氮化鎵芯片

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

電路方案

查看更多
  • AMEYA360代理：羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下簡(jiǎn)稱“臺(tái)積公司”)就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 通過該合作關(guān)系，雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術(shù)與臺(tái)積公司業(yè)界先進(jìn)的GaN-on-Silicon工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來(lái)，滿足市場(chǎng)對(duì)高耐壓和
  • 氮化鎵芯片到底是怎么做的呢？
    氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展，氮化鎵芯片的應(yīng)用前景越來(lái)越廣闊，例如在新能源汽車、光伏發(fā)電、通信基站等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。因此，研究和開發(fā)氮化鎵芯片的制備方法和技術(shù)對(duì)于推動(dòng)科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。
  • 氮化鎵快充控制芯片是什么
    氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊式慢速硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過現(xiàn)有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，充電速度提高了三倍。
  • 不知道該如何選擇氮化鎵芯片？
    GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件。可以顯著降低功率損耗和散熱負(fù)載，在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無(wú)線充電等領(lǐng)域，可有效降低能量損耗。從第一個(gè)氮化鎵快充源的量產(chǎn)，到上百種氮化鎵新產(chǎn)品涌入市場(chǎng)，短短幾年時(shí)間，整個(gè)氮化鎵快充源市場(chǎng)的容量增長(zhǎng)了百倍。在過去，只有少數(shù)幾個(gè)第一代氮化鎵快速充電源。氮化鎵第三方配件品牌敢于嘗試的技術(shù)，如今已經(jīng)成為一線手機(jī)和筆記本電腦品牌的必備產(chǎn)品。我們不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。
  • 120W氮化鎵芯片KT65C1R120D
    隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)開始在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹120W氮化鎵芯片的特點(diǎn)及其應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)探討該技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向。
    1532
    2023/10/28