巨磁電阻效應(yīng)

巨磁電阻效應(yīng)（giant magnetoresistance，簡稱GMR）是一種在特定材料中觀察到的物理現(xiàn)象。該效應(yīng)最早于1988年被法國科學(xué)家Albert Fert和德國科學(xué)家Peter Grünberg同時(shí)獨(dú)立地發(fā)現(xiàn)，并因此獲得了2007年諾貝爾物理學(xué)獎。

1.巨磁電阻效應(yīng)是什么

巨磁電阻效應(yīng)是指當(dāng)處于外部磁場作用下的磁性多層膜結(jié)構(gòu)中的電阻率變化較大的現(xiàn)象。

2.巨磁電阻效應(yīng)如何發(fā)現(xiàn)

1988年，F(xiàn)ert和Grünberg通過對由鐵、鉻和鉑等幾種金屬交替堆積而成的多層薄膜進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，首次觀測到了巨磁電阻效應(yīng)。

3.巨磁電阻效應(yīng)的應(yīng)用

巨磁電阻效應(yīng)的應(yīng)用涉及到磁存儲、傳感器和讀頭等方面。在磁存儲技術(shù)中，巨磁電阻現(xiàn)象已被廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤、磁帶頭設(shè)備和磁性隨機(jī)存取存儲器等領(lǐng)域，以提高其讀取和寫入數(shù)據(jù)的速度。在傳感技術(shù)中，巨磁電阻效應(yīng)可以被用來檢測磁場變化，進(jìn)而檢測物體位移。此外，巨磁電阻效應(yīng)還可以被用于醫(yī)療診斷和生命科學(xué)等領(lǐng)域。