制程工藝

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

就是通常我們所說的CPU的“制作工藝”，是指在生產(chǎn)CPU過程中，集成電路的精細(xì)度，也就是說精度越高，生產(chǎn)工藝越先進(jìn)。在同樣的材料中可以制造更多的電子元件，連接線也越細(xì)，精細(xì)度就越高，CPU的功耗也就越小。

就是通常我們所說的CPU的“制作工藝”，是指在生產(chǎn)CPU過程中，集成電路的精細(xì)度，也就是說精度越高，生產(chǎn)工藝越先進(jìn)。在同樣的材料中可以制造更多的電子元件，連接線也越細(xì)，精細(xì)度就越高，CPU的功耗也就越小。收起

查看更多
  • 領(lǐng)先臺(tái)積電一年？Intel 18A已經(jīng)就緒！
    2月23日消息，近日英特爾通過官網(wǎng)正式上線了對(duì)于其最尖端的Intel 18A制程工藝的介紹，并稱其已經(jīng)已經(jīng)“準(zhǔn)備就緒”。根據(jù)外界預(yù)計(jì)，Intel 18A將于2025 年年中進(jìn)入量產(chǎn)，將由酷睿 Ultra 300 系列“Panther Lake”處理器首發(fā)，預(yù)計(jì)將于今年下半年上市。
    領(lǐng)先臺(tái)積電一年？Intel 18A已經(jīng)就緒！
  • Fab廠銅制程工藝術(shù)語(yǔ)解析：CUSCRB、ULKCD、HDPCVD、CUHET……
    1. CUSCRB。全稱：Copper Scrubbing。含義：指銅互連制程中使用機(jī)械或化學(xué)方法清除銅表面氧化層或微顆粒的工藝，確保銅互連層的表面潔凈，改善導(dǎo)電性能。
    Fab廠銅制程工藝術(shù)語(yǔ)解析：CUSCRB、ULKCD、HDPCVD、CUHET……
  • 什么是晶圓制程的CPK（Process Capability Index）？
    CPK是制程能力的關(guān)鍵指標(biāo)，用于評(píng)估工藝過程能否穩(wěn)定生產(chǎn)出符合規(guī)格范圍的產(chǎn)品。它通過統(tǒng)計(jì)分析實(shí)際數(shù)據(jù)來(lái)衡量制程的中心位置與規(guī)格目標(biāo)的偏離程度，同時(shí)考慮過程的變異情況。換句話說，CPK反映了制程滿足設(shè)計(jì)要求的能力，以及制程的性能穩(wěn)定。
    2046
    02/05 14:25
    什么是晶圓制程的CPK（Process Capability Index）？
  • 光刻過程的工藝仿真-西門子Tecnomatix Process Simulate
    本項(xiàng)目專注于晶圓光刻過程的仿真，采用先進(jìn)的機(jī)器人技術(shù)和自動(dòng)化手段，提高精度、一致性和效率。該系統(tǒng)包括一個(gè)帶有抓手的機(jī)械臂以及四個(gè)關(guān)鍵設(shè)備：加熱板、旋涂機(jī)、晶圓清洗機(jī)和無(wú)掩模直接寫入對(duì)準(zhǔn)儀（MLA150），這些設(shè)備都集成在一個(gè)中央工作區(qū)周圍。我們使用西門子Tecnomatix Process Simulate提供的詳細(xì)3D仿真環(huán)境來(lái)建模和優(yōu)化制造過程。仿真涵蓋了17個(gè)相互連接的步驟，每個(gè)步驟都由可編程邏輯控制器（PLC）控制，確保操作無(wú)縫進(jìn)行并保持高生產(chǎn)質(zhì)量。該方法旨在減少人力資源，降低生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)，并確保在制造約瑟夫森參量放大器（JPA）時(shí)達(dá)到最高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該項(xiàng)目強(qiáng)調(diào)了數(shù)字化制造解決方案在現(xiàn)代光刻中的潛力，為未來(lái)的應(yīng)用提供了一個(gè)可擴(kuò)展且高效的模型。
  • 成本太高，臺(tái)積電也撐不住了
    4月下旬，臺(tái)積電發(fā)布了一種新版本4nm制程工藝——N4C，計(jì)劃在2025年上線量產(chǎn)。這款工藝產(chǎn)品的核心價(jià)值是降低了成本。雖然臺(tái)積電的大部分精力都集中在其領(lǐng)先的制程節(jié)點(diǎn)上，如N3E和N2，但在未來(lái)幾年，大量芯片仍將繼續(xù)使用5nm和4nm制程。N4C屬于該公司5nm制程系列，為了進(jìn)一步降低制造成本，N4C進(jìn)行了一些修改，包括重新構(gòu)建其標(biāo)準(zhǔn)單元和SRAM，更改一些設(shè)計(jì)規(guī)則，以及減少掩膜層數(shù)量。通過以上改進(jìn)措施，N4C能實(shí)現(xiàn)更小的芯片尺寸并降低生產(chǎn)復(fù)雜性，從而將芯片成本降低8.5%左右。
    成本太高，臺(tái)積電也撐不住了
  • 晶圓制造為什么用大馬士革(Damascene)工藝替代鋁制程工藝？
    先進(jìn)制程中金屬互連層使用銅的大馬士革(Damascene)工藝，而不是用鋁制程工藝，主要原因包括銅在電學(xué)性能、制造工藝和可靠性等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。原因分析如下：

正在努力加載...