氧化物濕法刻蝕原理
氧化物濕法刻蝕是一種在半導體制造和微納加工領(lǐng)域中用于去除硅片上的氧化層(如二氧化硅SiO2)的關(guān)鍵技術(shù)。很顯然這個簡單的介紹不足以讓大家明白, 下面我們就完整仔細的來給大家講講這個相關(guān)原理吧!化學反應(yīng)原理:氧化物濕法刻蝕主要利用化學溶液與二氧化硅之間的化學反應(yīng)來實現(xiàn)刻蝕。最常用的刻蝕劑是氫氟酸(HF)或其水溶液,因為氫氟酸能夠與二氧化硅反應(yīng)生成可溶于水的六氟硅酸(H2SiF6)。具體的化學反應(yīng)方程