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近日包括士蘭集宏、安意法半導(dǎo)體兩條8英寸碳化硅產(chǎn)線迎來最新進(jìn)展。其中值得注意的是，2025年被業(yè)界稱作 “8英寸碳化硅元年”，這一年是全球8英寸碳化硅芯片廠試產(chǎn)與量產(chǎn)爬坡的攻堅之年。當(dāng)下，終端應(yīng)用降本需求愈發(fā)強(qiáng)勁，8英寸碳化硅的價值也隨之水漲船高。
1、士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目預(yù)計今年一季度封頂，四季度通線
近日據(jù)廈門日報消息，士蘭微旗下士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目有了最新進(jìn)展。目前該項目一期正在進(jìn)行上部結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計將在2025年一季度封頂，四季度末初步通線，2026年一季度進(jìn)行試生產(chǎn)。
據(jù)悉，該項目是繼士蘭集科12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線和士蘭明鎵先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線后，士蘭微落地廈門的第三個重大項目，總投資120億元，總建筑面積23.45萬平方米，分兩期建設(shè)。其中，一期項目總投資70億元，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片8英寸碳化硅功率器件芯片。兩期全部建成投產(chǎn)后，將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。
目前碳化硅芯片目前已被廣泛應(yīng)用在新能源汽車、光儲充、軌道交通以及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域，其中，新能源汽車是當(dāng)前碳化硅芯片最大規(guī)模的應(yīng)用市場。士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目建成后，一方面有助于提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，另一方面可以滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有望向更多應(yīng)用領(lǐng)域提供碳化硅芯片產(chǎn)品。
據(jù)相關(guān)環(huán)保網(wǎng)披露文件顯示，在更早的2024年11月25日，士蘭明鎵二期項目碳化硅（SiC）功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已驗收。該項目依托現(xiàn)有廠房，新增一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品。項目新增SiC產(chǎn)能規(guī)模為MOSFET芯片28.8萬片/年、SBD芯片28.8萬片/年，同時減少GaN外延的藍(lán)綠光LED芯片57.6萬片/年（其外延產(chǎn)能不變，多余外延片外售）、總共為芯片產(chǎn)能672萬片（等效2英寸）。
2、安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項目預(yù)計2月底實現(xiàn)通線投產(chǎn)
近日據(jù)西永微電園官微消息，在西部（重慶）科學(xué)城微電園，安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項目正在進(jìn)行最后的設(shè)備安裝調(diào)試。
隨著設(shè)備的調(diào)試完成，預(yù)計到2025年2月底，生產(chǎn)線將通線并開始投片生產(chǎn)，并將在三季度末實現(xiàn)大規(guī)模的批量生產(chǎn)。
據(jù)悉，這條8英寸碳化硅襯底和晶圓制造線，投產(chǎn)后將為新能源汽車、電力網(wǎng)、鐵路運(yùn)輸?shù)阮I(lǐng)域提供基于碳化硅的產(chǎn)品。
安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項目是三安光電和意法半導(dǎo)體在重慶合資建設(shè)的8英寸碳化硅芯片廠，該項目預(yù)計投資總額達(dá)32億美元（約233.6億人民幣），規(guī)劃年產(chǎn)8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片，預(yù)計將于2028年全面達(dá)產(chǎn)。
隨著安意法半導(dǎo)體項目建成投產(chǎn)，有助于滿足新能源汽車市場日益增長的碳化硅功率器件產(chǎn)品需求，三安光電也有望借助該項目進(jìn)一步加強(qiáng)車用碳化硅細(xì)分領(lǐng)域布局。
3、2025年8英寸碳化硅元年強(qiáng)勢而來
TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，碳化硅從6英寸升級到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但可以提升芯片產(chǎn)量，8英寸能夠生產(chǎn)的芯片數(shù)量約為6英寸碳化硅晶圓的1.8倍，向8英寸轉(zhuǎn)型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同時，8英寸襯底厚度增加有助于在加工時保持幾何形狀，減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底能夠大幅降低單位綜合成本。
從2023年至今，在襯底和外延端，我國已有寧波合盛新材、天岳先進(jìn)、科友半導(dǎo)體、世紀(jì)金芯、青禾晶元、天域半導(dǎo)體、?？瓢雽?dǎo)體、瀚天天成、南京百識電子等企業(yè)先后披露了8英寸碳化硅材料的最新突破。
我國碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展迅速，市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，其中在上游碳化硅襯底和外延制備技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展，不斷縮小與國際先進(jìn)水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國際大廠還存在較大差距。目前我國有披露相關(guān)投產(chǎn)動態(tài)的8英寸碳化硅器件產(chǎn)線主要是士蘭微、芯聯(lián)集成、湖南三安、方正微四條產(chǎn)線。士蘭微8英寸碳化硅器件產(chǎn)線上述已說明，其他三條產(chǎn)線投產(chǎn)時間和產(chǎn)能情況如下。
1、芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產(chǎn)線已于2024年通線
2024年4月20日，芯聯(lián)集成表示其8英寸碳化硅工程批已順利下線。據(jù)悉，芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅產(chǎn)線計劃總投資金額為9.61億元，全面建成后將形成6/8英寸碳化硅晶圓6萬片/年的生產(chǎn)規(guī)模。
目前芯聯(lián)集成計劃加快推動國內(nèi)首條8英寸SiC MOSFET生產(chǎn)線建設(shè)，爭取在2025年內(nèi)提早實現(xiàn)量產(chǎn)，成為國內(nèi)首家實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)的8英寸SiC MOSFET企業(yè)。
2、湖南三安投產(chǎn)在即，將正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整合制造商
7月24日，湖南三安半導(dǎo)體舉行芯片二廠M6B設(shè)備入場儀式。據(jù)悉，湖南三安SiC項目總投資高達(dá)160億人民幣，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。項目達(dá)產(chǎn)后，將具備年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓、48萬片8英寸SiC晶圓的制造能力。
此前官方表示，預(yù)計到2024年12月，M6B將實現(xiàn)點(diǎn)亮通線，8英寸SiC芯片將正式投產(chǎn)，湖南三安半導(dǎo)體正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整合制造商。
3、方正微電子8英寸碳化硅產(chǎn)線原預(yù)計2024年年底通線
據(jù)方正微電子副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華介紹，方正微電子作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM企業(yè)，當(dāng)前有兩個fab。其中，F(xiàn)ab1當(dāng)前已實現(xiàn)SiC產(chǎn)能9000片/月（6英寸），預(yù)計2024年底產(chǎn)能將達(dá)到1.4萬片/月，2025年將具備16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力，GaN當(dāng)前產(chǎn)能4000片/月；Fab2的8英寸SiC生產(chǎn)線將于2024年底通線，長遠(yuǎn)規(guī)劃產(chǎn)能6萬片/月。
據(jù)悉，2021年，深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司（下文簡稱“深重投”）成功入主方正微電子，將公司納入深圳集成電路產(chǎn)業(yè)“比學(xué)趕超”發(fā)展戰(zhàn)略的重要產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，導(dǎo)入全球尖端科技資源，助力戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，致力于將方正微電子打造為國家第三代半導(dǎo)體制造高地。
