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近期，國內(nèi)新增3個GaN項目動態(tài)，覆蓋“襯底-外延-芯片-模組”四大環(huán)節(jié)：
鎵奧科技：GaN項目落地浙江
2月25日，據(jù)“德清組工”官微透露，“中大功率氮化鎵芯片及其模組”總部項目已落戶浙江市德清縣，其主體為湖州鎵奧科技有限公司。
文章進一步透露，鎵奧科技成立于2024年11月，是一家專注于氮化鎵功率器件及其模組研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的創(chuàng)新型企業(yè)，團隊核心技術(shù)為“國產(chǎn)替代”氮化鎵中大功率芯片和“國產(chǎn)設計”中大功率模組，并擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先地位，主要應用領(lǐng)域為人工智能和新能源兩大賽道。
目前，鎵奧科技在中大功率氮化鎵（GaN）領(lǐng)域有以下技術(shù)路線：
首先，鎵奧科技致力于推動中大功率氮化鎵芯片的國產(chǎn)化替代，并采用創(chuàng)新的負壓直驅(qū)架構(gòu)。該架構(gòu)在可靠性上優(yōu)于現(xiàn)有的E-mode架構(gòu)（增強型），同時在高頻特性上超越了Cascode架構(gòu)（級聯(lián)型），從而確保其能夠制造出全球領(lǐng)先的高性能GaN芯片。
其次，鎵奧科技專注于中大功率氮化鎵模組的國產(chǎn)化替代，通過實現(xiàn)功率芯片與控制芯片的國產(chǎn)化，以及從芯片到模組的全流程設計優(yōu)化，有利于加快技術(shù)迭代與增強性價比優(yōu)勢，為國產(chǎn)AI產(chǎn)業(yè)和新能源產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展提供了強有力的支持。
值得關(guān)注的是，鎵奧科技研發(fā)的新國標電動自行車智能充電樁采用第三代半導體氮化鎵技術(shù)，優(yōu)勢顯著，其產(chǎn)品已落地見效。該充電樁采用交直流一體設計，能直接輸出低壓直流電，充電安全可靠，還具備多種電池保護功能。
全磊光電：GaN項目開工奠基
近日，據(jù)“投資廈門”官網(wǎng)報道，廈門市組織了重大項目集中開工活動，共有77個重大項目集中開工，總投資775億元。其中包括1個氮化鎵項目。
該項目為全磊光電化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，位于火炬（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)，由全磊光電股份有限公司投建，計劃采購金屬有機化學氣相沉積設備等主要生產(chǎn)工藝設備、測試設備和配套設備設施，生產(chǎn)化合物半導體外延片/芯片產(chǎn)品。
項目建成投產(chǎn)后，全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵和磷化銦基外延片產(chǎn)品，逐步拓展至氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品，并應用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領(lǐng)域。
官網(wǎng)顯示，全磊光電成立于2016年，專注化合物半導體外延片材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要為光電子和微電子行業(yè)客戶提供光通信、數(shù)據(jù)中心、智能傳感等應用的高品質(zhì)外延片，在廈門總部建有化合物半導體研發(fā)中心和生產(chǎn)制造基地。
國鎵芯科：GaN項目已竣工驗收
近期，據(jù)某建設項目環(huán)境信息公示平臺文件透露，由雅安國鎵芯科半導體科技有限公司建設的氮化鎵生產(chǎn)基地項目（一期）已通過竣工環(huán)境保護驗收，建成投產(chǎn)后將生產(chǎn)氮化鎵襯底。
文件表明，該項目總投資為2700 萬元，位于四川省雅安市，主要建設內(nèi)容包括生產(chǎn)車間（生長區(qū)、HVPE區(qū)、裝料取晶區(qū)）、原料儲存區(qū)等配套工程，于 2024 年 1 月 1 日開工建設，2024 年 5 月10 日建成，投產(chǎn)后將形成年產(chǎn)單晶氮化鎵襯底數(shù)千片的生產(chǎn)能力。
資料顯示，國鎵芯科成立于2022年6月，國鎵芯科董事長喬焜博士在日本東北大學多元物質(zhì)科學研究所長期從事氨熱法氮化鎵單晶生長研究，掌握氮化鎵結(jié)晶速度優(yōu)化、高品質(zhì)氮化鎵自發(fā)核結(jié)晶等核心技術(shù)。2020 年到 2022 年，國鎵芯科完成了技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)驗證，具備產(chǎn)業(yè)化條件。
