深耕功率器件，發(fā)力電動汽車，華虹宏力10天獲雙獎

2019 年 4 月 9 日，華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）在 CITE 2019 上，公司的“高壓大功率雙溝槽型超級結工藝平臺”獲得中國電子信息博覽會創(chuàng)新應用金獎。

 

 

2019 年 4 月 18 日，在“2019 中國國際新能源汽車功率半導體關鍵技術論壇”上，華虹宏力憑借其在絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）代工領域的技術底蘊與創(chuàng)新能力，獲得了 PSIC2019 中國新能源汽車用 IGBT“最具發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)”獎。

 

 

10 天內(nèi)，華虹宏力憑借在功率半導體器件領域深耕 20 年的經(jīng)驗，獲得兩項大獎，這表明業(yè)界對華虹宏力的功率器件工藝的肯定。

 

華虹宏力從 2002 年開始自主創(chuàng)“芯”路，是全球第一家提供功率器件代工服務的 8 英寸純晶圓代工廠。2002 年到 2010 年，陸續(xù)完成先進的溝槽型中低壓 MOSFET/SGT/TBO 等功率器件技術開發(fā)；2010 年，高壓 600V ~700V 溝槽型、平面型 MOSFET 工藝進入量產(chǎn)階段；2011 年第一代深溝槽超級結工藝進入量產(chǎn)階段，同年 1200V 溝槽型 NPT IGBT 工藝也完成研發(fā)進入量產(chǎn)階段；2013 年，第 2 代深溝槽超級結工藝推向市場，同時 600V~1200V 溝槽型場截止型 IGBT（FDB 工藝）也成功量產(chǎn)。

 

2018 年，功率器件在各終端市場的應用場景更加多樣，公司功率器件營收同比增長 41%。作為全球首家提供場截止型 FS-IGBT 量產(chǎn)技術的 8 英寸純晶圓代工廠，華虹宏力擁有領先技術，支持并推動綠色能源、新能源汽車、工業(yè)自動化等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

 

華虹宏力具備多年成功量產(chǎn)汽車電子芯片的經(jīng)驗和獨具特色的工藝能力，建立了零缺陷管理系統(tǒng)，并通過了 IATF 16949 汽車質量管理體系認證和多家客戶的 VDA 6.3（德國汽車質量流程審計標準）過程質量審核的 A 級標準認證。

 

華虹宏力戰(zhàn)略、市場與發(fā)展部李健日前在深圳參加論壇時表示，以 IGBT 為例，對電動汽車中功率器件的規(guī)模進行了介紹，他說一臺電動車總共需要 48 顆 IGBT 芯片，其中前后雙電機共需要 36 顆，車載充電機需要 4 顆，電動空調(diào) 8 顆。同時后裝維修零配件市場按 1：1 配套。如果 2020 年國內(nèi)電動汽車銷量達到 200 萬臺，國內(nèi)市場大約需要每月 10 萬片 8 英寸車規(guī)級 IGBT 晶圓產(chǎn)能（按每片晶圓容納 120 顆 IGBT 芯片折算）。基于國內(nèi)電動車市場占全球市場的 1/3，2020 年全球汽車市場可能需要超過每月 30 萬片 8 英寸 IGBT 晶圓產(chǎn)能！

 

華虹宏力正在實行“8+12”的戰(zhàn)略布局。8 英寸的戰(zhàn)略定位是“廣積糧”，重點是“積”。華虹宏力有近 20 年的特色工藝技術積累，是業(yè)內(nèi)首個擁有深溝槽超級結(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及場截止型 IGBT(Field Stop，F(xiàn)S IGBT)工藝平臺的 8 英寸代工廠，公司現(xiàn)已推出第三代 DT-SJ 工藝平臺。在 IGBT 方面讓客戶產(chǎn)品能夠比肩業(yè)界主流的國際 IDM 產(chǎn)品。12 英寸的戰(zhàn)略定位是“高筑墻”，重點是“高”。華虹宏力將通過建設 12 英寸生產(chǎn)線，延伸 8 英寸特色工藝優(yōu)勢，拓寬護城河，提高技術壁壘，拉開與身后競爭者的差距。

 

我們也祝福華虹宏力未來更輝煌！