pn結擊穿

pn結是半導體器件中一種重要的電子器件，它由一個n型半導體區(qū)和一個p型半導體區(qū)組成。在一定條件下，當外部電壓超過某個值時，pn結會出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。

1.什么是pn結擊穿

pn結擊穿是指在一定條件下，當外加電壓超過一定值時，pn結內(nèi)的電場足以克服固有屏障將載流子攔截的作用，形成電流大幅度增加的現(xiàn)象。pn結擊穿是半導體器件中不可避免的物理現(xiàn)象，但要盡量避免擊穿帶來的損害。

2.pn結擊穿電壓計算公式

pn結擊穿電壓的計算是非常重要的，通?？梢圆捎靡韵鹿竭M行計算：

V_BR = E_BR × W

其中V_BR為擊穿電壓，E_BR為單位長度上的電場強度，W為pn結的寬度。

3.pn結擊穿的類型

pn結擊穿可分為以下幾種類型：

① 熱擊穿：發(fā)生在高摻雜區(qū)。當電壓達到某一水平時，高能電子即可被加速至足以晉升價帶，使局部的電阻急劇下降。

② 齊納擊穿：指的是反向電場加速帶電粒子的整個過程，其本質(zhì)上類似于放電。

③ 內(nèi)界擊穿：發(fā)生在耗盡區(qū)，當反向電壓繼續(xù)增大時，就會出現(xiàn)內(nèi)界擊穿。