肖特基二極管

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。收起

查看更多
  • Nexperia推出車規(guī)級平面肖特基二極管,采用節(jié)省空間的CFP2-HP封裝
    Nexperia宣布推出采用CFP2-HP封裝的全新產品組合,包含16款優(yōu)化低VF平面肖特基二極管。新產品組合包含八款工業(yè)級產品(例如PMEG6010EXD)和八款通過AEC-Q101認證的產品(例如PMEG4010EXD-Q)。本次產品發(fā)布是為了支持制造商用更小尺寸的CFP封裝器件取代SMA/B/C型封裝器件的發(fā)展趨勢,特別是在汽車應用中。新推出的二極管適用于諸如DC-DC轉換、續(xù)流、防反保護、
    Nexperia推出車規(guī)級平面肖特基二極管,采用節(jié)省空間的CFP2-HP封裝
  • 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產品系列
    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolGaN? G5中壓晶體管,它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵(GaN)功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能,進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外,該集成解決方案還簡化了功率級設計,降低了用料成本。 集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管 在硬開關應用中,由于GaN器件的有效體二極
    英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產品系列
  • 肖特基二極管vs.超快恢復二極管:哪種MDD高效率整流管更適合你的應用?
    在電源設計中,MDD高效率整流管對轉換效率、功率損耗和系統(tǒng)穩(wěn)定性起著關鍵作用。常見的MDD高效整流管主要包括肖特基二極管和超快恢復二極管。它們在工作原理、性能參數(shù)及適用場景上各有優(yōu)劣,如何選擇合適的器件成為工程師的重要決策點。 1.工作原理對比 ?肖特基二極管(Schottky Diode) 采用金屬-半導體結(MS結)結構,載流子為多數(shù)載流子(電子)。 具有低正向壓降(VF)和幾乎無反向恢復時間
    肖特基二極管vs.超快恢復二極管:哪種MDD高效率整流管更適合你的應用?
  • 英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝, 在提升效率的同時簡化設計
    目前,許多工業(yè)應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展,實現(xiàn)這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢,全球功率系統(tǒng)和領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于 2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產品系列,這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產品系列目前擴展到TO-247-2
    英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝,  在提升效率的同時簡化設計
  • Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管
    40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率,在同類二極管中,它們在電容電荷(Qc)和正向壓
    Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管
  • 不同二極管的壓降是多少?
    不同類型的二極管具有不同的壓降特性,以下是一些常見二極管類型的壓降范圍: 硅二極管:硅二極管是最常見的二極管類型,其正向壓降一般在0.6V到0.7V之間。這一范圍是由于硅的帶隙約為1.1eV,電子和空穴的重組需要一定的能量。 鍺二極管:鍺二極管的正向壓降相對較低,通常在0.2V到0.3V之間。鍺的帶隙約為0.66eV,使得載流子在P-N結中更容易復合,從而降低了正向壓降。然而,由于鍺的熱穩(wěn)定性較差
  • 采用自主設計封裝,絕緣電阻顯著提高!
    與普通產品相比,可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)。目前產品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器(OBC)等車載設備應用的“SCS2xxxNHR”8款機型。計劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設備和光伏逆變器等工業(yè)設備
    采用自主設計封裝,絕緣電阻顯著提高!
  • 英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V
    如今,許多工業(yè)應用可以通過提高直流母線電壓,在力求功率損耗最低的同時,向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5,這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳化硅二極管。該產品系列適用于直流鏈路電壓高達1500 VDC的應用,額定電流為10
    英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V
  • ??Nexperia擴展功率器件產品組合,新增標準和車規(guī)級理想二極管?
    ??Nexperia宣布為其持續(xù)擴展的功率器件產品組合新增兩款理想二極管IC。其中,NID5100適用于標準工業(yè)和消費應用,而NID5100-Q100已獲得認證,可用于汽車應用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎,擁有比傳統(tǒng)二極管更低的正向壓降,非常適合用來替換系統(tǒng)中的標準二極管,進而滿足相關的超高能效要求。 ? ??NID5100和NID5100-Q100理想二極管采用小型TSSP6/SOT
    ??Nexperia擴展功率器件產品組合,新增標準和車規(guī)級理想二極管?
  • 肖特基二極管好壞的檢測方法有哪些
    肖特基二極管(Schottky diode)的好壞可以通過以下幾種方法進行檢測: 1.?萬用表測試: 使用萬用表的二極管測試功能,將測試筆連接到二極管的兩個引腳上,觀察顯示的電壓。正常工作的肖特基二極管在正向偏置時應該有較低的導通電壓(通常在范圍內)。如果在反向偏置時顯示高阻值,表明二極管是好的;否則可能存在問題。 2.?二極管和電源測試: 將肖特基二極管連接到適當?shù)碾娐分校⑹┘舆m當?shù)碾妷?,觀察
  • 逆導二極管
    逆導二極管,又稱肖特基二極管(Schottky Diode),是一種特殊類型的二極管,具有低導通壓降和快速開關特性。逆導二極管常用于高頻、高速電路中,能夠實現(xiàn)快速整流和低功耗。本文將介紹逆導二極管的定義、結構、工作原理、特點、應用領域。
  • 一文讀懂肖特基二極管的原理、優(yōu)勢缺點及應用
    肖特基二極管是一種特殊類型的二極管,與普通二極管相比具有更快的開關速度和較低的開啟電壓。其工作原理基于肖特基結構:在正向偏置時,內建電場阻礙了少數(shù)載流子的注入,因此具有快速恢復時間。
  • 肖特基二極管的優(yōu)缺點介紹
    肖特基二極管是一種特殊類型的二極管,以其獨特性能在電子半導體領域中廣泛應用。下面將詳細介紹肖特基二極管的優(yōu)點和缺點。
  • 肖特基二極管和普通二極管區(qū)別
    肖特基二極管(Schottky Diode)是一種利用金屬與半導體接觸而形成的PN結產生整流效果的二極管。本文將介紹肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別。
  • 肖特基二極管和整流二極管區(qū)別在哪里
    肖特基二極管和整流二極管都是常見的半導體器件,用于電路中的整流、開關和保護等功能。雖然它們在外表上看起來相似,但其內部結構和工作原理存在一定差異。
  • 肖特基二極管和快恢復二極管區(qū)別
    肖特基二極管(Schottky Diode)和快恢復二極管(Fast Recovery Diode)是電子元件中常見的二極管類型,它們在性能特點和應用上有著明顯差異。

正在努力加載...