碳化硅

• 長安深藍(lán)：碳化硅在增程汽車中大有可為

  插播：英諾賽科、能華半導(dǎo)體、致能科技、京東方華燦光電、鎵奧科技等已確認(rèn)參編《2024-2025氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，演講或攤位咨詢請聯(lián)系許若冰（hangjiashuo999）。

  行家說三代半

  355

  04/02 16:28

  SiC 碳化硅

  
• 成本降低30%！低溫銀燒結(jié)技術(shù)加速SiC器件規(guī)模化應(yīng)用

  導(dǎo)語 在工業(yè)電源、電動(dòng)汽車與航空航天領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件的高效率與耐高溫特性正逐步替代傳統(tǒng)硅基器件。然而，SiC芯片的高功率密度與高溫運(yùn)行需求，對封裝技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)——傳統(tǒng)焊料在高溫下易疲勞失效，成為制約性能釋放的關(guān)鍵瓶頸。 銀燒結(jié)技術(shù)憑借低溫工藝與超高可靠性，成為解鎖SiC潛力的‘銀鑰匙’。愛仕特基于此技術(shù)開發(fā)的碳化硅模塊，已在多個(gè)應(yīng)用場景中驗(yàn)證其性能優(yōu)勢，為行業(yè)提供高效、穩(wěn)

  愛仕特科技

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  04/01 08:28

  碳化硅 SiC功率器件

  
• 碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢對比

  為了減緩氣候變化，人類在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著進(jìn)展，交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速推進(jìn)。這些新興技術(shù)大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動(dòng)汽車（EV）的電池包電壓已高達(dá)900 VDC以上，容量可達(dá)95kWh；快充和超充系統(tǒng)功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車供電技術(shù)，其功率可超過500kW，電流高達(dá)1000A。 市場需求下的挑戰(zhàn) 一方面，

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  04/01 08:19

  碳化硅 晶體管

  
• 國內(nèi)10家SiC企業(yè)聯(lián)手，聚焦8吋、晶圓制造

  近日，有多家SiC企業(yè)進(jìn)行合作，共同推進(jìn)碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)。其中包括揚(yáng)杰科技、重投天科、拓譜電子和中恒微等企業(yè)?！?中恒微：與芯合達(dá)成SiC晶圓合作。

  行家說三代半

  613

  03/21 08:50

  SiC 碳化硅

  
• 比亞迪發(fā)布1000V汽車平臺(tái)，SiC迎來六大利好

  3月17日，比亞迪舉行了“超級e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布暨漢L、唐L預(yù)售發(fā)布會(huì)”，正式發(fā)布了超級e平臺(tái)，這是全球首個(gè)量產(chǎn)的乘用車“全域1000V高壓架構(gòu)”，將電池、電機(jī)、電源、空調(diào)等全系高壓部件都做到了1000V，將新能源汽車帶入“油電同速”時(shí)代。

  行家說三代半

  699

  03/20 10:00

  新能源汽車 SiC

  
• 又一企業(yè)斬獲8吋SiC訂單！還有9家已搶跑布局

  2月27日，電科裝備官微宣布，旗下2所微電子裝備研究部研發(fā)的8英寸碳化硅單晶生長爐已在2025年開年順利發(fā)往四川客戶現(xiàn)場。這一進(jìn)展不僅彰顯了國產(chǎn)8英寸碳化硅單晶生長爐在技術(shù)與應(yīng)用層面的實(shí)質(zhì)性突破，同時(shí)也標(biāo)志著8英寸碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程的加速推進(jìn)。

  行家說三代半

  835

  03/12 08:44

  SiC 碳化硅

  
• 英飛源：充電+儲(chǔ)能雙突破，2025年劍指46億

  本期嘉賓是英飛源 戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān) 魯力。接下來，我們將繼續(xù)邀請更多領(lǐng)軍企業(yè)參與《行家瞭望2025》，敬請期待。一是能量轉(zhuǎn)換效率的提升在于國內(nèi)SiC器件技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈的成熟，在電能變換模塊成本上升不大的情況下效率由傳統(tǒng)的95%提升到97%以上，會(huì)大幅度降低充電及儲(chǔ)能系統(tǒng)的運(yùn)營成本。+儲(chǔ)能

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  03/07 10:30

  碳化硅 充電技術(shù)

  
• 防止磨拋過程中碳化硅外延片表面膠質(zhì)殘留的方法

  引言碳化硅（SiC）作為新一代半導(dǎo)體材料，因其卓越的物理和化學(xué)性能，在功率電子、高頻通信、高溫環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制備過程中，磨拋工藝是至關(guān)重要的一環(huán)，用于改善外延片的表面粗糙度和平整度。然而，磨拋過程中往往伴隨著膠質(zhì)殘留的問題，這些殘留物不僅影響外延片的表面質(zhì)量，還可能對后續(xù)器件的性能和可靠性產(chǎn)生嚴(yán)重影響。因此，防止磨拋過程中碳化硅外延片表面膠質(zhì)殘留的方法顯得尤

  萬智光學(xué)

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  03/04 09:40

  半導(dǎo)體 SiC

  
• 年產(chǎn)42萬片，又一國產(chǎn)8英寸SiC項(xiàng)目封頂

  繼重慶安意法SiC項(xiàng)目成功通線后，國內(nèi)另一8吋SiC項(xiàng)目也迎來了重大進(jìn)展——3月3日上午，士蘭微官微宣布，廈門士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（一期）工程，經(jīng)過8個(gè)月緊張有序地建設(shè)后順利封頂。

  行家說三代半

  1422

  03/04 08:54

  SiC 碳化硅
• 三安與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠正式通線

  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM) ，和中國化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導(dǎo)體有限公司”，以下簡稱安意法）現(xiàn)已正式通線。這一里程碑標(biāo)志著意法

