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主要設(shè)計(jì)差異
電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)是一種在效率、尺寸和成本之間的折衷設(shè)計(jì)。但這種折衷的基礎(chǔ)是首先要滿足輸出負(fù)載動(dòng)態(tài)響應(yīng)規(guī)格。輸出動(dòng)態(tài)負(fù)載響應(yīng)性能是判斷電源設(shè)計(jì)好壞的主要標(biāo)準(zhǔn)。
1、基于DCDC轉(zhuǎn)換器的輸出
FDD（Frequency Division Duplex，頻分雙工）模式相對(duì)是靜態(tài)負(fù)載
TDD（Time Division Duplex，時(shí)分雙工）模式是動(dòng)態(tài)負(fù)載，從0到滿載。
2、影響動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能的關(guān)鍵因素
電源轉(zhuǎn)換器的輸出阻抗，越低越好。
電源轉(zhuǎn)換器的控制環(huán)路交叉頻率，越高越好。
3、要求：
對(duì)于輸出動(dòng)態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)格，如果未特別說(shuō)明，峰值電壓偏差應(yīng)在±3%*Vo以內(nèi)。FDD模式的測(cè)試條件是使用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格：25%-75%負(fù)載瞬變，0.1A/μs的負(fù)載斜率率進(jìn)行驗(yàn)證。
對(duì)于TDD模式，將使用0-100%負(fù)載瞬變，4A/μs的負(fù)載斜率率進(jìn)行驗(yàn)證。
4、TDD與FDD之間的設(shè)計(jì)差異
TDD模式需要更多的輸出電容器（以控制峰值電壓偏差）
TDD模式需要更高的控制環(huán)路交叉頻率（以縮短穩(wěn)定時(shí)間和控制峰值電壓偏差）。
具體解釋請(qǐng)參見(jiàn)表格1
最初為T(mén)DD設(shè)計(jì)的直流轉(zhuǎn)換器可以可靠地用于FDD；但最初為FDD設(shè)計(jì)的轉(zhuǎn)換器，需要驗(yàn)證或優(yōu)化設(shè)計(jì)才能用于TDD。
5、其他設(shè)計(jì)考慮
TDD模式更像是一個(gè)振蕩激勵(lì)源，可能容易引發(fā)輸入電壓諧振：
（1）熱插拔諧振問(wèn)題，特別是在電力線干擾（PLD）和雷電情況下。（2）輸入欠壓鎖定（UVLO）故障觸發(fā)問(wèn)題。（3）縮短鋁電解電容器的使用壽命（由于更大的瞬態(tài)充放電電流）。
6、PAVDD（可能是指某種電源軌或電壓）過(guò)流保護(hù)（OCP）觸發(fā)點(diǎn)設(shè)置：
對(duì)于FDD，為平均功率Po_average的1.2-1.3倍；
對(duì)于TDD，為平均功率Po_average的1.7-1.9倍。
基本上，TDD產(chǎn)品的電源組件設(shè)計(jì)裕量大于FDD，這可能導(dǎo)致成本和尺寸的增加。
例如：平均功率為1000W的PAVDD轉(zhuǎn)換器，50Vo*20A：
FDD：輸出電感器/MOSFET需要處理24A-26A，輸入電感器/MOSFET需要處理33.3A-36.1A（-36Vin）
TDD：輸出電感器/MOSFET需要處理34A-38A，輸入電感器/MOSFET需要處理47.2A-52.7A（-36Vin）
最壞情況：電感器尺寸加倍/MOSFET數(shù)量加倍，成本加倍。
圖1. 階躍負(fù)載的動(dòng)態(tài)響應(yīng)表1
大致上，Cout（輸出電容）、峰值電壓偏差和環(huán)路交叉頻率之間的關(guān)系
其中：Cout代表輸出電容，為了減少電壓偏差，可以增加輸出電容Cout或減小環(huán)路響應(yīng)時(shí)間t(response)；△V代表峰值電壓偏差；△Io代表輸出電流的變化；t(response)代表轉(zhuǎn)換器環(huán)路響應(yīng)時(shí)間，基本上，這個(gè)時(shí)間取決于環(huán)路交叉頻率，通常在2到10個(gè)開(kāi)關(guān)周期之間。
注意：此處忽略了輸出電容的等效串聯(lián)電阻（ESR）和等效串聯(lián)電感（ESL）。
