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IGBT是一種四層半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極晶體管(集電極-發(fā)射極)的電壓特性和MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性。這個(gè)概念最早記錄在山神于1968年提交的一項(xiàng)日本專(zhuān)利中。第一個(gè)設(shè)備是平面技術(shù)，但最近垂直的溝槽設(shè)備已經(jīng)流行起來(lái)。
近年來(lái)，由于IGT擅長(zhǎng)的高電壓、高功率應(yīng)用的增加，IGT的普及程度飆升。雖然開(kāi)關(guān)速度比MOSFET慢，但在大電流下，VCE(SAT)特性比MOSFET有顯著改善，特別是對(duì)于高壓器件。它們的額定電壓范圍為300至1200伏以上，單個(gè)芯片的額定電流為15至100安培。IGBT模塊的電流額定值可達(dá)100安培。
| 器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRCW06034K99FKEA | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 4990ohm, 75V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.05 | 查看 | |
| M39029/56-348 | 1 | Glenair Inc | Connector Accessory, |
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$0.89 | 查看 | |
| MBR140SFT3G | 1 | onsemi | 1.0 A, 40 V, Schottky Power Rectifier, Surface Mount, SOD-123FL 2 LEAD, 10000-REEL |
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$0.39 | 查看 |
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，既快速又符合高性?xún)r(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷(xiāo)售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，既快速又符合高性?xún)r(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷(xiāo)售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。收起
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