電力晶體管

電力晶體管（Power MOSFET），簡稱為功率MOS管，是一種主要用于高頻開關、調(diào)節(jié)和放大的半導體器件。它具有低導通電阻、快速開關速度、無耗散功率、溫度穩(wěn)定性好等特點，在汽車電子、電源管理、LED照明等領域廣泛應用。

1.電力晶體管分類及圖形符號

電力晶體管可按電氣參數(shù)、封裝形式分為多種類型，如N溝道型MOS管、P溝道型MOS管、雙極性（BJT）開關管等。其圖形符號通常表示為一個矩形，底部連接一個箭頭表示源極位置，左側(cè)帶有一條斜線表示柵極，右側(cè)則為漏極。

2.電力晶體管結(jié)構(gòu)及工作原理

電力晶體管通常由P型襯底、N型漏極、P型漏障層、N型溝道和金屬柵等材料組成。當外加電壓施加在柵極上時，形成了溝道區(qū)域，使得漏障層處于高阻態(tài)，從而控制電流的流動。當施加足夠高的柵極電壓時，溝道區(qū)域會被壓縮并消失，使得漏障層處于低阻態(tài)，從而允許電流通過。

3.電力晶體管特點

電力晶體管具有低導通電阻、高開關速度、無耗散功率、溫度穩(wěn)定性好等特點。同時，它還具有多保護能力，可以通過內(nèi)部過壓、短路等保護功能保證安全穩(wěn)定運行。然而，電力晶體管也面臨著電壓容忍度較低、漏電流大等缺點。