芯耀
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2024回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進步？出現了哪些變化？2024將迎來哪些新機遇和新挑戰(zhàn)？為更好地解讀產業(yè)格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。本期嘉賓是北方華創(chuàng)LED行業(yè)及化合物發(fā)展部總經理?李仕群。接下來還將有更多的領軍企業(yè)參與《行家瞭望》，敬請期待。
SiC設備出貨量超4000臺?GaN設備獲大規(guī)模應用
行家說三代半：過去一年，貴公司主要做了哪些關鍵性工作？
李仕群：我們注意到2023年SiC產線遍地開花，產品成本降低，良率提升，性能變得更加穩(wěn)定可靠，國產SiC芯片也開始了上車驗證。
為了滿足市場需求，北方華創(chuàng)在化合物領域持續(xù)創(chuàng)新，2023年北方華創(chuàng)著重投入化合物半導體機臺開發(fā)，在SiC方面，打造出長晶、外延和芯片的整體解決方案，大部分產品成為了SiC行業(yè)新建線首選。
目前，SiC領域累計出貨量超過4000臺，在2023年全年出貨方面， SiC長晶爐出貨超1000臺，外延爐出貨超100臺，芯片前道設備出貨超100臺。同時，我們也布局了適用于6寸和8寸的SiC長晶爐、外延爐、全系列刻蝕設備、PECVD、PVD、高溫爐管、立式爐的全面解決方案。
行家說三代半：2023年貴公司取得了哪些成績？你們實現增長的戰(zhàn)略是什么？
李仕群:這一年北方華創(chuàng)取得了令人矚目的成績：
SiC的長晶爐、外延、ETCH、PVD、PECVD，爐管，快速退火，清洗等設備領域已成為行業(yè)領導者，與頭部客戶實現了全面合作，推動了化合物領域爆發(fā)式發(fā)展；
除此以外，我們還推動了GaN的ETCH、PVD、清洗機、PECVD、爐管等關鍵工藝設備在國內主流產線的大規(guī)模應用；
應用于半導體照明的MOCVD，ICP刻蝕，PECVD，PVD的設備已成為行業(yè)Baseline，工藝涵蓋藍綠/紅黃等領域；
我們還深入布局了Mini/Micro LED領域，能夠為客戶提供深度完善的工藝解決方案。
公司始終堅持以客戶為中心的持續(xù)創(chuàng)新理念，根據行業(yè)發(fā)展階段和動態(tài)的市場訴求，在不斷強化自身通用技術的基礎上，為客戶提供專業(yè)的、有競爭力的和投資產出效應高的產品，把貼近客戶，傾聽客戶聲音，長期提供快速響應的、有溫度的服務視為立業(yè)之本。
國內SiC將彎道超車,需降本普及70%的EV市場
行家說三代半：您認為2023年整個行業(yè)取得了哪些新的進步（包括市場、技術等）？
李仕群：2023年SiC行業(yè)市場規(guī)模進一步擴大，新晉企業(yè)不斷出現，涌現出了一批行業(yè)領軍企業(yè)，帶動了產業(yè)有序迭代向前發(fā)展，培育了較穩(wěn)定的國產上下游供應鏈，隨著國產化進程不斷推進，我認為第三代半導體產業(yè)將迅速實現對歐美國家技術的彎道超車。
隨著國產SiC芯片在新能源車領域的成功驗證，奠定了國產SiC行業(yè)在功率半導體領域的發(fā)展方向，為SiC行業(yè)開辟了廣闊的應用前景。另外，從技術方面來看：
SiC產品從SBD轉向MOSFET，并大力發(fā)展Trench
MOS，實現了國外專利封鎖的突破；
