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近期，市場(chǎng)多方消息顯示，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)迎來新一輪漲價(jià)潮，包括閃迪、美光、三星、SK海力士、美光等多家存儲(chǔ)廠商紛紛宣布提價(jià)計(jì)劃。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)佰維存儲(chǔ)、中科存儲(chǔ)、時(shí)創(chuàng)意、北京君正等多家存儲(chǔ)廠商也發(fā)布了最新動(dòng)態(tài)，展示了他們?cè)诩夹g(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴(kuò)張和市場(chǎng)布局方面的最新進(jìn)展。
01、中科存儲(chǔ)：建設(shè)1條封裝產(chǎn)線和1條測(cè)試產(chǎn)線
據(jù)株洲新聞網(wǎng)消息，近日，株洲市重點(diǎn)項(xiàng)目中科存儲(chǔ)芯片封測(cè)項(xiàng)目升級(jí)改造項(xiàng)目，目前已完成主體工程建設(shè)，包括SMT、前段、后段、SSD測(cè)試、芯片測(cè)試生產(chǎn)線工程建設(shè)等，且已購置3000余萬元的先進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備，項(xiàng)目進(jìn)展順利。
據(jù)悉，中科存儲(chǔ)芯片封測(cè)項(xiàng)目升級(jí)改造項(xiàng)目由湖南中科存儲(chǔ)科技有限公司投資建設(shè)，項(xiàng)目位于天元區(qū)天易科技城B4、B5棟。項(xiàng)目總投資3億元，項(xiàng)目建筑面積為9814平方米。項(xiàng)目主要建設(shè)1條封裝產(chǎn)線和1條測(cè)試產(chǎn)線，在現(xiàn)有集成電路封裝、測(cè)試產(chǎn)線的基礎(chǔ)上，購置新的引線鍵合機(jī)、晶片粘晶機(jī)和全自動(dòng)貼片機(jī)等生產(chǎn)設(shè)備，完成多層疊Die存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試產(chǎn)線升級(jí)改造。
項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值約6億元，銷售收入約6億元，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)3000萬顆存儲(chǔ)芯片（其中包含單晶元存儲(chǔ)芯片、多晶元存儲(chǔ)芯片、嵌入式存儲(chǔ)芯片和移動(dòng)存儲(chǔ)模組等）。相關(guān)產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、人工智能、大數(shù)據(jù)集成終端安全存儲(chǔ)、企業(yè)存儲(chǔ)、移動(dòng)存儲(chǔ)和智能穿戴等領(lǐng)域。
02、佰維存儲(chǔ)：積極推進(jìn)其19億元定增項(xiàng)目
佰維存儲(chǔ)近期動(dòng)態(tài)頻頻，佰維存儲(chǔ)在接受23家機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，在嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，公司BGASSD已通過Google準(zhǔn)入供應(yīng)商名單認(rèn)證；在PC存儲(chǔ)領(lǐng)域，公司SSD產(chǎn)品目前已經(jīng)進(jìn)入聯(lián)想、宏碁、惠普、同方等國(guó)內(nèi)外知名PC廠商，此前佰維存儲(chǔ)就表示，其旗下SP406/416系列企業(yè)級(jí)PCIe4.0SSD、SS621系列企業(yè)級(jí)SATASSD，與聯(lián)想服務(wù)器完成兼容性測(cè)試并獲認(rèn)證，強(qiáng)化企業(yè)級(jí)市場(chǎng)布局。
