晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響？

知識星球（星球名：芯片制造與封測技術(shù)社區(qū)，星球號：63559049）里的學(xué)員問：溫度能影響干法刻蝕的哪些方面？麻煩講一講表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。

聚合物沉積?

工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在表面沉積，影響刻蝕速率和選擇性。溫度影響聚合物的沉積速率和穩(wěn)定性，高溫可使沉積層分解或減少，低溫則會增加聚合物沉積。

選擇性?

刻蝕材料和掩膜材料的選擇性對溫度非常敏感。溫度過高會降低刻蝕選擇性，因為刻蝕速率加速會同時刻蝕掩膜。

光刻膠

光刻膠流動在高溫下，光刻膠會發(fā)生軟化、流動甚至起泡，導(dǎo)致形貌失真。

產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率?

溫度影響化學(xué)反應(yīng)的副產(chǎn)物揮發(fā)性，高溫下副產(chǎn)物更易揮發(fā)，有助于提高刻蝕速率。而低溫會導(dǎo)致副產(chǎn)物殘留，降低刻蝕效率。

刻蝕形貌

刻蝕溫度接近材料的玻璃化溫度 (Tg)，表面形貌均勻。刻蝕溫度遠低于玻璃化溫度，表面刻蝕不均勻，且粗糙度較大。

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