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氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。

氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。收起

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  • 產(chǎn)能超25萬片！2個GaN項目加速推進(jìn)
    近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)新增2個GaN項目動態(tài)，分別涉及譽鴻錦、聯(lián)晶通半導(dǎo)體。據(jù)不完全統(tǒng)計，今年以來一共有13個GaN項目透露進(jìn)展，其中第二季度出現(xiàn)了6個，占比約50%：
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    06/13 15:08
    GaN
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  • 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動電源設(shè)計創(chuàng)新
    當(dāng)今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?GaN 可實現(xiàn)高頻開關(guān)，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比，GaN 還可降低開關(guān)、柵極驅(qū)動和反向恢復(fù)損耗，從而提高電源設(shè)計效率。 您可以使用 650V GaN FET 進(jìn)行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換，或使用 100V 或 200V GaN FE
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  • 納芯微高壓半橋驅(qū)動NSD2622N：為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
    納芯微發(fā)布專為增強型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅(qū)動能力，可以顯著簡化GaN驅(qū)動電路設(shè)計，提升系統(tǒng)可靠性并降低系統(tǒng)成本。 應(yīng)用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗的顯著優(yōu)勢，能夠大幅提升電源系統(tǒng)的功率密度，明顯優(yōu)化能效表現(xiàn)，降低整體系統(tǒng)成本，在人工智能(AI)數(shù)據(jù)中
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  • 意法半導(dǎo)體推出針對消費類和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器和電機控制器
    意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器，為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。STDRIVEG610 和 STDRIVEG611兩款新產(chǎn)品為電源轉(zhuǎn)換和電機控制設(shè)計人員提供兩種控制GaN功率器件的選擇，可以提高消費電子和工業(yè)應(yīng)用的能效、功率密度和魯棒性。 STDRIVEG610主打那些要求啟動時間300ns級別的柵極驅(qū)動應(yīng)用，啟動時間是LLC或ACF電源轉(zhuǎn)換拓?fù)涞?/div>
  • ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC開始量產(chǎn)
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動，有助于電機和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進(jìn)一步縮減體積并提高效率。 新產(chǎn)品是ROHM首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開關(guān)工作
    ROHM首款面向高耐壓GaN器件驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC開始量產(chǎn)