MOS晶體管

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N溝MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)的一種,結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

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  • 在MOS晶體管中,什么是GIDL效應(yīng)?
    柵感應(yīng)漏極漏電(GIDL,Gate-Induced Drain Leakage),MOS管的GIDL效應(yīng)是指在柵極電壓較高的情況下,絕緣層下的溝道區(qū)域會(huì)發(fā)生漏電現(xiàn)象的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象是由于高電場(chǎng)導(dǎo)致絕緣層中的電子發(fā)生穿隧效應(yīng),從而形成漏電流。
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