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根據(jù)Omdia智能手機(jī)初步出貨量統(tǒng)計(jì)，2024年全球的總出貨量提升至12.23億部，與2023年的11.42億部同比增長了7.1%，相比2023年手機(jī)市場(chǎng)有所恢復(fù)。
2024年手機(jī)市場(chǎng)三星、蘋果、小米仍占據(jù)全球前三的市占率。VIVO手機(jī)在2024年選擇中國和印度市場(chǎng)作為核心戰(zhàn)略市場(chǎng)，這兩個(gè)市場(chǎng)占VIVO全球手機(jī)出貨量的77%以上，與2023年同比增長14%。
國內(nèi)手機(jī)品牌的銷售渠道戰(zhàn)略
過去，手機(jī)市場(chǎng)主要圍繞外觀設(shè)計(jì)和硬件配置如處理器、屏幕、電池、攝像等方面開展，2024年人工智能進(jìn)入大眾視野，2025年將快速實(shí)現(xiàn)AI智能體商業(yè)化爆發(fā)元年。智能手機(jī)正加速融合AI大模型技術(shù)如接入DeepSeek大模型，以AI agent智能體為核心的智能形態(tài)推進(jìn)。手機(jī)生態(tài)+AI的創(chuàng)新趨勢(shì)下將為用戶帶來全新的使用體驗(yàn)，如文本處理、影像優(yōu)化、圖像修復(fù)和智能翻譯等更為個(gè)性化的功能，手機(jī)廠商將迎來新的旗艦競(jìng)爭焦點(diǎn)。
閃存市場(chǎng)報(bào)告，2024年AI手機(jī)占比10%，2025年將提升至30%，2026年將增長至50%。
IDC預(yù)計(jì)智能手機(jī)在2025年的增速將會(huì)放緩，因?yàn)檫^去幾年積壓的換機(jī)需求在2024年已經(jīng)逐漸得到釋放。2025年是AI智能體商業(yè)化爆發(fā)元年，手機(jī)市場(chǎng)將迎來新的競(jìng)爭焦點(diǎn)，屆時(shí)將迎來新一輪的換機(jī)新潮，尤其針對(duì)中高端智能機(jī)。
閃存市場(chǎng)報(bào)告，主流旗艦手機(jī)存儲(chǔ)配置為LPDDR5/LPDDR5X+UFS3.1/4.0，存儲(chǔ)容量為8GB/12GB/16GB+128GB/256GB/512GB為主，由于記錄美好生活的影像存儲(chǔ)、游戲、社交APP等存儲(chǔ)需求增加，256GB的手機(jī)存儲(chǔ)容量已成為主流起步配置。
閃存市場(chǎng)報(bào)告，1500-3000價(jià)位的手機(jī)以LPDDR4X+UFS2.2/3.1、LPDDR5+UFS3.1等存儲(chǔ)配置為主，存儲(chǔ)容量均在8GB/12GB+128GB/256GB/512GB為主。
從各手機(jī)機(jī)型存儲(chǔ)配置來看LPDDR+UFS的存儲(chǔ)方案成為手機(jī)廠商的主流選擇。
從智能手機(jī)市場(chǎng)來看，2025年分離式存儲(chǔ)將迎來近12%的增長，成為市場(chǎng)主流。AI智能體的應(yīng)用也加速了高性能LPDDR的需求。
超盈智能深耕存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域14年，在手機(jī)品牌及手機(jī)/MID存儲(chǔ)方案領(lǐng)域擁有成熟的技術(shù)積累和配套方案。旗下KEYMOS科摩思LPDDR4X、LPDDR5/5X和UFS產(chǎn)品在存儲(chǔ)容量、功耗、穩(wěn)定性和兼容性等方面有著顯著優(yōu)勢(shì)，為旗艦AI手機(jī)提供卓越的存儲(chǔ)性能支持。
KEYMOS科摩思LODDR4X嵌入式存儲(chǔ)芯片
KEYMOS科摩思LPDDR4X集成式嵌入式存儲(chǔ)芯片采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)，傳輸速率高達(dá)4266Mpbs，強(qiáng)勁的多任務(wù)處理能力，電壓低至0.6V，低功耗延長設(shè)備續(xù)航時(shí)長，滿足AI手機(jī)對(duì)高性能和低功耗的需求。
KEYMOS科摩思LODDR5/5X嵌入式存儲(chǔ)芯片
旗艦AI手機(jī)對(duì)頂級(jí)配置、創(chuàng)新功能的需求性更高，而KEYMOS科摩思LPDDR5/5X集成式存儲(chǔ)芯片憑借其高性能和高兼容性特點(diǎn)高度契合旗艦AI手機(jī)對(duì)旗艦標(biāo)準(zhǔn)的追求。該產(chǎn)品提供4GB-16GB的存儲(chǔ)容量選擇，采用WCK信號(hào)設(shè)計(jì)可顯著提高數(shù)據(jù)傳輸效率，速率高達(dá)8533Mbps，同時(shí)工作電壓低至0.5V。高性能低功耗的同時(shí)，賦能AI手機(jī)實(shí)現(xiàn)快速影像識(shí)別及處理、多任務(wù)流暢運(yùn)行，為用戶帶來極致的使用體驗(yàn)。
KEYMOS科摩思UFS嵌入式存儲(chǔ)芯片
不少旗艦手機(jī)選擇POP+UFS分離式存儲(chǔ)方案，因其在散熱性能和良率方面優(yōu)于集成式eMCP/uMCP。KEYMOS科摩思UFS分離式存儲(chǔ)芯片提供UFS2.2和UFS3.1兩種方案，支持128GB-1TB的高容量選擇，電壓低至1.2V。通過多通道數(shù)據(jù)傳輸和并發(fā)操作，采用命令調(diào)度和隊(duì)列管理等技術(shù)，UFS存儲(chǔ)芯片的順序讀取速度高達(dá)2000MB/s，大大提升AI手機(jī)的響應(yīng)讀速，滿足旗艦手機(jī)對(duì)高容量和極致流暢體驗(yàn)的嚴(yán)苛需求。
在AI大模型和AI智能體生態(tài)應(yīng)用的推動(dòng)下，閃存行業(yè)將迎來市場(chǎng)增長的新機(jī)遇。據(jù)IDC預(yù)測(cè)，2025年AI智能手機(jī)銷量將同比增長73.1%，并推動(dòng)LPDDR5X容量相較2024年旗艦機(jī)型增長50%-100%。隨著“AI+生態(tài)”的不斷拓展與創(chuàng)新，新的智能體應(yīng)用迅速普及，用戶習(xí)慣也將以迅雷不及掩耳之勢(shì)形成并深化。
