• 四探針法 vs 兩探針法 石墨電極電阻率測(cè)定儀的技術(shù)對(duì)比
    在石墨電極電阻率測(cè)定領(lǐng)域,四探針法和兩探針法是兩種常用的技術(shù)手段,二者各有特點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。
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    15小時(shí)前
  • USB轉(zhuǎn)串口模組選購(gòu)指南 2025主流通信轉(zhuǎn)換設(shè)備品牌盤點(diǎn)與應(yīng)用方案解析
    在工業(yè)自動(dòng)化、嵌入式開發(fā)、設(shè)備調(diào)試和測(cè)試等領(lǐng)域,USB轉(zhuǎn)串口模塊已成為不可或缺的通信轉(zhuǎn)換工具。它能夠?qū)F(xiàn)代計(jì)算機(jī)的USB接口與傳統(tǒng)串口設(shè)備(如RS232、RS485、RS422)連接,為工程師、開發(fā)者和技術(shù)人員提供便捷的通信解決方案。2025年,USB轉(zhuǎn)串口模塊市場(chǎng)產(chǎn)品種類更加多樣化,功能也不斷優(yōu)化。本文基于權(quán)威數(shù)據(jù)平臺(tái)的分析,盤點(diǎn)當(dāng)前主流品牌及其優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品,解析典型應(yīng)用方案,助力行業(yè)用戶選購(gòu)合適的
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    16小時(shí)前
  • 南柯電子 監(jiān)護(hù)設(shè)備EMC測(cè)試整改 頻譜分析到整改措施的完整閉環(huán)
    隨著醫(yī)療電子設(shè)備的智能化與集成化發(fā)展,監(jiān)護(hù)設(shè)備在臨床應(yīng)用中的重要性日益凸顯。然而,電磁兼容性(EMC)問(wèn)題已成為制約其上市的關(guān)鍵瓶頸。據(jù)統(tǒng)計(jì),約40%的醫(yī)療設(shè)備因EMC測(cè)試不合格而延遲上市,導(dǎo)致企業(yè)研發(fā)成本增加、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力下降。
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    20小時(shí)前
  • 安泰高壓放大器在芯片老化測(cè)試中的應(yīng)用研究
    隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片作為眾多電子設(shè)備的核心部件,其可靠性至關(guān)重要。芯片老化測(cè)試是評(píng)估芯片長(zhǎng)期可靠性的重要手段,旨在通過(guò)模擬芯片長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí)所面臨的各種極端環(huán)境條件,如高溫、高電壓、高濕度等,加速芯片的老化過(guò)程,提前發(fā)現(xiàn)潛在的缺陷和失效模式,從而為芯片的設(shè)計(jì)優(yōu)化、工藝改進(jìn)以及質(zhì)量控制提供重要依據(jù)。 常見的芯片老化測(cè)試方法包括高溫老化測(cè)試、濕熱老化測(cè)試、電壓老化測(cè)試等。其中,電壓老化測(cè)試通過(guò)在
  • Aigtek高壓功率放大器在汽車電子測(cè)試中的應(yīng)用研究
    汽車電子系統(tǒng)日益復(fù)雜,其性能和可靠性直接影響汽車的安全性、舒適性和燃油經(jīng)濟(jì)性等。為確保電子設(shè)備在汽車復(fù)雜環(huán)境下穩(wěn)定工作,各種嚴(yán)格的測(cè)試必不可少。高壓功率放大器作為電子測(cè)試系統(tǒng)的核心設(shè)備之一,能夠?qū)⒌凸β市盘?hào)放大至所需的高功率水平,為汽車電子測(cè)試提供了強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力,其性能和精度對(duì)測(cè)試結(jié)果有著直接影響。 二、高壓功率放大器在汽車電子測(cè)試中的應(yīng)用 (一)汽車電子安全測(cè)試 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)制定的道路車輛電
  • 高溫環(huán)境下液態(tài)金屬電阻率測(cè)試儀的動(dòng)態(tài)測(cè)量技術(shù)
    在高溫環(huán)境中進(jìn)行液態(tài)金屬電阻率的動(dòng)態(tài)測(cè)量,面臨著材料性能衰減、溫度波動(dòng)大、信號(hào)干擾強(qiáng)等諸多挑戰(zhàn)。為確保測(cè)量的準(zhǔn)確性與實(shí)時(shí)性,需從多個(gè)維度對(duì)測(cè)量技術(shù)進(jìn)行針對(duì)性優(yōu)化。? 一、耐高溫材料與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)? (一)電極材料升級(jí)? 采用銥、鉭等高熔點(diǎn)且化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)的金屬材料制作電極,其熔點(diǎn)均超過(guò) 2000℃,在高溫下不易與液態(tài)金屬發(fā)生反應(yīng)或自身熔化。同時(shí),在電極表面鍍覆一層碳化硅(SiC)陶瓷涂層,進(jìn)一步增強(qiáng)抗氧
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    21小時(shí)前

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