MOS管

南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應(yīng)用進(jìn)行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗(yàn)。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預(yù)充電、恒流充電、恒壓充電、自動(dòng)終止等多種模式，助力客戶實(shí)現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。

在電子制造中，MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風(fēng)險(xiǎn)。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導(dǎo)致30%的MOS管失效，返工成本超百萬。本文MDD通過典型故障案例，剖析安裝過程中的五大核心問題，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、焊接虛焊：IMC層的致命缺陷 案例：某無人機(jī)電調(diào)批量出現(xiàn)MOS管功能異常，X射線檢測顯示焊點(diǎn)空洞率達(dá)25%。 機(jī)理分析： 焊接溫度曲線偏差（峰值溫度未達(dá)235℃），導(dǎo)致錫膏與銅層間未形成均勻的IM

在電力電子系統(tǒng)中，MDDMOS管的開關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動(dòng)波形振蕩引發(fā)MOS管過熱，導(dǎo)致整機(jī)返修率高達(dá)15%。本文結(jié)合典型故障案例，剖析驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的四大關(guān)鍵陷阱，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、柵極振蕩：探針引發(fā)的“假故障” 故障現(xiàn)象： 某變頻器驅(qū)動(dòng)波形實(shí)測時(shí)出現(xiàn)20MHz高頻振蕩，但上機(jī)后MOS管溫升異常。 根因分析： 傳統(tǒng)探針接地線過長（&

在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等場景中，MDDMOS管嚴(yán)重發(fā)熱是工程師面臨的常見挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器因MOS管溫升達(dá)105℃，導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過溫保護(hù)。本文通過解析發(fā)熱機(jī)理，結(jié)合實(shí)測數(shù)據(jù)，提供從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的系統(tǒng)性解決方案。 一、發(fā)熱根源：損耗模型的精準(zhǔn)拆解 MOS管發(fā)熱本質(zhì)是能量損耗的累積，主要包含： 導(dǎo)通損耗：P=IMsxRs(o)xD， 某50A電機(jī)驅(qū)動(dòng)案例中，Rds(on)=5mΩ，占空比D

在電力電子設(shè)計(jì)中，MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管，直接損失50萬元。本文以真實(shí)案例為鑒，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體帶您解析MOS管選型中的十大參數(shù)陷阱，為工程師提供避坑指南。 一、VDS耐壓虛標(biāo)：動(dòng)態(tài)尖峰的致命盲區(qū) 誤讀后果：某充電樁模塊標(biāo)稱650V耐壓MOS管，實(shí)際測試中因關(guān)斷尖峰達(dá)720V導(dǎo)致批量擊穿。 數(shù)據(jù)手冊陷阱：廠家標(biāo)稱VDS為直流耐壓值，未考慮動(dòng)態(tài)