技術(shù)研發(fā)層面，3月初，佰維存儲(chǔ)宣布，其自研的eMMC主控芯片SP1800已完成批量驗(yàn)證支持QLC顆粒并針對(duì)智能穿戴設(shè)備優(yōu)化功耗，同時(shí)具備端到端數(shù)據(jù)保護(hù)能力，適用于車規(guī)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景。
據(jù)悉，2024年，佰維存儲(chǔ)智能穿戴存儲(chǔ)業(yè)務(wù)收入同比大幅增長(zhǎng)，2025年將深化與Meta等客戶在AI眼鏡領(lǐng)域的合作。
今年，佰維存儲(chǔ)正積極推進(jìn)其19億元定增項(xiàng)目，據(jù)該公司3月17日公告顯示，公司擬募資總額不超過19億元，其中8.8億元用于惠州佰維先進(jìn)封測(cè)及存儲(chǔ)器制造基地?cái)U(kuò)產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目，10.2億元用于晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)制造項(xiàng)目。
圖片來源：佰維存儲(chǔ)公告截圖
產(chǎn)能建設(shè)方面，據(jù)該公司本月中旬公告顯示，公司19億元定增項(xiàng)目獲證監(jiān)會(huì)批復(fù)，資金將用于惠州先進(jìn)封測(cè)基地?cái)U(kuò)產(chǎn)及晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)制造項(xiàng)目。其中，惠州基地?cái)U(kuò)產(chǎn)將提升存儲(chǔ)芯片封測(cè)及模組產(chǎn)能，晶圓級(jí)封測(cè)項(xiàng)目則聚焦16層疊Die、超薄Die等先進(jìn)工藝，為HBM等高端封裝技術(shù)奠定基礎(chǔ)，進(jìn)一步強(qiáng)化國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)力。
03、時(shí)創(chuàng)意：2024年公司營(yíng)收超22億元，正式入駐新總部大廈
2025年初，時(shí)創(chuàng)意全面入駐新總部大廈，作為集研發(fā)、制造及營(yíng)銷于一體的存儲(chǔ)地標(biāo)性建筑，時(shí)創(chuàng)意總部大廈建筑面積達(dá)66000㎡，新質(zhì)智造產(chǎn)線全面投產(chǎn)后，時(shí)創(chuàng)意整體產(chǎn)能將提升300%以上。
時(shí)創(chuàng)意總部大廈引進(jìn)超薄研磨、隱形切割、壓縮塑封和一體化測(cè)試等多項(xiàng)業(yè)界領(lǐng)先工藝技術(shù)。截止目前，時(shí)創(chuàng)意芯片封測(cè)年產(chǎn)能達(dá)300KK，模組制造年產(chǎn)能達(dá)18KK，預(yù)計(jì)未來3至5年，年產(chǎn)能復(fù)合增長(zhǎng)率將超過20%。
近日，時(shí)創(chuàng)意重磅發(fā)布三款全新AI存儲(chǔ)產(chǎn)品及解決方案—超高速PCIe 5.0 SSD、高效能內(nèi)存LPDDR5X以及小尺寸eMMC5.1。其中，S14000 Pro 超高速PCIe 5.0 SSD 采用端到端數(shù)據(jù)保護(hù)及動(dòng)態(tài)寫入加速技術(shù)，支持 APST NVME自主功率狀態(tài)轉(zhuǎn)換以降低能耗，專為 AI 模型訓(xùn)練與數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景設(shè)計(jì)；
LPDDR5X 內(nèi)存實(shí)現(xiàn) 8533Mbps 超高傳輸速率，相較前代產(chǎn)品性能提升33%、功耗降低25%，契合AI PC與手機(jī)的本地化存儲(chǔ)需求；小尺寸eMMC5.1則針對(duì)AI眼鏡、智能手表等智能穿戴設(shè)備輕薄設(shè)計(jì)需求研發(fā)，助力實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)翻譯、場(chǎng)景識(shí)別、AR交互、健康監(jiān)測(cè)等智能化功能，推動(dòng)智能穿戴設(shè)備向更高水平邁進(jìn)。
04、北京君正加速DRAM產(chǎn)品迭代，20nm工藝新品蓄勢(shì)待發(fā)
