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Vishay WSBE Power Metal Strip分流電阻器節(jié)省空間，簡化設計并提高精度

這些器件采用8518和8536外殼尺寸，TCR低至± 10 ppm/°C，電阻低至15 mW，額定功率達50 W 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一系列通過AEC-Q200認證的全新Power Metal Strip?分流電阻器---WSBE，這些器件的TCR低至± 10 ppm/°C，在同類產品中保持較低水平。 Vis

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03/12 08:54

bms Vishay

Vishay WSBE Power Metal Strip分流電阻器節(jié)省空間，簡化設計并提高精度

Vishay推出新型Cyllene 2 IC以升級紅外遙控應用的VSOP383xx系列前置放大電路

這些器件采用緊湊型QFN封裝，可提供更寬的電壓范圍、增強的黑暗環(huán)境靈敏度，以及在強DC光和Wi-Fi噪聲下的更優(yōu)性能日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款全新Cyllene 2 IC，以升級消費品中紅外（IR）遙控應用的VSOP383xx系列前置放大電路。這些增強型解決方案采用2mm x 2mm x 0.76mm的QFN

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03/05 08:09

放大器 Wi-Fi

Vishay推出新型Cyllene 2 IC以升級紅外遙控應用的VSOP383xx系列前置放大電路

Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管

40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率，在同類二極管中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓

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02/27 08:15

SiC Vishay

Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管

Vishay最新推出可滿足嚴苛要求的高精度60mm感應式位置傳感器

RAIK060可在靠近電機處使用，比磁編碼器更輕薄，而且轉速更高，延遲時間更短日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款適用于工業(yè)等應用于嚴苛要求的基于感應技術的新型高精度位置傳感器---RAIK060。與基于磁技術的解決方案相比，Vishay MCB RAIK060絕對值編碼器套件的厚度更薄，為5 mm，重量更輕，為15.

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02/07 07:15

傳感器電機

Vishay推出適用于惡劣環(huán)境應用的的微型密封多匝SMD微調電位器

這些節(jié)省空間的器件采用3 mm x 4 mm x 4 mm的尺寸緊湊，具有IP67密封等級，可在+150 °C的高溫下運行日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一系列新的多匝表面貼裝金屬陶瓷微調電位器--- TSM3。TSM3系列器件專為惡劣環(huán)境中空間受限的工業(yè)、消費和通信應用而設計，采用3 mm x 4 mm x 4 mm

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02/06 07:22

pcb Vishay

Vishay

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