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氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。

氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。收起

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  • 淺析GAN氮化鎵功放在5G中的作用
    對功率放大器（PA）進(jìn)行恰當(dāng)?shù)拈_發(fā)、驗證和特性分析十分重要，因為功率放大器通常在發(fā)射設(shè)備的功耗中占很大比例。在大多數(shù)芯片組和組件中，硅已被證明是一種可靠、經(jīng)濟高效且易于制造的材料。然而，隨著世界越來越朝著數(shù)字化、互聯(lián)互通且以設(shè)備為主導(dǎo)的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，對更高性能、更高吞吐量和更高效率的需求也在增加。
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  • 英飛凌高管專訪：詳解GaN/SiC/AI/機器人布局與中國本土化發(fā)展！
    今年3月中旬，英飛凌在深圳召開了?“2025?英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會”。期間，英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費、計算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉接受了包括芯智訊的專訪，介紹了英飛凌在氮化鎵、碳化硅、AI、機器人等領(lǐng)域的布局，以及英飛凌的在中國的本土化發(fā)展。
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    03/31 10:50
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  • 馬自達(dá)與羅姆開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體的汽車零部件
    Mazda Motor Corporation（以下簡稱“馬自達(dá)”）與ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體技術(shù)——氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的汽車零部件。 （左）馬自達(dá)董事、專務(wù)執(zhí)行官兼CTO 廣瀨一郎／（右）羅姆董事、專務(wù)執(zhí)行官 東克己 馬自達(dá)與羅姆自2022年起，在“針對電驅(qū)動單元的開發(fā)與生產(chǎn)合作體系”中，一直在推進(jìn)搭載碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的逆變器
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  • 良率超99%！國產(chǎn)8英寸GaN迎來新突破
    近日，九峰山實驗室科研團(tuán)隊在全球首次實現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵高電子遷移率材料的制備，在高頻、高功率器件等領(lǐng)域，有望為前沿技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化落地提供有力支撐：
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