FET

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡(jiǎn)寫成FET。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡(jiǎn)寫成FET。收起

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  • Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合,現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求
    Nexperia宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng),包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信,尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來,Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型或D-
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  • 英飛凌推出專為AI服務(wù)器優(yōu)化的新型48 V熱插拔控制器, 擴(kuò)展其XDP?數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列
    全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)擴(kuò)展旗下XDP? 數(shù)字保護(hù)產(chǎn)品系列,推出 XDP711-001。這是一款擁有 48 V 寬輸入電壓范圍的數(shù)字熱插拔控制器,具備可編程安全操作區(qū)域(SOA)控制且專為高功率 AI 服務(wù)器設(shè)計(jì)。該控制器擁有出色的輸入及輸出電壓監(jiān)控與報(bào)告功能,精度達(dá) ≤0.4%,還有系統(tǒng)輸入電流監(jiān)控與報(bào)告功能,在全
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  • Allegro技術(shù)洞察:12V 和 48V 系統(tǒng)的通用驅(qū)動(dòng)平臺(tái)簡(jiǎn)化電動(dòng)汽車啟動(dòng)發(fā)電機(jī)設(shè)計(jì)
    皮帶驅(qū)動(dòng)啟動(dòng)發(fā)電機(jī) (BSG) 是混合動(dòng)力汽車 (HEV) 和電動(dòng)汽車 (EV) 系統(tǒng)不可或缺的一部分,因?yàn)樗兄跍p少內(nèi)燃機(jī)產(chǎn)生的碳排放。啟動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)在電動(dòng)汽車架構(gòu)中扮演著多重角色。它們負(fù)責(zé)啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī),為發(fā)動(dòng)機(jī)提供額外的電力,并在減速或滑行期間產(chǎn)生充電電壓,從而減少機(jī)械制動(dòng)系統(tǒng)的磨損,同時(shí)提高整體系統(tǒng)效率。 無論架構(gòu)或位置如何,啟動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)已被證明是車輛電氣化的重要組成部分。啟動(dòng)發(fā)電機(jī)可用于
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  • 非常見問題解答第224期:熱插拔控制器中的寄生振蕩
    作者:Aaron Shapiro,產(chǎn)品應(yīng)用工程師 問題 我按照數(shù)據(jù)手冊(cè)在原理圖中使用了10 Ω柵極電阻,但在啟動(dòng)期間仍有振鈴。我的熱插拔控制器電路為何會(huì)振蕩? 回答 使用高端N溝道MOSFET開關(guān)的熱插拔器件在啟動(dòng)和限流期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。雖然這不是新問題,但數(shù)據(jù)手冊(cè)通常缺少解決方案的詳細(xì)信息。如果不了解基本原理,只是添加一個(gè)小柵極電阻進(jìn)行簡(jiǎn)單修復(fù),可能會(huì)導(dǎo)致電路布局容易產(chǎn)生振蕩。本文旨在解釋寄生
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  • 如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器?
    在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中,氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項(xiàng)新興技術(shù),有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)讓功率密度更高的解決方案成為可能。
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  • 安泰ATA-3040C功率放大器是指什么意思
    功率放大器是一種電子設(shè)備,用于將輸入信號(hào)的功率放大到更高的輸出功率。它是現(xiàn)代電子設(shè)備中非常常見的組件,廣泛應(yīng)用于通信系統(tǒng)、音響設(shè)備、無線電設(shè)備、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域。 功率放大器的主要作用是將弱信號(hào)放大到足夠的功率,以便可以有效地傳輸或驅(qū)動(dòng)其他設(shè)備。它通過消耗電源能量來增強(qiáng)信號(hào)的強(qiáng)度,提高信號(hào)的幅度、電流或電壓。 功率放大器通常由一個(gè)或多個(gè)晶體管或功率管組成,具有高度線性的特性以保證輸入信號(hào)的準(zhǔn)確復(fù)制和
  • 英飛凌推出業(yè)界首款用于電信基礎(chǔ)設(shè)施的寬輸入電壓熱插拔控制器XDP700-002
    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了業(yè)界首款-48 V寬輸入電壓數(shù)字熱插拔控制器XDP700-002,擴(kuò)展了其XDP?數(shù)字功率保護(hù)控制器系列。這款控制器具有專為電信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)的可編程安全工作區(qū)域(SOA)控制功能,以及不超過±0.7%的超低電流報(bào)告誤差,能提高系統(tǒng)故障檢測(cè)和報(bào)告的準(zhǔn)確性。此外,該產(chǎn)品還采用升壓模式控制技術(shù),可在非最佳SOA系統(tǒng)中更安全地開
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  • 深入了解FET輸入放大器中的電流噪聲
    IC設(shè)計(jì)工程師和電路設(shè)計(jì)人員都深知電流噪聲會(huì)隨頻率增高而變大,但由于關(guān)于此領(lǐng)域的資料過少,或者制造商提供的信息不全,許多工程師很難了解其原因。
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  • 低 IQ 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更高效的電源管理
    隨著市場(chǎng)對(duì)電池供電型應(yīng)用的需求繼續(xù)迅速增長(zhǎng),低 IQ 技術(shù)可幫助在不影響系統(tǒng)性能的情況下延長(zhǎng)電池壽命。 關(guān)鍵要點(diǎn) 使用先進(jìn)的功率器件和電池監(jiān)測(cè)器可以顯著降低電力消耗。 低 IQ 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更小的數(shù)字電路,同時(shí)降低功率損耗。 快速喚醒時(shí)間能夠顯著降低能耗。 隨著電子技術(shù)和系統(tǒng)的迅猛發(fā)展,電池如今可謂是無處不在,為包括個(gè)人電子設(shè)備和電動(dòng)汽車 (EV) 在內(nèi)的各種設(shè)備供電。轉(zhuǎn)向電池電源的趨勢(shì)沒有減緩的跡
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  • Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件
