巨磁電阻(GMR)是一種利用材料微觀(guān)結(jié)構(gòu)及狀態(tài)變化所帶來(lái)的電阻變化現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)傳感、存儲(chǔ)等應(yīng)用的技術(shù),可廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)硬盤(pán)、讀卡器、傳感器等領(lǐng)域。下面將分別介紹巨磁電阻的定義以及結(jié)構(gòu)組成。
1.什么是巨磁電阻
巨磁電阻是一種由美國(guó)物理學(xué)家阿爾弗雷德·費(fèi)爾德在1988年發(fā)現(xiàn)的物理現(xiàn)象。它是指在兩個(gè)磁性層之間夾雜著一層非磁性金屬或者合金材料時(shí),在外加磁場(chǎng)的作用下,磁性層的磁矩產(chǎn)生旋轉(zhuǎn),導(dǎo)致層間自旋耦合形成不同的電阻狀態(tài),從而實(shí)現(xiàn)電阻率的變化。
2.巨磁電阻結(jié)構(gòu)組成有何特點(diǎn)
巨磁電阻器件大致由四個(gè)部分組成:上磁性層、非磁性層、下磁性層和底部引線(xiàn)。其中,上下兩個(gè)磁性層將被外加磁場(chǎng)作用,產(chǎn)生不同的磁矩方向。非磁性層被夾在中間,決定了兩側(cè)磁性層磁矩的相對(duì)位置,從而控制整個(gè)器件的電阻率。底部引線(xiàn)則提供了電力連接。