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最近2個月，一家上市國產(chǎn)公司的DSP文章滿天飛，大招放了又放，各路朋友微信小二聽過沒有，怎么樣...
小二其實很簡單，看規(guī)格和文檔質量就好了；發(fā)現(xiàn)沒有任何資料后，小二內心一顫，還真是敢玩啊
也許對于這家公司的高層來說，這種營銷的感覺是一魚三吃：
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- 上市公司的市值管理，畢竟每年虧這么多，不放新聞怎么割韭菜
- 控股的公司需要下一輪融資，也是為下一次融資站臺
- 廣而告之，獲客，也是為下一次融資鋪墊
小二在看完朋友發(fā)個我的手冊之后，內心是：
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- 不負責任的推銷
- 無風險管理意識的管理
為什么是這個感覺，小二結合DeepSeek給你分析
手冊宣稱通過了AEC-Q100認證，Grade 1
問題：汽車MCU芯片，Grade 1標準 ，可以選用結溫度85°C下保持10年的Flash IP嗎？
DeepSeek：
汽車MCU芯片的Grade 1標準要求芯片在-40°C到125°C的環(huán)境溫度下正常工作，且需具備高可靠性和長壽命。對于Flash IP的選擇，結溫度（Tj）85°C下保持10年的要求是否適用，需考慮以下幾點：
Grade 1標準：Grade 1要求芯片在高溫環(huán)境下（如125°C）仍能穩(wěn)定運行，因此Flash IP的耐久性和數(shù)據(jù)保持能力需滿足這一標準。
結溫度（Tj）：結溫度是芯片內部的實際工作溫度，通常高于環(huán)境溫度。若Flash IP在Tj=85°C下能保持10年，需評估其在更高環(huán)境溫度下的表現(xiàn)是否仍能滿足Grade 1要求。
可靠性要求：汽車電子對可靠性要求極高，F(xiàn)lash IP需在高溫、高濕、振動等條件下保持穩(wěn)定，且耐久性（如擦寫次數(shù)）和數(shù)據(jù)保持能力需滿足汽車應用的需求。
供應商認證：選擇Flash IP時，需確保供應商通過相關汽車電子認證（如AEC-Q100），并能在Grade 1條件下提供可靠的性能數(shù)據(jù)。
結論：僅憑Tj=85°C下保持10年的數(shù)據(jù)，無法直接判斷該Flash IP是否滿足Grade 1要求。需進一步評估其在更高溫度下的性能，并結合供應商的認證和可靠性數(shù)據(jù)進行綜合判斷。建議與供應商溝通，確保其產(chǎn)品符合Grade 1標準。
小二思考：
AEC-Q100 Grade對環(huán)境溫度要求是125°C環(huán)境溫度，一般結溫度至少135°C，一家AEC-Q100的數(shù)據(jù)手冊里面寫85°C的結溫度，從哪個角度都說不過去；
問題：AEC-Q100 Grade 1測試對于芯片批次數(shù)目和芯片數(shù)目的總要求
DeepSeek：此處省略錯誤的分析過程
總結
AEC-Q100 Grade 1測試要求至少3個生產(chǎn)批次，每個批次至少77顆芯片，總計至少231顆芯片。這些要求旨在確保芯片在不同生產(chǎn)批次和嚴苛環(huán)境下的可靠性和一致性。
小二明確指出DeepSeek的結果錯誤，開啟了深度思考模式和聯(lián)網(wǎng)模式
問題：因為AEC-Q100的實驗有很多類別，不同類別的芯片需求數(shù)不一樣，所以你的一個批次只需要77顆是錯的。你能找到更詳細的測試規(guī)范并更新結果嗎
DeepSeek也是更正了答案：
根據(jù)AEC-Q100標準的具體測試規(guī)范，不同測試序列和測試項目對芯片樣本數(shù)量的要求確實存在顯著差異，并非所有測試均固定為每批次77顆。以下是基于最新搜索結果的詳細分析及更新后的結論：
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1. 批次與樣本數(shù)量的核心規(guī)則
至少3個獨立生產(chǎn)批次：所有測試樣品必須來自3個不同的生產(chǎn)批次（Lot），以確保工藝穩(wěn)定性和結果代表性。
樣本數(shù)量因測試組而異：不同測試序列（Group A-G）中的具體測試項目對樣本量的要求不同，部分測試需要多個批次的樣本疊加，部分測試僅需單一批次。
2. 關鍵測試組的樣本數(shù)量要求
以下列舉部分測試組的具體樣本要求（以Grade 1為例）：
測試組A（環(huán)境壓力加速測試）
A1預處理（PC）：每個批次77顆，總計231顆（3批×77）。
A2溫濕度偏壓（THB/HAST）**：每個批次77顆。
A3高壓/無偏壓測試（AC/UHST）**：每個批次77顆。
A4溫度循環(huán)（TC）：每個批次77顆。
A5功率溫度循環(huán)（PTC）：每個批次45顆，總計135顆（3批×45）。
A6高溫存儲壽命（HTSL）：每個批次45顆。
測試組B（使用壽命模擬測試）
省略...
