柵極驅(qū)動電路

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  • 集成雙極晶體管的MOSFET驅(qū)動電路以及外圍器件選型設(shè)計講解
    在MOSFET驅(qū)動電路中,經(jīng)常會遇到使用集成雙極晶體管BJT作為柵極驅(qū)動器的情況。這種設(shè)計在PWM控制或電機驅(qū)動中非常常見,尤其是在需要快速開關(guān)和高效率時。下面是一個典型的帶有BJT的柵極驅(qū)動電路,上一篇文章講解了VDRV電源處去耦電容的選型計算,今天,我就結(jié)合這個電路,聊聊如何設(shè)計柵極驅(qū)動電路。
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  • PC86320隔離式雙通道柵極驅(qū)動器
    描述 PC86320是一個隔離的雙通道柵極驅(qū)動器具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它設(shè)計有5A峰值源和6A峰值吸收電流來驅(qū)動電源高達(dá)2MHz的MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管開關(guān)頻率。PC86320可以配置為兩個低端驅(qū)動器,兩個高邊驅(qū)動器,或具有可編程功能的半橋驅(qū)動器卸載時間(DT)。輸入側(cè)與兩者隔離輸出驅(qū)動器由硅二氧化物隔離屏障,具有150kV/us典型共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)。兩個
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  • 分立式CoolSiC?MOSFET的寄生導(dǎo)通行為研究
    選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計所有柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù),設(shè)計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓,從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面,柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設(shè)計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET,從而簡化柵極驅(qū)動電路。

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