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• 存儲(chǔ)芯片，正式漲價(jià)

  今日，存儲(chǔ)芯片正式開始漲價(jià)浪潮。自此，存儲(chǔ)市場(chǎng)長(zhǎng)達(dá)多半年的低迷態(tài)勢(shì)，終于迎來轉(zhuǎn)折。存儲(chǔ)芯片的兩大主力產(chǎn)品?NAND?與?DRAM，在新一季度的市場(chǎng)表現(xiàn)也各不相同。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  04/02 14:20

  dram 存儲(chǔ)芯片

  
• 研報(bào) | 下游客戶庫存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。

  TrendForce集邦咨詢

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  03/26 09:45

  dram

  
• 下游客戶庫存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂

  2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。 PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季 因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量，將加速去化

  與非網(wǎng)編輯

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  03/25 08:47

  dram OEM

  
• 芯片制造為什么需要High-K材料

  DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種常見的內(nèi)存芯片，就像我們家里的儲(chǔ)藏室，用來短暫存放數(shù)據(jù)（“0”或“1”）。DRAM最基本的結(jié)構(gòu)就是由一個(gè)晶體管（相當(dāng)于開關(guān)）和一個(gè)電容（相當(dāng)于儲(chǔ)藏室）組成的“1T1C”單元。

  老虎說芯

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  03/06 11:30

  dram 芯片制造

  
• 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM份額將增至12%

  隨著市場(chǎng)份額穩(wěn)步提升的中國(guó)企業(yè)的崛起，持續(xù)數(shù)年的三星電子、SK海力士、美光三足鼎立的格局將被打破。

  芯片說 IC TIME

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  03/05 11:35

  dram 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
• 揭秘DRAM內(nèi)存接口：從手機(jī)到AI超算，為何它決定了計(jì)算速度的極限？

  當(dāng)我們驚嘆于手機(jī)流暢加載4K視頻，或是AI模型秒級(jí)生成圖像時(shí)，背后默默支撐的DRAM內(nèi)存技術(shù)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默革命。ISSCC 2025最新教程揭示：內(nèi)存接口（I/O）設(shè)計(jì)才是突破算力瓶頸的關(guān)鍵！本文將帶你速覽尖端內(nèi)存技術(shù)的內(nèi)核密碼。

  IC芯博士

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  02/28 15:42

  dram 內(nèi)存接口芯片

  
• Server DRAM與HBM持續(xù)支撐，4Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增9.9%

  2024年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收突破280億美元，較前一季成長(zhǎng)9.9%；由于Server DDR5的合約價(jià)上漲，加上HBM集中出貨，前三大業(yè)者營(yíng)收皆持續(xù)季增。平均銷售單價(jià)方面，多數(shù)應(yīng)用產(chǎn)品的合約價(jià)皆反轉(zhuǎn)下跌，只有美系CSP增加采購(gòu)大容量Server DDR5，成為支撐Server DRAM（服務(wù)器內(nèi)存）價(jià)格續(xù)漲的主因。 展望2025年第一季，隨著進(jìn)入生產(chǎn)淡季，整體原廠出貨位元量將季減。價(jià)格部分

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  02/27 08:22

  dram HBM

  
• DeepSeek會(huì)沖擊晶圓需求嗎？

  生成式AI的影響將導(dǎo)致DRAM晶圓的需求急劇增加。2025年1月20日，世界遭受“DeepSeek沖擊”。這是因?yàn)?，中?guó)初創(chuàng)AI公司DeepSeek發(fā)布了與OpenAI的GPT-4相當(dāng)?shù)拇笠?guī)模語言模型（LLM）DeepSeek-R1（以下簡(jiǎn)稱R1）。R1的研發(fā)僅用了兩個(gè)月的時(shí)間，成本僅為560萬美元，僅為其他公司成本的一小部分。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  02/18 09:45

  dram 晶圓

  
• SK海力士DRAM銷額將首次超越三星

  預(yù)計(jì)今年第一季度三星電子的DRAM銷售額將大幅萎縮。由于整體IT需求疲軟，DRAM供給減少，HBM銷售比重的大幅下降，使得DRAM ASP(平均銷售價(jià)格)較上一季度出現(xiàn)兩位數(shù)下滑的可能性加大。

  芯片說 IC TIME

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  02/06 10:10

  dram SK海力士

  
• NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價(jià)格

  NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動(dòng)相關(guān)計(jì)劃，可能長(zhǎng)期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。 TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級(jí)等方

