù)
隨著輕型可穿戴設(shè)備和先進數(shù)字終端設(shè)備的需求不斷增長,傳統(tǒng)晶圓逐漸無法滿足多層先進封裝(2.5D/3D堆疊)的需求。它們體積較大、重量重、且在高溫和大功率環(huán)境下表現(xiàn)欠佳,難以適應(yīng)行業(yè)的快速發(fā)展。如今,半導(dǎo)體制造商傾向于采用厚度小于 100 μm的薄晶圓。然而,晶圓越薄就越容易破損,為此,行業(yè)開發(fā)了各種臨時鍵合和解鍵 (TBDB) 技術(shù),利用專用鍵合膠將器件晶圓臨時固定在剛性載板上,以提升制造過程的穩(wěn)