    代表著下一代電源系統(tǒng)未來的,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:TGAN)近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN? FET。新產(chǎn)品TP65H070G4RS 晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐,為業(yè)界首個(gè)采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵器件。針對(duì)不適合使用傳統(tǒng)底部散熱型表貼器件的系統(tǒng),TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。
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  • 【泰克應(yīng)用分享】 FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究
    由于半導(dǎo)體生物傳感器的低成本、迅速反應(yīng)、檢測(cè)準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn),對(duì)于此類傳感器的研究和開發(fā)進(jìn)行了大量投入。特別是基于場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場(chǎng)效應(yīng)管,它們被廣泛用于各種應(yīng)用:如生物研究,即時(shí)診斷,環(huán)境應(yīng)用,以及食品安全。
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  • Transphorm推出TOLL封裝FET,將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應(yīng)用的最佳器件
    新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:TGAN)近日宣布,推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET,導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。
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  • 新品速遞 | 希荻微推出應(yīng)用于服務(wù)器等產(chǎn)品的E-Fuses負(fù)載開關(guān)芯片
    日前,中國領(lǐng)先的模擬芯片廠商——希荻微電子集團(tuán)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“希荻微”)宣布推出全新 E-Fuse 系列 HL8511/12和HL8521/22 產(chǎn)品,旨在保護(hù)輸出 (OUT) 上的電路,使其免受電源總線 (IN) 電壓瞬變和大浪涌電流的不良影響,即實(shí)現(xiàn)保護(hù)電源總線免受意外輸出短路和意外過載的功能。 一、產(chǎn)品概述 HL8512/22通過控制外置NMOS,實(shí)現(xiàn)反向電流阻斷 (HL8511/2
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  • Allegro MicroSystems推出新型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC,可實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的功率轉(zhuǎn)換密度
    AHV85110為Power-Thru產(chǎn)品系列中的首次發(fā)布,能夠提供2倍功率密度,以及更簡(jiǎn)單、更高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì) 運(yùn)動(dòng)控制和節(jié)能系統(tǒng)傳感和功率半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商Allegro MicroSystems(納斯達(dá)克股票代碼:ALGM)(以下簡(jiǎn)稱Allegro)宣布推出新型power-Thru隔離柵極驅(qū)動(dòng)器AHV85110,這款隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供了一種能夠驅(qū)動(dòng)GaN FET的單封裝解決方案,是P
  • 選擇合適的集成度來滿足電機(jī)設(shè)計(jì)要求
    如果您正在設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,以往您可能會(huì)使用如雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 等多個(gè)分立式元件來實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制。盡管這種方法通常成本更低,但使用的元件總數(shù)更多,占用的布板空間更大,花費(fèi)的設(shè)計(jì)時(shí)間更長(zhǎng),復(fù)雜度也更高。使用多個(gè)元件還可能會(huì)影響系統(tǒng)可靠性。 隨著應(yīng)用的復(fù)雜度增加、功率提高、占用空間減小,集成變得至關(guān)重要。集成解決方案可以縮短設(shè)計(jì)時(shí)間、簡(jiǎn)化采購流程以及節(jié)省成本,同時(shí)還可以確保電機(jī)系統(tǒng)更加可靠和高
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  • Littelfuse擴(kuò)展ITV9550電池保護(hù)器系列以包含60 A額定電流
    Littelfuse公司 (NASDAQ: LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力,宣布對(duì)其ITV9550表面安裝鋰電池保護(hù)器系列進(jìn)行擴(kuò)展。 這些保險(xiǎn)絲可保護(hù)電池組免受過電流和過充(過電壓)情況的影響。 [caption id="attachment_1397594" align="aligncenter" width="1280"] Littelfu
  • Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品
    新型50mOhm SuperGaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)化并加快基于氮化鎵的高功率系統(tǒng)的開發(fā),適用于數(shù)據(jù)中心和廣泛工業(yè)應(yīng)用。
  • GaN是否具有可靠性?或者說我們能否如此提問?
    鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是,沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世,電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
  • 瑞薩電子率先推出面向下一代服務(wù)器、存儲(chǔ)和 通信系統(tǒng)應(yīng)用的I3C智能開關(guān)產(chǎn)品家族
    全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布,率先推出面向下一代服務(wù)器主板和其它基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的I3C智能開關(guān)器件RG3MxxB12系列——全新芯片極大提升了可擴(kuò)展性和可靠性,同時(shí)降低高性能系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。
  • 為偏置電流提供直流回路:正確示范 VS 錯(cuò)誤示范
    您有過這樣的經(jīng)歷嗎?設(shè)計(jì)電路時(shí)由于匆忙行事,而忽視了一些基本問題,結(jié)果使電路功能與預(yù)期不符。。。在交流耦合運(yùn)算放大器或儀表放大器電路應(yīng)用中,最常見的問題之一就是——沒有為偏置電流提供直流回路。今天小編就為大家論述下這個(gè)問題,并且提出一種超級(jí)實(shí)用的解決方案。拿走吧~

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