GaAs

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

砷化鎵（gallium arsenide）是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaAs，為黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日，世界衛(wèi)生組織國(guó)際癌癥研究機(jī)構(gòu)公布的致癌物清單初步整理參考，砷和無(wú)機(jī)砷化合物在1類致癌物清單中。

砷化鎵（gallium arsenide）是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaAs，為黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日，世界衛(wèi)生組織國(guó)際癌癥研究機(jī)構(gòu)公布的致癌物清單初步整理參考，砷和無(wú)機(jī)砷化合物在1類致癌物清單中。收起

查看更多
  • GaAs芯片的表面工藝異常問(wèn)題
    一、砷化鎵表面存在氧化層。GaAs屬于閃鋅礦結(jié)構(gòu)，具有立方晶系Fm3m空間群，晶胞參數(shù)為5.646 ?。Ga原子位于晶胞的頂點(diǎn)，As原子位于晶胞的面心和體內(nèi)，形成四面體結(jié)構(gòu)。
    GaAs芯片的表面工藝異常問(wèn)題
  • GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝
    GaAs晶圓作為常用的一類晶圓，在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過(guò)程中需要關(guān)注的點(diǎn)。
    GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝
  • CHA5659-98F高功率放大器UMS
    UMS的CHA5659-98F是款四級(jí)單片GaAs高功率放大器，輸出功率為1.3瓦。CHA5659-98F是極度線性的，具備可能出現(xiàn)的增益控制并集成化功率檢測(cè)器。包含ESD保護(hù)。
  • 地芯科技推出線性CMOS PA，突破30-33dBm區(qū)間GaAs壟斷
    近幾年，受到市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)以及地緣政治等因素的影響，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)自主研發(fā)熱潮，與此同時(shí)，同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題不斷涌現(xiàn)，尤其在射頻前端領(lǐng)域怎一個(gè)“卷”字了得。當(dāng)然“卷”也有兩面性，好的一面是充分競(jìng)爭(zhēng)下的行業(yè)創(chuàng)新動(dòng)力會(huì)更強(qiáng)，而不好的一面是大多數(shù)企業(yè)沒(méi)辦法做到技術(shù)迭代和資金流的正向循環(huán)。 圖 | 地芯科技副總裁張頂平 地芯科技副總裁張頂平就此表示：“射頻前端行業(yè)的卷有目共睹，做同樣PA產(chǎn)品的企業(yè)可能就有十幾到二十
    2195
    2023/05/19
    地芯科技推出線性CMOS PA，突破30-33dBm區(qū)間GaAs壟斷
  • 誰(shuí)將成為化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)贏家？
    與非導(dǎo)語(yǔ) 你中有我，我中有你，卷在一起。 隨著世界對(duì)通信、傳感和功率效率的要求越來(lái)越高，到2027年，CS（化合物半導(dǎo)體）襯底材料市場(chǎng)將翻一番以上，與硅相比，預(yù)計(jì)用于功率應(yīng)用的SiC的市場(chǎng)份額將大幅增加。這是Yole Group旗下Yole Intelligence《2022年化合物半導(dǎo)體現(xiàn)狀》的觀點(diǎn)。所有的大趨勢(shì)都在其路線圖中增加了化合物半導(dǎo)體器件的使用。 用于RF（射頻）GaN的襯底包括硅和S
    2177
    2023/04/20