憑借PowiGaN專利技術(shù),PI將GaN引入充電和照明應(yīng)用
隨著摩爾定律走向極限,要提升半導(dǎo)體性能只能通過(guò)發(fā)掘新材料實(shí)現(xiàn),相對(duì)于Si晶體管,GaN晶體管的禁帶寬度更大,導(dǎo)熱率和能量密度更高,穩(wěn)定性更好,因此很多公司在十幾年前就開(kāi)始研發(fā)GaN技術(shù),但是由于成品率很低,成本居高不下。而且對(duì)比MOSFET開(kāi)關(guān)就會(huì)發(fā)現(xiàn),GaN開(kāi)關(guān)必須要有控制器驅(qū)動(dòng),做Layout十分敏感,工程師想設(shè)計(jì)一個(gè)安全可靠的GaN