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  01/23 08:26

  dram NAND Flash
• 存儲(chǔ)市場(chǎng)迎三大挑戰(zhàn)！

  剛剛過去的2024年，存儲(chǔ)市場(chǎng)上演了一出“冰與火之歌”：終端市場(chǎng)消費(fèi)電子復(fù)蘇遲緩，AI應(yīng)用則繼續(xù)強(qiáng)勢(shì)突圍。存儲(chǔ)產(chǎn)品因而開啟兩極化發(fā)展：消費(fèi)類存儲(chǔ)需求平淡，高性能、企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)反響熱鬧。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  01/07 15:07

  dram 消費(fèi)電子

  
• SK海力士大擴(kuò)產(chǎn)，HBM DRAM月產(chǎn)能將飆至17萬張

  SK海力士今年將以12英寸晶圓為基礎(chǔ)，將高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能擴(kuò)大至每月17萬張。此舉被解讀為應(yīng)對(duì)除最大客戶英偉達(dá)之外的領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的舉措。

  芯片說 IC TIME

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  01/07 09:00

  dram SK海力士

  
• 存儲(chǔ)大廠預(yù)警NAND增長(zhǎng)不及預(yù)期，高端DRAM等被押注

  近日，存儲(chǔ)大廠美光、三星紛紛披露最新市況。美光方面披露將投資21.7億美元擴(kuò)大其DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，近期其也公布了2025財(cái)年第一季度（2024年9月至2024年11月）的業(yè)績(jī)報(bào)告，該季營(yíng)收較為亮眼，但美光對(duì)于下一季度的預(yù)測(cè)，體現(xiàn)了其對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)的隱憂，美光表示NAND閃存市場(chǎng)正遭遇前所未有的挑戰(zhàn)；另外三星電子方面也將調(diào)整DRAM未來研發(fā)策略。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  01/03 11:32

  dram NAND

  
• 研報(bào) | 買方采購(gòu)策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，DRAM市場(chǎng)因智能手機(jī)等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔(dān)心美國(guó)可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進(jìn)而造成DRAM均價(jià)下跌。其中，

  TrendForce集邦咨詢

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  2024/12/31

  dram

  
• 明年存儲(chǔ)，令人憂心

  存儲(chǔ)價(jià)格，時(shí)漲時(shí)落。在2024年下半年，存儲(chǔ)行業(yè)再度步入下行周期，其價(jià)格后續(xù)的發(fā)展態(tài)勢(shì)引發(fā)了廣泛關(guān)注。至2025年，存儲(chǔ)價(jià)格究竟會(huì)走向何方？是延續(xù)下行趨勢(shì)，還是觸底反彈？

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  3602

  2024/12/31

  dram NAND

  
• 買方采購(gòu)策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌

  2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，DRAM市場(chǎng)因智能手機(jī)等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔(dān)心美國(guó)可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進(jìn)而造成DRAM均價(jià)下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預(yù)估將擴(kuò)大至8%至13%，若計(jì)入HBM產(chǎn)品，價(jià)格預(yù)計(jì)下跌0%至5%。 PC DRAM價(jià)格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10% TrendForce

  與非網(wǎng)編輯

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  2024/12/30

  智能手機(jī) dram

  
• Samsung、Hynix、Micron存儲(chǔ)器御三家財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)及2025年預(yù)測(cè)

  之前，我已經(jīng)做了全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)了。后來和行業(yè)人士核對(duì)了一下我的預(yù)測(cè)結(jié)論，大方向上彼此還是基本一致的：明年無論DRAM還是NAND的價(jià)格都會(huì)出現(xiàn)下跌，但出貨量的上漲會(huì)有一些對(duì)沖作用；明年HBM的市場(chǎng)大約會(huì)占DRAM市場(chǎng)的10%左右，對(duì)整體市場(chǎng)規(guī)模會(huì)有一些支撐

  半導(dǎo)體綜研

  1692

  2024/12/12

  存儲(chǔ)器 dram

  
• 存儲(chǔ)大廠獲數(shù)百億補(bǔ)貼擴(kuò)產(chǎn)尖端DRAM，最新市況如何？

  近日美光表示獲得美國(guó)61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計(jì)劃用于加強(qiáng)尖端DRAM供應(yīng)能力。兩個(gè)月時(shí)間里，美國(guó)芯片法案補(bǔ)貼計(jì)劃已公布9家。另外近日存儲(chǔ)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進(jìn)展。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  2024/12/12

  dram NAND

  
• 1500億晶圓大廠開始訂購(gòu)設(shè)備

  三星電子開始投資可大規(guī)模生產(chǎn)的“1c” DRAM。據(jù)了解，近期已向相關(guān)合作伙伴訂購(gòu)了生產(chǎn)設(shè)備，安裝工作將于明年2月左右開始。由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵要素，因此看來正在為及時(shí)量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準(zhǔn)備。

  芯片說 IC TIME

  1632

  2024/12/10

  dram 三星電子

  
• 存儲(chǔ)廠商沒有笑出雙十一

  國(guó)內(nèi)市場(chǎng)DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè)11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下，NAND閃存價(jià)格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計(jì)，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價(jià)下降約 9%。在產(chǎn)品價(jià)格貢獻(xiàn)方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2146

  2024/12/09

  dram NAND

  

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