測試組C（封裝組裝完整性測試）
省略...
測試組G（腔體封裝完整性測試）
省略...
3. 總樣本量的復雜性
無法統(tǒng)一計算：由于不同測試項目對批次和樣本量的要求差異較大，總樣本量需根據(jù)具體測試組合累加。例如：
ELFR測試（B2）：單批次800顆。
VFV測試（G2）：單批次15顆。
HTOL測試（B1）：3批次共231顆。
部分測試需跨批次：如序列A中的某些測試需從3個獨立批次各抽取77顆，而序列B的ELFR僅需單批次。
4. 核心原則與零失效要求
零失效（Zero Defect）：所有測試項目均要求樣本在測試后無任何功能或性能失效。
測試條件適配性：樣本量和測試時間需根據(jù)芯片的Grade等級（如Grade 1或Grade 2）調整。例如，Grade 1的HTOL測試需在125°C下進行1000小時，而Grade 2可能縮短至408小時。
5. 總結與建議
1. 具體測試決定樣本量：芯片廠商需根據(jù)AEC-Q100的測試清單（如Group A-G的42項測試）逐項核對樣本要求，而非統(tǒng)一按每批次77顆計算。
2. 重點關注高樣本量測試：如ELFR（800顆）、HTOL（231顆）等，可能成為資源投入的重點。
3. 供應商與實驗室協(xié)作：建議與認證實驗室（如賽寶實驗室、華南檢測等）合作，針對具體芯片類型定制測試方案。
如需完整的測試項目與樣本量對照表，可參考AEC-Q100 Rev-H標準文檔或聯(lián)系專業(yè)檢測機構獲取詳細數(shù)據(jù)。
小二思考：
AEC-Q100 Grade 1 要求不高，也不低，但是一個初創(chuàng)公司的產(chǎn)品，需要在剛剛量產(chǎn)后通過AEC-Q100認證，基本是不可能的，因為一個批次的投片生產(chǎn)周期基本也是4個月+的時間；三個批次全部投片完成，基本也需要半年時間了；
很多公司會宣傳符合AEC-Q100要求，但是敢隨意寫通過AEC-Q100認證的，小二是長見識了；也是歡迎這家公司能夠曬出AEC-Q100證書排疑；
小二專門看了下手冊里面的功耗數(shù)據(jù)，全是空白！一個宣傳過了AEC-Q100的芯片功耗數(shù)據(jù)全是空白，等同于什么呢...? 不敢想象給客戶帶來的風險得有多高....
問題：MCU滿足ISO26262 ASIL-B要求，F(xiàn)lash及SRAM是否需要做ECC
DeepSeek：
根據(jù)ISO 26262標準的要求，MCU芯片若需滿足ASIL-B功能安全等級，其Flash（閃存）和SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）通常需要支持ECC（糾錯碼）機制，以應對隨機硬件失效風險。以下是具體分析：
省略....
5. 總結與建議
ASIL-B推薦支持ECC：從實際產(chǎn)品設計和認證案例看，支持ECC是滿足ASIL-B要求的典型方案，尤其是Flash和SRAM等關鍵存儲器。
需結合安全分析：是否采用ECC需通過危害分析與風險評估（HARA）確定，確保所有潛在失效模式均被覆蓋。
供應商選擇：建議優(yōu)先選擇已通過ASIL-B認證且明確支持ECC的MCU產(chǎn)品，以降低開發(fā)風險。
如需進一步驗證，可參考ISO 26262-5:2018中關于硬件安全機制的說明，或聯(lián)系認證機構（如DEKRA、TüV等）獲取詳細要求。
小二思考：
從手冊資料看，沒有Flash支持ECC的介紹，SRAM也不全支持ECC，這不是說過不了認證，但是Flash如此重要的存儲不支持ECC，確實會需要選擇時候多思考一些；
再挑一個數(shù)據(jù)吧，DSP芯片很重要的采樣單元ADC，德州儀器的C2000系列的ADC，2.5V內部參考下，ENOB基本是11bit， 這家公司同等條件，大概在10.5bit左右，然而小二也是第一次見到，最低采樣電壓竟然不支持0V... 小二又一次被深深的觸動到了....
小二基本就是我操，我操，我操的感受中看完了這家公司的手冊...特留文章；
你是要憑的軟文把C2000的硬貨和硬文章干下去嗎？
支持的點個贊，自媒體寫實話，真的需要鼓勵...
