半導(dǎo)體熱電偶

半導(dǎo)體集成電路主要區(qū)分為擴(kuò)散(Diffusion)、制版（照相）（黃光）(Photo)、蝕刻(Etch)和制薄(Thin-film). IMP(離子植入) 五大工序，五個(gè)工序的制程特性與使用的制程原料與機(jī)臺(tái)各不相同。其中以擴(kuò)散制程對(duì)熱電偶的要求特別的高

SPRIKE T/C(控溫?zé)犭娕?；PROFILE T/C(多點(diǎn)式熱電偶)；FLAT ZONE T/C(校準(zhǔn)熱電偶)

• SPRIKE T/C（控溫?zé)犭娕迹?/li>

是控制爐體(CHAMBER HEATER)溫度用，SPRIKE T/C大都單點(diǎn)型

SPRIKE T/C 每點(diǎn)位置需與PROFILE T/C溫度點(diǎn)位置 相互平行對(duì)應(yīng)確保爐溫穩(wěn)定及正確

• PROFILE T/C（校準(zhǔn)熱電偶）

分 LP PROFILE T/C 以及 AP PROFILE T/C

PROFILE T/C只是用作量測(cè)溫度而非作升降溫控制使用

當(dāng)製程設(shè)定溫度 PROFILE T/C 量測(cè)實(shí)際 chamber 每 一 設(shè)定點(diǎn)反應(yīng)溫度確保與設(shè)定值相同

Profile T/C保護(hù)管分為高純度透明石英管、SIC管(又分有Cu塗層及無(wú)塗層)和藍(lán)寶石保護(hù)管
SIC管及藍(lán)寶石保護(hù)管用於高溫製程。

SIC無(wú)涂層管易受硅滲透，污染鉑金線造成熱電偶芯線斷線，但由于價(jià)格問題，亦有半導(dǎo)體廠家采用。

FLAT ZONE T/C（校正熱電偶）

當(dāng)產(chǎn)品厚度有異常時(shí)則使用FLAT ZONE T/C量測(cè)爐體溫度分佈FLAT ZONE T/C

是單點(diǎn)式量測(cè)時(shí)由底端緩慢往出口端移動(dòng)同時(shí)記錄溫度

FLAT ZONE T/C 量測(cè)時(shí)分為自動(dòng)(有機(jī)械製具)約24小時(shí) 手動(dòng)(人工移動(dòng))約二小時(shí),左述時(shí)間僅提供參考

蘇州深鉑維溫控設(shè)備有限公司

楊月月 19901460646