近期，北京君正于投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，公司正在積極推進(jìn)DRAM產(chǎn)品的更新迭代，采用20nm工藝的新產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在2025年推出樣品，后續(xù)還將陸續(xù)推出更新工藝的DRAM產(chǎn)品。此外，北京君正還計(jì)劃在20nm工藝產(chǎn)品之后，繼續(xù)推進(jìn)更先進(jìn)工藝的DRAM產(chǎn)品研發(fā)。
而在近期接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)，就“目前庫存情況”相關(guān)問詢回應(yīng)稱，計(jì)算芯片在2023年已經(jīng)恢復(fù)到正常水平，存儲(chǔ)芯片備貨較多，我們預(yù)判2025年行業(yè)市場(chǎng)會(huì)逐漸回暖，因此也新增了一定的備貨。
在車規(guī)芯片需求方面，北京君正分析稱，“我們看到的情況是，去年國(guó)內(nèi)車規(guī)市場(chǎng)是增長(zhǎng)的，除了中國(guó)大陸，全球大部分地區(qū)是下降的，今年我們預(yù)計(jì)全球大部分地區(qū)都會(huì)逐漸回暖。”
毛利率方面，北京君正介紹，計(jì)算芯片面向消費(fèi)類市場(chǎng)，毛利率波動(dòng)比較大，去年前三季在30%以上；存儲(chǔ)芯片毛利率在2021年漲價(jià)之前正常情況下在30%出頭或者30%左右，2021年漲價(jià)后有所提高，2022年第四季度逐漸回落，逐漸接近以往的毛利率水平；模擬芯片毛利率基本維持在50%左右，毛利率水平相對(duì)較好。
05、江波龍：擬“A+H”上市，2024年?duì)I收同增72.48%
3月21日，江波龍正式向香港聯(lián)交所遞交了發(fā)行境外上市外資股（H股），并在香港聯(lián)交所主板掛牌上市的申請(qǐng)。
圖片來源：江波龍公告截圖
據(jù)江波龍2024年年度報(bào)告顯示，公司去年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入174.64億元，同比增長(zhǎng)72.48%；凈利潤(rùn)4.99億元，同比增長(zhǎng)160.24%；扣非凈利潤(rùn)為1.67億元，同比增長(zhǎng)118.88%。
目前，江波龍?jiān)诋a(chǎn)品布局上持續(xù)發(fā)力，其首顆32Gbit 2D MLC NAND完成流片驗(yàn)證，覆蓋SLC/MLC多容量產(chǎn)品，適用于網(wǎng)絡(luò)通信、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該公司目前擁有嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)存儲(chǔ)和內(nèi)存條四大產(chǎn)品線，經(jīng)營(yíng)三個(gè)主要品牌，分別是FORESEE、Zilia、雷克沙。
06、銓興科技高端存儲(chǔ)產(chǎn)品及AI超大模型訓(xùn)推一體解決方案亮相
今年3月，銓興科技高端存儲(chǔ)產(chǎn)品及AI超大模型訓(xùn)推一體解決方案對(duì)外亮相，該方案旨在推動(dòng)算力平權(quán)和普惠化發(fā)展，極大助力數(shù)據(jù)價(jià)值釋放。
與此同時(shí)，銓興科技董事長(zhǎng)黃少娃分享了對(duì)AI端側(cè)應(yīng)用爆發(fā)背景下存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的深刻見解，以及銓興科技在高端存儲(chǔ)領(lǐng)域的創(chuàng)新成果。
據(jù)悉，超大模型訓(xùn)推一體解決方案，由“銓興添翼擴(kuò)容卡”和“AI link算法平臺(tái)、訓(xùn)練框架”組成，通過超顯存融合技術(shù)，添翼AI擴(kuò)容卡可將顯存空間擴(kuò)大20倍，減少高階顯卡使用數(shù)量，僅用少量的中階顯卡，結(jié)合AI ?link算法平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)超大模型本地化部署訓(xùn)推降本90%，推理并發(fā)性能提升50%。
