1502
SK海力士決定采用3納米代工工藝生產(chǎn)明年下半年量產(chǎn)的定制化HBM4，全力進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)。這意味著該公司將集中精力開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)具有 NVIDIA 和 Google 等美國(guó)人工智能 (AI) 加速器公司所尋求的最佳規(guī)格的產(chǎn)品。換句話說(shuō)，這意味著他們將放棄低性能HBM市場(chǎng)。
隨著美國(guó)商務(wù)部12越2日正式禁止HBM對(duì)華出口，眾所周知，對(duì)華出口量超過(guò)SK海力士的三星電子也正在竭盡全力通過(guò)提高HBM4性能來(lái)吸引美國(guó)企業(yè)作為客戶。有預(yù)測(cè)稱，SK海力士與三星電子之間圍繞HBM4的技術(shù)開(kāi)發(fā)競(jìng)爭(zhēng)將會(huì)加劇。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士3日透露，SK海力士決定采用定制化的3納米代工工藝和通用化的12納米代工工藝來(lái)生產(chǎn)與臺(tái)積電共同開(kāi)發(fā)的第6代HBM（HBM4）的基礎(chǔ)芯片。最初，SK海力士考慮將5nm工藝應(yīng)用于定制HBM，臺(tái)積電去年5月在荷蘭阿姆斯特丹舉行的“臺(tái)積電歐洲技術(shù)研討會(huì)”上宣布，將采用12納米（通用）和5納米（定制）工藝進(jìn)行HBM4基片生產(chǎn)。
在 HBM4 中，基礎(chǔ)芯片是連接圖形處理單元 (GPU) 和 HBM 的關(guān)鍵組件。直到HBM3E，內(nèi)存制造商SK Hynix自己制作了基礎(chǔ)模具，但從HBM4開(kāi)始，需要精細(xì)加工，因此需要與代工公司合作?？紤]到HBM4的性能很大程度上取決于基礎(chǔ)芯片的制造方式，SK海力士決定采用與臺(tái)積電共同開(kāi)發(fā)的最佳工藝。據(jù)了解，與5nm相比，使用3nm工藝制造的性能可提高20-30%。
目前，蘋(píng)果iPhone和MacBook中使用的最新半導(dǎo)體均采用臺(tái)積電3nm工藝量產(chǎn)。Nvidia的GPU采用4nm工藝生產(chǎn)。由于采用3nm工藝，明年發(fā)布的定制版HBM4預(yù)計(jì)將比HBM3E在性能、功耗等各方面都有大幅升級(jí)。
SK海力士之所以采用3nm工藝，是為了響應(yīng)NVIDIA等客戶的需求。NVIDIA正在以“大手筆”采購(gòu)SK海力士的大部分產(chǎn)品。在 NVIDIA 要求 HBM4 供應(yīng)計(jì)劃提前約六個(gè)月后，SK 海力士最近提高了生產(chǎn)速度。SK 海力士計(jì)劃通過(guò)盡快提供具有最高性能的定制 HBM 來(lái)進(jìn)一步加強(qiáng)與 NVIDIA 的蜜月關(guān)系。
預(yù)計(jì)明年下半年開(kāi)放的定制化 HBM4 市場(chǎng)將更加激烈，內(nèi)存廠商之間的性能競(jìng)爭(zhēng)將更加激烈。為了繼續(xù)保持領(lǐng)先地位，SK 海力士正在鞏固與臺(tái)積電和 NVIDIA 的聯(lián)盟。
定制HBM市場(chǎng)被認(rèn)為是存儲(chǔ)器公司之間最大的戰(zhàn)場(chǎng)。SK海力士和三星電子在去年9月的Semicon Taiwan 2024上推出“定制化HBM”作為搶占AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。這是因?yàn)?，AI時(shí)代內(nèi)存市場(chǎng)的最終贏家很可能將取決于誰(shuí)能快速提供最高性能的定制化HBM4。
據(jù)了解，三星電子已決定采用4nm工藝進(jìn)行定制化HBM。不過(guò)，隨著SK海力士決定采用3nm工藝，有分析稱三星電子也有可能通過(guò)使用臺(tái)積電的3nm工藝及其代工廠進(jìn)行反擊。
