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近日，重慶市人民政府發(fā)布了2023年市級重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目以及重點(diǎn)前期規(guī)劃研究項(xiàng)目，其中涵蓋多個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，涉及半導(dǎo)體制造、半導(dǎo)體封測、半導(dǎo)體材料、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域。
其中：重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目1156個，總投資約3萬億元，年度計劃投資約4300億元，包括華潤微電子功率半導(dǎo)體封測項(xiàng)目、南川CMP拋光材料項(xiàng)目、兩江奧特斯重慶四期半導(dǎo)體封裝載板生產(chǎn)線擴(kuò)建項(xiàng)目、華潤微電子12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目等。
而重點(diǎn)前期規(guī)劃研究項(xiàng)目301個，總投資約1.4萬億元，包括化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目、12英寸集成電路特色工藝線一期、以及硅光量產(chǎn)線項(xiàng)目等。
01、華潤微兩大項(xiàng)目同時上榜
在重慶市2023年重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目名單中，由華潤微投資的功率半導(dǎo)體封測項(xiàng)目和12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目同時上榜。
其中，根據(jù)此前的信息顯示，華潤微電子功率半導(dǎo)體封測項(xiàng)目由華潤潤安科技（重慶）有限公司建設(shè)，項(xiàng)目計劃投資42億元。項(xiàng)目于2021年11月開工，擬建設(shè)功率半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)線，計劃2026年建成投產(chǎn)。2022年10月，華潤微電子功率半導(dǎo)體封測基地項(xiàng)目迎來了首批設(shè)備搬入，同年12月22日，首顆中低壓SGT功率器件PDFN 3.3產(chǎn)品順利產(chǎn)出，良率99.5%。
項(xiàng)目建成并達(dá)產(chǎn)后，將主要用于封裝測試標(biāo)準(zhǔn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、先進(jìn)面板級功率產(chǎn)品、特色功率半導(dǎo)體產(chǎn)品；生產(chǎn)產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子、5G、AIOT等新基建領(lǐng)域。
華潤微12英寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目由潤西微電子（重慶）有限公司建設(shè)，項(xiàng)目總投資75.5億元，項(xiàng)目建成后預(yù)計將形成月產(chǎn)3-3.5萬片12英寸中高端功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)能力，并配套建設(shè)12英寸外延及薄片工藝能力。
2022年12月底，華潤微電子在其官微宣布，重慶12英寸晶圓制造生產(chǎn)線以及先進(jìn)功率封測基地實(shí)現(xiàn)通線。其中，12英寸晶圓制造生產(chǎn)線項(xiàng)目僅用18個月即實(shí)現(xiàn)包括中低壓溝槽SGT MOS、高壓超結(jié)SJ MOS在內(nèi)的四個產(chǎn)品平臺全部通線；先進(jìn)功率封測基地首顆中低壓SGT功率器件PDFN 3.3產(chǎn)品順利產(chǎn)出，良率99.5%。
據(jù)華潤微電子總裁李虹近日介紹，將以重慶為基地，圍繞功率器件打造研發(fā)設(shè)計中心、晶圓制造基地封測基地、外延中心，做大功率器件業(yè)務(wù)；聚焦高端工控及汽車電子市場，在重慶打造車規(guī)級功率導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地和汽車芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。
02、重慶加速布局功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
當(dāng)前，隨著新能源汽車、5G基站、工業(yè)和能源等應(yīng)用快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體市場需求不斷擴(kuò)大，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體快速發(fā)展，同時，以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體亦開始展露頭角。
尤其是近年來在“碳達(dá)峰、碳中和”等戰(zhàn)略目標(biāo)提出下，國內(nèi)功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)似乎再次迎來了新的發(fā)展契機(jī)。在巨大市場前景的推動下，國內(nèi)各地政府和廠商都開始紛紛下場競賽，希望能在該賽道搶占先機(jī)。
以此次重慶市公布的重點(diǎn)項(xiàng)目為例，除了華潤微兩大項(xiàng)目外，還包括江北萊芯第三代化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新中心、涪陵6英寸IGBT功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目、南岸第三代半導(dǎo)體和芯片激光高頻切割裝備生產(chǎn)基地、重慶高新區(qū)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目等。
其中，江北萊芯第三代化合物半導(dǎo)體創(chuàng)新中心項(xiàng)目將建設(shè)月產(chǎn)10萬片晶圓薄化生產(chǎn)線和月產(chǎn)2萬片芯片封裝測試生產(chǎn)線，計劃2023完工；涪陵6英寸IGBT功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)70微米超薄背面制造和Trench技術(shù)正面制造6英寸車規(guī)級晶圓生產(chǎn)線；計劃2023年開工建設(shè)，2027建成。
政策方面，重慶市亦可謂是“不遺余力”地支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在重慶市“十四五”規(guī)劃中，“功率半導(dǎo)體”及“化合物半導(dǎo)體”被重點(diǎn)提及。
《規(guī)劃》指出，以重大項(xiàng)目為抓手，持續(xù)擴(kuò)大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢地位，加快發(fā)展化合物半導(dǎo)體材料等產(chǎn)品，打造全國最大的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地和集成電路特色工藝技術(shù)高地。瞄準(zhǔn)汽車電子、工業(yè)控制、高端工業(yè)電源等應(yīng)用需求，擴(kuò)大功率半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)能。
重慶還將積極發(fā)展化合物半導(dǎo)體。提升砷化鎵、磷化銦等第二代化合物半導(dǎo)體材料制造能力、產(chǎn)能和化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線良品率；同時研發(fā)氮化鎵、碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體材料；開展碳基納米材料、銻化鎵、銦化砷等超寬禁帶半導(dǎo)體材料研究。
此外，2022年7月，重慶市人民政府印發(fā)《以實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰碳中和目標(biāo)為引領(lǐng)深入推進(jìn)制造業(yè)高質(zhì)量綠色發(fā)展行動計劃（2022—2025年）》提到，加快電源管理芯片、化合物半導(dǎo)體重點(diǎn)項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)，到2025年力爭全市功率半導(dǎo)體產(chǎn)能達(dá)到15萬片/月（折合8英寸晶圓）。
