VLSI2023論文情況分析

2023年6月11-16日，2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits在日本召開，來自世界各地產(chǎn)業(yè)和學術(shù)界的工程師和科學家，討論了超大規(guī)模集成電路制造和設計中的挑戰(zhàn)。

英特爾在第一個開場的Technology組報告中，介紹 了背面供電網(wǎng)絡技術(shù)（PowerVia）的信息。英特爾認為這是公司重回正軌的證據(jù)，從而為英特爾提供了超越公司急需的競爭優(yōu)勢的機會。

三星發(fā)表了“全球首個采用新型 MBCFET 技術(shù)的 GAA 3nm 工藝（SF3）”，據(jù)稱，SF3 相較 4nm FinFET 平臺實現(xiàn)了 22% 頻率提升、34% 能效改進、21% 面積微縮（PPA） 。

東京電子（TEL）宣布，其等離子體蝕刻系統(tǒng)的開發(fā)和制造基地已經(jīng)開發(fā)出一種創(chuàng)新的通孔蝕刻技術(shù)，可以用于堆疊超過400層的先進3D NAND Flash閃存芯片。開發(fā)團隊的新工藝首次將電介質(zhì)蝕刻應用帶入低溫范圍，從而打造了一個具有極高蝕刻率的系統(tǒng)。該技術(shù)不僅能在短短33分鐘內(nèi)完成10微米深度的高縱橫比蝕刻，縮減了耗時，而且蝕刻結(jié)構(gòu)的幾何形狀相當明顯，也有助于制造更高容量的3D NAND閃存芯片。

當然來自中國的vivo第一次參加VLSI 2023會議，在先進圖像傳感器技術(shù)分會場中，?羅軼博士分享了全新的自適應DCG-HDR(雙轉(zhuǎn)換增益高動態(tài)范圍)技術(shù)，引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。

根據(jù)來自大會現(xiàn)場的數(shù)據(jù)，本次大會共收到投稿632篇，錄用212篇論文；其中Technology投稿273篇，錄用89篇；Circuits 收到投稿359篇投稿，錄用123篇。本次會議收到20篇Late News，Technology組有9篇，未錄用；Circuits組有11篇，錄用1篇。另外還有12篇受邀報告。

(感謝東南大學司鑫教授提供的現(xiàn)場照片)

由于大會論文Program中，除了Circuits和Technology外，還有CFS、TFS和JFS，為便于統(tǒng)計，現(xiàn)將CFS計入Circuits，TFS和JFS計入Technology(如有不當，請了解情況的老師批評指正)。以下所有數(shù)據(jù)都按第一作者所在單位進行統(tǒng)計。

2023年Technology論文錄用超過3篇的機構(gòu)有imec(10篇)、新加坡國立大學(10篇)、三星(8篇)、臺積電(5篇)、SK海士力(4篇)、韓國科學技術(shù)院(4篇)、中國臺灣大學(4篇)、普渡大學(3篇)、斯坦福大學(3篇) 、英特爾(3篇)。

2023年，Circuits論文錄用超過3篇的機構(gòu)有韓國科學技術(shù)院(9篇)、三星(7篇)、新加坡國立大學(6篇)、密歇根大學(5篇)、代爾夫特理工大學(4篇)、東京工業(yè)大學(4篇)、浦項工業(yè)大學(4篇)、清華大學(4篇)、臺積電(4篇)、中國臺灣大學(4篇)、聯(lián)發(fā)科(3篇)、蘇黎世聯(lián)邦理工學院(3篇)、索尼(3篇) 、英特爾(3篇)。

根據(jù)對第一作者所在單位的統(tǒng)計，合計Technology和Circuits論文，論文錄用超過5篇的機構(gòu)有新加坡國立大學(16篇)、三星(15篇)、韓國科學技術(shù)院(13篇)、imec(11篇)、臺積電(9篇)、中國臺灣大學(8篇)、浦項工業(yè)大學(6篇) 、英特爾(6篇)、東京工業(yè)大學(5篇)、密歇根大學(5篇)、清華大學(5篇)、索尼(5篇)。

