MC68F333 32位模塊化微控制器用戶(hù)手冊(cè)附錄

MC68F333包含兩個(gè)閃存可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）模塊：一個(gè)16 K字節(jié)模塊和一個(gè)48 K字節(jié)模塊。 閃存EEPROM模塊用作非易失性、快速訪問(wèn)的可擦寫(xiě)和可編程ROM仿真內(nèi)存。這些模塊可以包含程序代碼（例如操作系統(tǒng)內(nèi)核和標(biāo)準(zhǔn)子程序），這些代碼必須以高速執(zhí)行或經(jīng)常執(zhí)行，或者包含頻繁讀取的靜態(tài)數(shù)據(jù)。閃存EEPROM支持字節(jié)和字讀取。它能夠響應(yīng)連續(xù)的IMB訪問(wèn)，提供對(duì)齊長(zhǎng)字的兩個(gè)總線周期（四個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘）訪問(wèn)。它還可以編程插入最多三個(gè)等待狀態(tài)，以適應(yīng)從較慢的外部開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)器遷移到板載閃存EEPROM而無(wú)需重新定時(shí)系統(tǒng)的需要。 16 K字節(jié)閃存EEPROM陣列可以從任何16 K字節(jié)邊界開(kāi)始，而48 K字節(jié)陣列可以從任何64 K字節(jié)邊界開(kāi)始。這兩個(gè)陣列可以配置為單個(gè)連續(xù)內(nèi)存塊，其中16 K字節(jié)陣列緊接在48 K字節(jié)陣列之前或之后。它們可以分別配置為駐留在監(jiān)管者或無(wú)限制的地址空間中。它們也可以被編程為駐留在程序空間或數(shù)據(jù)空間。 在復(fù)位期間將數(shù)據(jù)總線引腳DATA15和DATA14拉低會(huì)禁用16 K字節(jié)和48 K字節(jié)閃存EEPROM模塊，并將它們置于停止模式。 閃存EEPROM及其控制位可通過(guò)軟件控制進(jìn)行擦除和編程。編程/擦除電壓必須通過(guò)外部VFPE引腳提供。數(shù)據(jù)按字節(jié)或字對(duì)齊方式編程。不支持多字編程。閃存EEPROM模塊僅支持批量擦除，并具有最小的編程擦除壽命為100次循環(huán)。 閃存EEPROM模塊具有硬件互鎖，可防止意外使閃存EEPROM陣列的編程/擦除電壓?jiǎn)⒂脤?dǎo)致存儲(chǔ)數(shù)據(jù)損壞。通過(guò)硬件互鎖，無(wú)意編程或擦除的可能性極低。