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  02/27 08:24

  碳化硅 意法半導(dǎo)體

  
• 《元器件交易動(dòng)態(tài)周報(bào)》-功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升

  核心觀點(diǎn)： 功率器件需求因汽車智能化、AI數(shù)據(jù)中心等市場增長而提升。 二極管四方維商品動(dòng)態(tài)商情交貨周期指數(shù)維持在自2024年初以來的上升趨勢中；而晶體管交貨周期指數(shù)處于低位徘徊。 2025年1月，功率器件價(jià)格整體保持穩(wěn)定。 三大維度解讀功率器件最新供需動(dòng)態(tài) 市場需求分析 圖 | 二極管四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)情況，來源：Supplyframe四方維 圖 | 晶體管四方維商品動(dòng)態(tài)商情需求指數(shù)情況，

  史德志

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  02/24 11:35

  碳化硅 MOSFET

  
• 去除碳化硅外延片揭膜后臟污的清洗方法

  引言碳化硅（SiC）作為新一代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制備過程中，揭膜后的臟污問題一直是影響外延片質(zhì)量和后續(xù)器件性能的關(guān)鍵因素。臟污主要包括顆粒物、有機(jī)物、無機(jī)化合物以及重金屬離子等，它們可能來源于外延生長過程中的反應(yīng)副產(chǎn)物、空氣中的污染物或處理過程中的殘留物。為了獲得高質(zhì)量、高可靠性的SiC外延片

  萬智光學(xué)

  843

  02/24 08:47

  半導(dǎo)體 SiC

  
• 第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性

  簡介 本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗(yàn)證，為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。 市場上的某些廠商只關(guān)注特定品質(zhì)因數(shù) (FOM)

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  956

  02/19 09:28

  碳化硅 MOSFET

  
• 總投資近2億！新增2個(gè)SiC項(xiàng)目

  近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)又新增2個(gè)碳化硅項(xiàng)目：近日，武漢凈瀾檢測有限公司在官網(wǎng)公布了《智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目階段性竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收監(jiān)測報(bào)告表》，其中透露了智新半導(dǎo)體的SiC模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)展。

  行家說三代半

  436

  02/19 09:05

  SiC 碳化硅

  
• Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技術(shù)平臺(tái)

  碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球引領(lǐng)者 Wolfspeed（NYSE: WOLF）于近日發(fā)布了全新的第 4 代技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)從設(shè)計(jì)端就考慮耐久性和高效性，同時(shí)還能降低系統(tǒng)成本、縮短開發(fā)時(shí)間。第 4 代技術(shù)專為簡化大功率設(shè)計(jì)中常見的開關(guān)行為和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì)，并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品）制定了長遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。這些產(chǎn)品目前有 750 V、1200 V 和 230

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  684

  02/12 08:45

  碳化硅 數(shù)據(jù)中心

  
• 分析丨瞻芯電子融資近10億，碳化硅賽道迎突圍

  根據(jù)Yole Development的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2021年至2027年期間，全球碳化硅功率器件市場預(yù)計(jì)將從10.9億美元增長至62.97億美元，年均復(fù)合增長率達(dá)到34%。 特別值得關(guān)注的是，電動(dòng)汽車領(lǐng)域?qū)iC的需求市場將從6.85億美元增長至49.86億美元，年均復(fù)合增長率為39.2%，成為最大的下游應(yīng)用市場。

  AI芯天下

  1886

  02/09 10:25

  碳化硅 MOSFET

  
• SiC開年大動(dòng)作！8家企業(yè)&機(jī)構(gòu)宣布最新進(jìn)展

  春節(jié)期間，碳化硅產(chǎn)業(yè)同樣精彩紛呈，英飛凌、三菱電機(jī)、悉智科技等企業(yè)&機(jī)構(gòu)相繼宣布喜訊，彰顯著SiC材料在航空航天、電動(dòng)汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，接下來，讓我們一同盤點(diǎn)春節(jié)期間SiC應(yīng)用的高光時(shí)刻：

  行家說三代半

  667

  02/07 09:04

  SiC 碳化硅

  
• 碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法

  引言碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過程中，硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟，用于保護(hù)外延層免受機(jī)械損傷和污染。然而，貼膜后的清洗過程同樣至關(guān)重要，它直接影響到外延晶片的最終質(zhì)量和性能。本文將詳細(xì)介紹碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法，包括其重要性、常用清洗步驟、所用化學(xué)試劑及其作用，以及清洗后的質(zhì)量評估。清洗方法的重

  萬智光學(xué)

  1376

  02/07 08:34

  半導(dǎo)體 SiC

  
• 碳化硅晶片表面金屬殘留的清洗方法

  引言碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，在SiC晶片的制備和加工過程中，表面金屬殘留成為了一個(gè)亟待解決的問題。金屬殘留不僅會(huì)影響SiC晶片的電學(xué)性能和可靠性，還可能對后續(xù)的器件制造和封裝過程造成不利影響。因此，開發(fā)高效的碳化硅晶片表面金屬殘留的清洗方法，對于提高SiC器件的質(zhì)量和性能具有重要意義。清洗方

  萬智光學(xué)

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  02/06 08:12

  半導(dǎo)體 SiC

  
• 意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財(cái)報(bào)

  服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 公布了按照美國通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則 (U.S. GAAP) 編制的截至2024年12月31日的第四季度財(cái)報(bào)。此外，本新聞稿還包含非美國通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù) (詳情參閱附錄)。 意法半導(dǎo)體第四季度實(shí)現(xiàn)凈營收33.2億美元，毛利率37.7%，營業(yè)利潤率11.1%，凈利潤為

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  892

  02/06 07:13

  碳化硅 意法半導(dǎo)體

  

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