肖特基二極管

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肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。收起

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  • 肖特基二極管vs.超快恢復二極管：哪種MDD高效率整流管更適合你的應用？
    在電源設(shè)計中，MDD高效率整流管對轉(zhuǎn)換效率、功率損耗和系統(tǒng)穩(wěn)定性起著關(guān)鍵作用。常見的MDD高效整流管主要包括肖特基二極管和超快恢復二極管。它們在工作原理、性能參數(shù)及適用場景上各有優(yōu)劣，如何選擇合適的器件成為工程師的重要決策點。 1.工作原理對比 ?肖特基二極管（Schottky Diode） 采用金屬-半導體結(jié)（MS結(jié)）結(jié)構(gòu)，載流子為多數(shù)載流子（電子）。 具有低正向壓降（VF）和幾乎無反向恢復時間
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  • 英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝， 在提升效率的同時簡化設(shè)計
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  • Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管
    40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率，在同類二極管中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓
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  • 不同二極管的壓降是多少？
    不同類型的二極管具有不同的壓降特性，以下是一些常見二極管類型的壓降范圍： 硅二極管：硅二極管是最常見的二極管類型，其正向壓降一般在0.6V到0.7V之間。這一范圍是由于硅的帶隙約為1.1eV，電子和空穴的重組需要一定的能量。 鍺二極管：鍺二極管的正向壓降相對較低，通常在0.2V到0.3V之間。鍺的帶隙約為0.66eV，使得載流子在P-N結(jié)中更容易復合，從而降低了正向壓降。然而，由于鍺的熱穩(wěn)定性較差
  • 采用自主設(shè)計封裝，絕緣電阻顯著提高！
    與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理~ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設(shè)備應用的“SCS2xxxNHR”8款機型。計劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設(shè)備和光伏逆變器等工業(yè)設(shè)備
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