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1. CUSCRB
全稱：Copper Scrubbing
含義：指銅互連制程中使用機(jī)械或化學(xué)方法清除銅表面氧化層或微顆粒的工藝，確保銅互連層的表面潔凈，改善導(dǎo)電性能。
應(yīng)用：用于銅化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）后或氧化清洗后，防止界面污染，提升后續(xù)接觸電阻性能。
2. ULKCD
全稱：Ultra-Low-k Chemical Deposition
含義：指超低介電常數(shù)（k值）材料的化學(xué)沉積工藝。這些材料用于降低芯片的寄生電容，從而提升信號傳輸速度并減少功耗。
關(guān)鍵技術(shù)：常采用 PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）或 spin-coating（旋涂法）。
應(yīng)用：在先進(jìn)工藝（如5nm、3nm節(jié)點(diǎn)）中，為滿足高性能要求，ULK材料廣泛用于互連層間的絕緣。
3. HDPCVD
全稱：High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition
含義：高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝，用于沉積薄膜（如SiO?或SiN）。此工藝結(jié)合高能量等離子體和化學(xué)反應(yīng)沉積薄膜，具有低應(yīng)力、高密度的特性。
優(yōu)勢：
沉積速率快，均勻性好。
適用于深溝槽結(jié)構(gòu)（如隔離層填充）。
應(yīng)用：用于銅互連中的隔離層（如ULK材料沉積前的基底鈍化）。
4. CUHET
全稱：Copper Heat Treatment
含義：銅熱處理工藝，用于優(yōu)化銅互連結(jié)構(gòu)的晶體質(zhì)量和導(dǎo)電性。通過加熱使銅晶粒生長，減少晶界，從而降低電阻并提升電遷移耐性。
應(yīng)用：在銅互連完成后，通常配合退火工藝，改善銅層性能并提升可靠性。
5. CUCMP
全稱：Copper Chemical Mechanical Polishing
含義：銅化學(xué)機(jī)械拋光工藝，專為銅互連制程開發(fā)，用于平整化表面并去除過多的銅沉積。
關(guān)鍵點(diǎn)：
結(jié)合機(jī)械拋光和化學(xué)腐蝕作用。
需精確控制以避免銅過度去除。
應(yīng)用：用于多層銅互連的表面平整化，確保后續(xù)工藝的成功進(jìn)行。
6. CUSPUT
全稱：Copper Sputtering
含義：銅濺射沉積工藝，用于沉積銅薄膜以形成互連結(jié)構(gòu)。此工藝通過物理氣相沉積（PVD）在晶圓表面濺射一層均勻的銅薄膜。
優(yōu)勢：
可沉積高純度銅膜。
配合電鍍（Electroplating）使用。
應(yīng)用：用于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中銅互連的種子層沉積。
7. ALSPUT
全稱：Aluminum Sputtering
含義：鋁濺射沉積工藝，用于沉積鋁薄膜以形成互連層或金屬接觸層。通過PVD技術(shù)將鋁薄膜均勻覆蓋在基材上。
優(yōu)勢：
鋁具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能。
成本較低，適合傳統(tǒng)制程節(jié)點(diǎn)。
應(yīng)用：主要用于較老節(jié)點(diǎn)（如90nm及以上）的互連金屬層，但在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)中逐漸被銅替代。
