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化學氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應(yīng)生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術(shù)。化學氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領(lǐng)域。

化學氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應(yīng)生成薄膜的方法?；瘜W氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術(shù)?；瘜W氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制?；瘜W氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領(lǐng)域。收起

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  • 人造金剛石產(chǎn)業(yè)新機遇：HTHP與CVD如何實現(xiàn)1+1＞2的協(xié)同效應(yīng)？
    當前，人造金剛石產(chǎn)業(yè)正站在時代的風口，HTHP（高溫高壓法）和CVD（化學氣相沉積法）作為兩大核心生產(chǎn)技術(shù)，如何實現(xiàn)兩個行業(yè)的協(xié)同發(fā)展？
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  • 集成電路薄膜工藝解析：CVD的原理、分類、應(yīng)用、挑戰(zhàn)與解決方案
    化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一種通過化學反應(yīng)在晶圓表面沉積固體薄膜的工藝，是半導(dǎo)體制造中最為廣泛應(yīng)用的薄膜工藝之一。
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  • 先進邏輯和3D存儲的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納
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    2024/12/10
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  • 5nm已量產(chǎn)，3nm還會遠嗎？重要性比肩光刻機的刻蝕設(shè)備——中微公司
    晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測、涂膠顯影等十多類，其合計投資總額通常占整個晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場年均增速超過15%，化學薄膜設(shè)備市場年均增速超過14%，這兩類設(shè)備增速遠高于其他種類的設(shè)備。 圖|20
    9254
    2024/11/12
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  • 走過路過不要錯過，進來看看全球半導(dǎo)體CVD/ALD設(shè)備商統(tǒng)計數(shù)據(jù)吧
    昨天發(fā)布了設(shè)備電源、離子源的供應(yīng)商數(shù)據(jù)，我正考慮接下來發(fā)布什么數(shù)據(jù)時，就有我知識星球的會員私信向我要CVD設(shè)備的供應(yīng)商數(shù)據(jù)。好吧，那我就整理發(fā)布一下吧，順便把ALD的也一并發(fā)布了
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  • 晶圓制造之化學氣相沉積CVD工藝
    在制造集成電路時，有時候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學氣相沉積（CVD）這種方法。
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  • HDPCVD的原理
    知識星球里的學員問：麻煩介紹下HDPCVD的具體用途，原理。 什么是HDPCVD? HDPCVD，全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，即高密度等離子體化學氣相沉積。它產(chǎn)生的等離子體密度非常高，通常在1011至1012 ions/cm3的量級。相比之下，PECVD的等離子體密度就很低了，在間隔寬度小于0.5μm的情況下，用PECVD填充高的
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  • 什么是FCVD？
    學員問：昨天在直播的時候有你說FCVD，我之前是沒有聽過這類的CVD，可以詳細介紹一下嗎？FCVD，全稱是Flowable Chemical Vapor Deposition，即流動化學氣相沉積。結(jié)合了旋涂電介質(zhì) (SOD) 優(yōu)異的間隙填充性能和 CVD 的工藝穩(wěn)定性，用來制造線寬在20 納米以下的ILD（層間介電質(zhì)）。
    1.5萬
    2024/08/15
    CVD
  • 晶圓制造CVD工藝面試知識點小結(jié)
    無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題及知識點如下，僅供參考：
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  • 晶圓制造CVD工藝常見面試問題
    在無錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問題：這些問題覆蓋了CVD工藝的各個方面，包括基礎(chǔ)知識、工藝優(yōu)化、設(shè)備管理以及實際應(yīng)用。
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  • 用鉆石代替 GPS 來導(dǎo)航？