尺寸從主流6寸向8寸過渡，8寸襯底和外延已有產品下線，芯片線預計也將在2024年下半年有產品出廠。
行家說三代半：在降本增效方面，2023年最值得關注和重視的新變化是什么？
李仕群：我認為業(yè)內應該關注襯底和外延領域，SiC產線70%以上的成本在襯底和外延端，6寸長晶和外延已經形成規(guī)模化效應，單片成本快速下降，隨著SiC襯底尺寸不斷擴徑，8寸晶圓將對SiC器件成本帶來較大影響。
同時，芯片產線國產化率迅速提升，國產機臺經過產線量產驗證，成本優(yōu)勢明顯提升。這些都是有很大希望實現降本增效的關注點。
行家說三代半：成本是把雙刃劍，行業(yè)規(guī)?；l(fā)展需要接近硅器件的低成本，但也要防止被低價所反噬，您如何看待行業(yè)的低價和同質化競爭？貴公司有哪些好的做法和建議？
李仕群：在半導體領域，終端應用的訴求是行業(yè)發(fā)展的方向和動力，SiC器件進入汽車應用領域將成為主流趨勢，預計2027年市場占比將超過70%。
相比Si器件，SiC器件成本較高，目前主要應用于售價25萬元以上的中高端新能源汽車，急需進一步降低成本，使其能夠普及到市場銷量占比70%以上的20萬元以內的新能源汽車上，讓更多老百姓受益于技術的進步。
我們應該了解成本下降需要產業(yè)鏈上下游協同，需要更多企業(yè)參與并發(fā)揮資本、技術和運營等多方優(yōu)勢，并且持續(xù)迭代。當然，我們不贊同惡性的、顯著過剩的同質化競爭，我們應該借助政府和行業(yè)協會的力量發(fā)揮市場和資本的調控作用，有效遏制不良競爭。
以設備行業(yè)為例，北方華創(chuàng)歡迎市場上更多的設備企業(yè)參與SiC行業(yè)的共同建設、發(fā)展，而針對個別宣稱確保同等質量效用并且以低于成本價擾亂市場的行為，北方華創(chuàng)堅持以客戶為中心，持續(xù)為客戶提供適用、穩(wěn)定，可靠的產品和長期良好的服務保證，聚焦客戶實際訴求，保障行業(yè)客戶具有持續(xù)的競爭力，實現合作雙贏。
面臨資本熱、技術攻關難題，北方華創(chuàng)堅持創(chuàng)新引領
行家說三代半：未來幾年整個行業(yè)將面臨的挑戰(zhàn)有哪些？貴公司將如何面對并解決挑戰(zhàn)？
李仕群：伴隨著行業(yè)的高速發(fā)展，我們所面臨的挑戰(zhàn)也是前所未有的：
首先是資本過熱，行業(yè)非理性擴產；
其次是關鍵技術需要我們持續(xù)攻關，比如平面型工藝JFET區(qū)域的夾斷效應造成的導通電阻增大，電流降低，損耗增加；
溝槽型MOSFET雖然利用垂直溝道消除了JFET區(qū)域電流夾斷的問題，但SiC溝槽的刻蝕及氧化工藝難度較大，并且溝槽底部的尖峰電場較高，容易造成提前擊穿，需要在溝槽底部加入P行掩蔽層，而這樣做會增加工藝難度和成本。
面對挑戰(zhàn)，華創(chuàng)始終堅持迎難而上持續(xù)開拓關鍵技術，布局SiC半導體領域關鍵制程設備，持續(xù)精進設備和工藝能力，提升產品穩(wěn)定性和可靠性，為客戶提供全面的工藝解決方案。
行家說三代半：2024年，貴司定下來了哪些規(guī)劃和目標？
李仕群：北方華創(chuàng)的規(guī)劃和目標始終是圍繞著產業(yè)和客戶設定的，2024年北方華創(chuàng)依然會秉承“推動產業(yè)進步，創(chuàng)造無限可能”的企業(yè)使命，致力于成為半導體基礎產品領域值得信賴的引領者，并將持續(xù)以客戶需求為導向，以創(chuàng)新為動力，聚焦SiC半導體領域，開發(fā)新工藝布局新技術，持續(xù)為客戶提供全面的工藝解決方案。