此外，銓興科技憑借其在中高端存儲(chǔ)領(lǐng)域的提前布局，推出超大容量122.88TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤，采用PCIe 5.0接口，讀取速度高達(dá)14,000MB/s，相比于傳統(tǒng)SATA eSSD磁碟陣列效能提升28倍，為AI訓(xùn)練推理、大數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)需求賦能。
黃少娃指出，DeepSeek橫空出世推動(dòng)算法平權(quán)，而銓興科技本地化部署降本降能耗解決方案有力推動(dòng)算力平權(quán)。同時(shí)銓興科技的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤和服務(wù)器內(nèi)存等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品賦能AI，存力算力軟硬件超維融合，推動(dòng)全民AI普惠時(shí)代到來。
07、存儲(chǔ)漲價(jià)潮來襲？
結(jié)合半導(dǎo)體行業(yè)供應(yīng)鏈及多家媒體消息，多家NAND閃存原廠已提前布局，計(jì)劃在4月上調(diào)產(chǎn)品報(bào)價(jià)。
據(jù)媒體報(bào)道，此次存儲(chǔ)漲價(jià)事件最早可追溯到今年1月，美光新加坡工廠發(fā)生斷電事故，部分晶圓產(chǎn)能受損。盡管美光未公開說明事故細(xì)節(jié)，但似乎已影響后續(xù)供貨。據(jù)群聯(lián)電子董事長(zhǎng)潘健成3月12日透露，盡管公司已于2024年12月向美光下單采購，但近期美光出現(xiàn)了意外的交付短缺問題。據(jù)供應(yīng)鏈消息透露，目前新訂單價(jià)格平均漲幅約11%。
3月6日，有媒體報(bào)道稱，閃迪（SanDisk）向客戶發(fā)出漲價(jià)函，宣布自2025年4月1日起對(duì)所有面向渠道和消費(fèi)者客戶的產(chǎn)品提價(jià)超過10%。此次調(diào)價(jià)適用于所有渠道，包括消費(fèi)端產(chǎn)品，且閃迪表示后續(xù)季度可能還會(huì)進(jìn)一步提價(jià)。
繼閃迪之后，據(jù)外媒消息，三星電子和SK海力士也計(jì)劃從2025年4月起提高NAND閃存價(jià)格。另外，3月14日，據(jù)市場(chǎng)消息，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的零售品牌致態(tài)計(jì)劃從2025年4月起上調(diào)渠道提貨價(jià)格，漲幅可能超過10%。
最新消息顯示，美光已經(jīng)向客戶發(fā)布漲價(jià)函，該公司指出，目前存儲(chǔ)市場(chǎng)已開始復(fù)蘇，多個(gè)業(yè)務(wù)領(lǐng)域有著超出預(yù)期的需求增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2025年、2026年間持續(xù)成長(zhǎng)，美光決議將調(diào)升產(chǎn)品價(jià)格。
對(duì)于上述漲價(jià)傳聞動(dòng)態(tài)，目前上述相關(guān)廠商還未有公開表態(tài)。
行業(yè)人士表示，存儲(chǔ)市場(chǎng)此番漲價(jià)動(dòng)作可以追溯到2024年三四季度起，那時(shí)三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)五大存儲(chǔ)原廠開始重啟減產(chǎn)措施，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)供過于求的問題。截止至今，市場(chǎng)存儲(chǔ)芯片庫存已逐漸回歸正常水位。
而從需求端來看，近期多家廠商均重申了AI浪潮不斷刺激著高端存儲(chǔ)需求提升。
閃迪全球產(chǎn)品副總裁Eric Spanneut指出，企業(yè)需要為創(chuàng)作者提供適合智能手機(jī)的SSD，提供1TB或者2TB的容量。
