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晶圓級封裝是一種先進的半導體封裝技術，被廣泛應用在存儲器、傳感器、電源管理等對尺寸和成本要求較高的領域中。在這些領域中，這種技術能夠滿足現(xiàn)代對電子設備的小型化、多功能、低成本需求，為半導體制造商提供了創(chuàng)新的解決方案，更好地應對市場的需求和挑戰(zhàn)。
晶圓級封裝技術有兩種不同的封裝方式，一種是扇入型封裝，一種是扇出型封裝。下面我們就來深入探討一下這兩種不同封裝方式的特點和對應的封裝工藝。
扇入型晶圓級封裝（FIWLP）
小尺寸芯片的互聯(lián)
直接在晶圓上進行大部分或全部的封裝、測試程序，然后再進行安裝焊球并切割，從而產出一顆顆的IC成品單元。該種方式適用于I/O數(shù)量相對較少的芯片，因為其空間受限于芯片尺寸，相對來說減少了工藝成本。
工藝流程
??從晶圓代工廠（Foundry）生產完成的晶圓（Wafer）經過測試后進入生產線
??為了將晶圓上的接口（I/O）引出至方便焊接的位置，在晶圓上通過金屬布線工藝制作再布線層（RDL）
??為使芯片成品更輕薄，對晶圓進行減薄加工
? 之后在再布線層（RDL）所連接的金屬焊盤上進行植球，方便后續(xù)芯片在印刷電路板（PCB）上的焊接，最后將晶圓進行切割，以得到獨立的芯片
??芯片產品通過最終測試后，即可出廠成為芯片成品
扇出型晶圓級封裝（FOWLP）
高性能芯片的擴展
扇出型晶圓級封裝技術無需使用中介層或硅通孔（TSV），即可實現(xiàn)外形尺寸更小芯片的封裝異構集成。在扇出型晶圓級封裝技術的加持下，具有成千上萬I/O點的半導體器件可通過兩到五微米間隔線實現(xiàn)無縫連接，從而使互連密度最大化。
工藝流程
??從晶圓代工廠（Foundry）生產完成的晶圓（Wafer）經過測試后進入生產線類似傳統(tǒng)封裝，扇出型封裝第一步也需要將來料晶圓切割成為裸晶。
??扇出型封裝的主要特點是將切割后的裸晶組合成為重構晶圓，與來料晶圓相比，重構晶圓上裸晶之間的距離相對更大，因此方便構造單位面積更大，輸入輸出（I/O）更多的芯片成品。
??塑封、去除載片：完成重構晶圓的貼片后，對重構晶圓進行塑封以固定和保護裸晶。然后將重構晶圓載片移除，從而將裸晶對外的輸入輸出接口（I/O）露出。
??制作再布線層：為了將裸晶上的接口（I/O）引出至方便焊接的位置，在晶圓上通過金屬布線工藝制作再布線層（RDL）。
??晶圓減薄：為使芯片成品更輕薄，對晶圓進行減薄加工。
??植球：在再布線層（RDL）所連接的金屬焊盤上進行植球，方便后續(xù)芯片在印刷電路板（PCB）上的焊接。
??晶圓切割、芯片成品：最后將重構晶圓進行切割，以得到獨立的芯片。
隨著技術的發(fā)展，這兩種晶圓級封裝方式也在不斷創(chuàng)新和優(yōu)化，以滿足日益增長的性能和市場需求。長電科技在提供全方位的晶圓級技術解決方案平臺方面處于行業(yè)領先地位，提供的解決方案包括扇入型晶圓級封裝（FIWLP）、扇出型晶圓級封裝（FOWLP）、集成無源器件（IPD）、硅通孔（TSV）、包封芯片封裝（ECP）、射頻識別（RFID）。
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