根據(jù)對第一作者所在單位的統(tǒng)計，從產(chǎn)業(yè)界來看，共有23家公司63篇，前五名是韓國三星15篇，臺積電9篇，英特爾6篇，索尼5篇，SK海力士4篇。

根據(jù)對第一作者所在單位的統(tǒng)計，從研究機構(gòu)來看，共有7家機構(gòu)20篇，imec以11篇居第一；中科院微電子所2篇與日本兩機構(gòu)并列第二；中科院半導體所有1篇。

臺積電、三星和imec都擁有最先進的設施和優(yōu)秀的研發(fā)人員，并正在推動與世界各地半導體相關(guān)合作伙伴的聯(lián)合研究，論文錄用數(shù)量位居前列不奇怪。

根據(jù)對第一作者所在單位的統(tǒng)計，從高校來看，共有47所高校130篇，新加坡國立大學以16篇排名第一，韓國KAIST以13篇排名第二，中國臺灣大學8篇第三，浦項工業(yè)大學6篇排第四，清華大學、密歇根大學、東京工業(yè)大學各以5篇并列第五。

但令人驚訝的是，新加坡國立大學(16篇)、韓國科學技術(shù)院(13篇)作為大學，2023年何以能錄用如此多的論文？

2023年新加坡國立大學論文總錄用數(shù)量16篇，Technology和Circuits論文錄用數(shù)量都位居前三，論文總錄用數(shù)量不但力壓三星、臺積電、imec等強手。

新加坡國立大學(NUS)2014年才1篇入選，2015年0篇，2016年1篇，但自2020年以來，新加坡國立大學的錄用論文數(shù)一直在保持增長，到2022年Technology達到8篇，力壓臺積電（7篇）和三星（4篇），僅次于imec；到2023年Technology達到10篇，再次力壓三星（8篇）和臺積電（5篇）,?且與imec并列第一；而2023年Circuits論文也以6篇位居第三。

用灌水恐怕不足以解釋新加坡國立大學的高產(chǎn)！

三星、韓國科學技術(shù)院、浦項工業(yè)大學和SK海士力等韓國機構(gòu)錄用論文總數(shù)排名靠前，分別以15篇、13篇、6篇、4篇位居第二、第三、第七、第十三名。但是韓國成立較早的三所大學首爾大學、高麗大學、延世大學，卻總共只有3篇入選。

日本雖然東京工業(yè)大學和索尼各有5篇入選，鎧俠有3篇入選；但日本機構(gòu)主要偏于Circuits論文，共有8篇入選。

2023年中國內(nèi)地共有15篇入選，分屬北京大學、復旦大學、華東師范大學、南方科技大學、清華大學、中國科技大學、中國科學院半導體所、中國科學院微電子所、VIVO、西安紫光國芯等10家機構(gòu)，其中清華大學5篇，中國科學院微電子所2篇，其他機構(gòu)各1篇。

相比較IEDM和ISSCC兩大會議的論文情況，中國內(nèi)地在VLSI會議上的論文發(fā)表數(shù)少得可憐。根據(jù)主委會的數(shù)據(jù)，中國內(nèi)地投稿數(shù)數(shù)量為130篇，僅次于韓國的131篇。其中Technology級投稿57篇，入選5篇，接收率只有8.8%；Circuits組投稿73篇，接收10篇，接收率13.7%。

究其原因，VLSI分Technology（器件）和Tircuit（電路），分別僅次于IEDM（器件）和ISSCC（電路）。而且VLSI的會議時間點非常尷尬，位于IEDM和ISSCC的中間時段，國內(nèi)各大機構(gòu)都在卷IEDM和ISSCC，所以留給VLSI的論文稿質(zhì)量就可想而知了。