    許多應(yīng)用，包括手機和汽車傳感器，都廣泛使用磁力測量技術(shù)。傳感器通常很大、很貴，而且需要低溫冷卻，這對可用性有不利影響。為了獲得最高的靈敏度，金剛石驅(qū)動設(shè)備成為一種緊湊、便攜的選擇。近日，Element Six與其合作者SBQuantum 、英國華威大學分別發(fā)布了基于量子金剛石的應(yīng)用拓展方面的合作進展。
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  • 晶圓？還是晶方？CVD金剛石晶圓尺寸怎么計算？
    在以往的印象里，晶圓是圓的，芯片是方的。為什么叫晶圓？不叫晶方？為什么晶圓是圓的，芯片是方的？晶圓的尺寸怎么計算？……昨天，寧波晶鉆60 mm × 60 mm的單晶金剛石片在行業(yè)內(nèi)引起熱度與討論，這是3.35英寸？還是2.36英寸？業(yè)內(nèi)究竟以什么為標準？
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  • 3.35英寸！寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破
    近日，在寧波晶鉆科技股份有限公司的金剛石產(chǎn)業(yè)園內(nèi)，一顆顆CVD大單晶金剛石如期上線。其中，一顆60 mm?×?60 mm的單晶金剛石片映入眼簾。據(jù)了解，該金剛石片采用的是同質(zhì)外延生長技術(shù)，這不是晶鉆科技的首次突破！
    3.35英寸！寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破
  • 特瑞堡完成半導(dǎo)體收購，擴大在亞洲的產(chǎn)能
    Trelleborg完成了對韓國領(lǐng)先制造商MNE Group的收購，大大增強了其在半導(dǎo)體密封市場的能力。 MNE集團由材料納米工程和材料納米解決方案公司組成，主要為售后市場和原始設(shè)備制造商生產(chǎn)高性能特種密封件。此次收購為特瑞堡密封解決方案公司提供了新的產(chǎn)品和能力，并與全球最大的半導(dǎo)體本土市場之一的一些最重要的制造商建立了客戶聯(lián)系。 Trelleborg Sealing Solutions業(yè)務(wù)區(qū)總裁
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  • 流量控制器在半導(dǎo)體加工工藝化學氣相沉積（CVD）的應(yīng)用
    薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積（CVD），其中CVD工藝設(shè)備占比更高。
  • 功率SiC前景可期，現(xiàn)實是地主家也缺錢
    8月22日，SiC（碳化硅）頭部玩家Wolfspeed將氮化鎵（GaN-on-SiC）射頻業(yè)務(wù)出售給MACOM，出售金額為1.25億美元。該業(yè)務(wù)最近的年收入約為1.5億美元，是Wolfspeed（前Cree）五年前用3.45億歐元從英飛凌收購的?？磥恚暗刂骷摇币膊桓辉?，這項預(yù)計在今年年底完成的交易資金將用于Wolfspeed碳化硅業(yè)務(wù)的擴產(chǎn)。值得一提的是，這并不是Wolfspeed第一次剝離業(yè)務(wù)
    2376
    2023/10/16
    功率SiC前景可期，現(xiàn)實是地主家也缺錢
  • 全球半導(dǎo)體物理氣相淀積設(shè)備供應(yīng)商列表：國產(chǎn)廠商真心不多
    在半導(dǎo)體制造、封裝領(lǐng)域會用到大量的成膜設(shè)備，技術(shù)路徑多樣、不一而足。我個人一般把半導(dǎo)體成膜設(shè)備分為三大類：1）化學氣相淀積（CVD：Chemical Vapor Deposition）-?包含ALD；2）物理氣相淀積（PVD：Physical Vapour Deposition）；3）其它成膜設(shè)備。
    全球半導(dǎo)體物理氣相淀積設(shè)備供應(yīng)商列表：國產(chǎn)廠商真心不多
  • 又一公司CVD設(shè)備發(fā)貨，國產(chǎn)化到哪步了？
    7月16日，微導(dǎo)納米發(fā)布官方消息，公司的首臺半導(dǎo)體CVD薄膜沉積設(shè)備順利發(fā)貨。微導(dǎo)納米的iTronix?系列CVD薄膜沉積設(shè)備，主要用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等不同種類薄膜，可應(yīng)用于邏輯、存儲、先進封裝、顯示器件以及化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域芯片制造。
    又一公司CVD設(shè)備發(fā)貨，國產(chǎn)化到哪步了？
  • 除了光刻機，哪類設(shè)備國產(chǎn)替代空間最大？
    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)多且復(fù)雜，尤其是上游半導(dǎo)體設(shè)備和材料，因制造流程繁多，涉及到很多細分行業(yè)。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，中國半導(dǎo)體元器件市場在全球占比高達43%，而同期SEMI數(shù)據(jù)，中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額296億美元，全球占比29%，中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模全球占比低，相比與元器件市場非常不匹配。 近期A股市場，以中微公司為代表的半導(dǎo)體設(shè)備公司表現(xiàn)異常搶眼。本文將梳理本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商的競爭格局，定量感受本土廠商
    除了光刻機，哪類設(shè)備國產(chǎn)替代空間最大？
  • SiC | 外延缺陷
    上篇我們聊到了SiC外延生長的工藝，文末提到了其外延層仍然存在著缺陷，前面我們在聊晶片形成(拋光晶片的制成過程)時也聊過一些晶體缺陷的內(nèi)容，今天我們就來聊聊外延層缺陷。
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    2020/01/20

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