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將應(yīng)用從S08AC和S08FL系列遷移到S08PT系列

2024/11/13
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將應(yīng)用從S08AC和S08FL系列遷移到S08PT系列

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飛思卡爾的 S08PT 系列擁有首款采用 0.18 微米工藝的 S08 MCU、新版本的 S08 CPU 和新的 5 V 焊盤。該系列還為不同的外設(shè)模塊引入了許多新功能。憑借這些新功能,S08PT 系列具有更低的功耗、更好的瞬態(tài)保護(hù)和更好的性能。

本應(yīng)用指南概述了 S08AC/FL 和 S08PT 系列之間的產(chǎn)品系列差異,并提供了代碼轉(zhuǎn)換建議。

閃存和 EEPROM

閃存非常適合單電源應(yīng)用,允許進(jìn)行現(xiàn)場重新編程,無需外部高壓電源進(jìn)行編程或擦除操作。

S08PT 系列具有閃存和 EEPROM 存儲器。閃存大小取決于設(shè)備,最大大小為 64 KB。EEPROM 存儲器為 256 字節(jié)。這系列提供類似于 S08AC 和 S08FL 系列中的安全機(jī)制,以防止未經(jīng)授權(quán)訪問閃存和 EEPROM。取消保護(hù)閃存和 EEPROM 存儲器也可以通過類似的方式完成,方法是 Backdoor Key 訪問,然后是 Erase All Blocks 命令(類似于 S08AC/FL 系列的 Mass Erase)。

S08PT 系列支持同步閃存和 EEPROM 操作。當(dāng)某些命令在 EEPROM 存儲器上執(zhí)行時(shí),可以從閃存中讀取數(shù)據(jù)。但是,當(dāng) Erase 和 Program 等命令正在閃存上執(zhí)行時(shí),無法從 EEPROM 存儲器中讀取數(shù)據(jù)。

EEPROM 存儲器采用糾錯(cuò)碼 (ECC) 實(shí)現(xiàn),可以解決單位故障并檢測雙位故障,在所有三個(gè)系列中提供最佳的安全功能。

擦除操作基于 S08PT 系列設(shè)備上的扇區(qū)執(zhí)行,類似于 S08AC/FL 系列設(shè)備上的頁面。每個(gè)閃存扇區(qū)包含 512 字節(jié)。每個(gè) EEPROM 扇區(qū)由 2 個(gè)字節(jié)組成。因此,閃存最多有 128 個(gè)扇區(qū),而 EEPROM 有 128 個(gè)扇區(qū)。

閃存具有以下功能:

?使用 verify 的自動(dòng)編程和擦除算法

?快速扇區(qū)擦除和長字(32 位)程序操作

?能夠在 EEPROM 存儲器中對字節(jié)進(jìn)行編程時(shí)讀取閃存

?靈活的保護(hù)方案,防止意外編程或擦除閃存

?能夠設(shè)置 Flash 讀取邊距級別

EEPROM 存儲器具有以下特點(diǎn):

?讀取操作期間字內(nèi)的單位故障校正和雙位故障檢測

?自動(dòng)編程和擦除算法,具有 ECC 奇偶校驗(yàn)位的驗(yàn)證和生成功能

?快速扇區(qū)擦除和字節(jié)程序操作

?防止意外編程或擦除 EEPROM 存儲器的保護(hù)方案

?能夠在突發(fā)序列中編程多達(dá) 4 個(gè)字節(jié)

?能夠設(shè)置 EEPROM 讀取裕量水平

閃存保護(hù)在閃存中的三個(gè)單獨(dú)的存儲器區(qū)域上執(zhí)行:一個(gè)從全局地址0x8000開始并向上擴(kuò)展(低范圍),一個(gè)從全局地址0xFFFF開始并向下擴(kuò)展(高范圍),以及其余的存儲器區(qū)域。一旦實(shí)施,受保護(hù)的地址區(qū)域只能增加,不能減少。

恩智浦

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起

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