鎧俠電子（中國(guó)）副總裁天野竜二指出，隨著中國(guó)和美國(guó)的大型科技公司加大對(duì)AI相關(guān)領(lǐng)域的資本支出，數(shù)據(jù)中心建設(shè)投入也隨之增加，數(shù)據(jù)中心對(duì)NAND閃存的需求非常強(qiáng)勁。鎧俠預(yù)計(jì)，2025年NAND閃存市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)超過10%增長(zhǎng)。
江波龍則稱，展望2025年，預(yù)計(jì)服務(wù)器與車規(guī)級(jí)市場(chǎng)需求有望延續(xù)增長(zhǎng)趨勢(shì)。AI技術(shù)在PC、手機(jī)、智能穿戴等領(lǐng)域加速滲透，消費(fèi)電子市場(chǎng)有望迎來新的復(fù)蘇，并進(jìn)一步推動(dòng)對(duì)更高容量和更高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求。
佰維存儲(chǔ)表示，下一代信息技術(shù)與存儲(chǔ)器技術(shù)發(fā)展密不可分。物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、智能車聯(lián)網(wǎng)、元宇宙等新一代信息技術(shù)既是數(shù)據(jù)的需求者，也是數(shù)據(jù)的產(chǎn)生者。同時(shí)，AI技術(shù)革命將提升對(duì)高端存儲(chǔ)器的需求。
東芯股份則在多個(gè)場(chǎng)合表示，隨著全球AI市場(chǎng)的快速發(fā)展，AI大模型等新興場(chǎng)景的涌現(xiàn)，對(duì)存儲(chǔ)需求的增長(zhǎng)提供了強(qiáng)勁動(dòng)力。存儲(chǔ)技術(shù)更迭和容量提升也將是存儲(chǔ)行業(yè)的趨勢(shì)所在，對(duì)存儲(chǔ)芯片的性能、容量、讀寫速度、體積、功耗等方面都提出了更高的需求。
據(jù)TrendForce集邦咨詢分析3月17到21日的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)顯示，DRAM市場(chǎng)延續(xù)先前的強(qiáng)勢(shì)走勢(shì)，但買盤焦點(diǎn)出現(xiàn)轉(zhuǎn)移，DDR5需求相較上周略有趨緩，買盤明顯集中在DDR4品牌顆粒，尤其是4G/8G的x8與x16顆粒，市場(chǎng)呈現(xiàn)跳空上漲的態(tài)勢(shì)。
總體來看，內(nèi)存和閃存現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格均在上揚(yáng)，內(nèi)存來看，DDR4 1Gx8 3200/2666、DDR4 512x8 2400/2666以及DDR4 512x16 3200/2666部分現(xiàn)貨價(jià)格上揚(yáng)。而NAND Flash現(xiàn)貨市場(chǎng)方面，Wafer及eMMC皆以跳空上漲的態(tài)勢(shì)推進(jìn)，市場(chǎng)價(jià)格不斷墊高。其中eMMC市場(chǎng)買氣持續(xù)熱絡(luò)，4G、8G、16G需求仍強(qiáng)勁，受市場(chǎng)供需失衡影響，現(xiàn)貨商多采取高價(jià)策略，幾乎不給予議價(jià)空間。
盡管如此，部分工廠仍持續(xù)釋出需求，推動(dòng)成交價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng)。供應(yīng)商惜售態(tài)度，買家則在觀望與追價(jià)之間尋找平衡點(diǎn)。SSD原廠通知漲價(jià)及限量后，價(jià)格有所回溫，但消費(fèi)端需求仍需觀察后續(xù)變化。
TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%?！驹斍殚喿x】
NAND Flash領(lǐng)域，隨著減產(chǎn)奏效、買方回補(bǔ)庫存，預(yù)計(jì)2025年第二季NAND Flash價(jià)格將止跌回穩(wěn)，Wafer和Client SSD價(jià)格則是季增?！驹斍殚喿x】
綜上所述，當(dāng)前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)呈現(xiàn)出明顯的供需變化，特別是在AI技術(shù)推動(dòng)下的高端存儲(chǔ)需求增長(zhǎng)，為市場(chǎng)帶來了新的機(jī)遇。
