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STM32WB 系列微控制器旨在最大限度地減少所需的外部組件數(shù)量，以確保最佳 RF 性能。
本文檔詳細(xì)介紹了 Bluetooth?低功耗應(yīng)用的材料清單（BOM）。
QFN48 封裝用作參考，但對(duì)其有效的考慮可輕松擴(kuò)展到其他封裝。
SMPS 和 LDO 配置
STM32WB 系列微控制器基于 Arm?(a)內(nèi)核。
在這些器件上所實(shí)現(xiàn)的電源管理（參見(jiàn) www.st.com 上提供的數(shù)據(jù)手冊(cè)）嵌入了強(qiáng)大的開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS），以在電源電壓高于 2 V 時(shí)提高電源效率，否則將使用 LDO 配置。
VDD > 3 V 時(shí)的 LDO 配置
此配置僅適用于寄存器 DBGMCU_IDCODE 中 REV_ID = 0x2001 的 STM32WB55Vx 器件。
HSE 微調(diào)
STM32WB MCU 使用 HSE 振蕩器來(lái)產(chǎn)生 RF 時(shí)鐘，必須對(duì)該組件進(jìn)行微調(diào)。使用了內(nèi)部電容，無(wú)需外部部件。
RF 匹配
RF 有一個(gè)獨(dú)特的 RX/TX 引腳，該接口為單端接口，因此無(wú)需外部巴倫。此外，帶內(nèi)預(yù)濾波有助于減少外部元件。
阻抗匹配和諧波抑制分別需要一個(gè)由分立元件組成的外部 PI 濾波器以及一個(gè)陶瓷濾波器。天線(xiàn)需要另一個(gè)匹配網(wǎng)絡(luò)。為優(yōu)化 BOM 和性能穩(wěn)定性，可使用內(nèi)部無(wú)源器件（IPD）來(lái)替換這些濾波器。
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