本技術(shù)說明提供了關(guān)于54AC16373器件的總離子輻照劑量(TID)和單事件效應(yīng)(SEE)的詳細(xì)信息,這些內(nèi)容涵蓋了QML-V-RHA質(zhì)量認(rèn)證。其中包括:
- TID結(jié)果達(dá)到300 krad(Si)
- SEE結(jié)果:
- 顯示單事件激活鎖定(SEL)在有效線性能量傳輸(有效LET)為120 MeV-cm2/mg時的免疫性。
- 包括單事件瞬變(SET)和單事件干擾(SEU)特性描述。
以下是54AC16373器件的TID測試參數(shù)、條件和結(jié)果。 54AC16373是一款耐輻射的16位D型鎖存器三態(tài)器件。它通過了最高300 krad(Si)的質(zhì)量認(rèn)證。
通過五個測試載體:54AC14、54AC174、54AC244、54AC374和54AC164245對ACMOS邏輯系列進(jìn)行了重離子特性化測試。選擇這些測試載體是因為它們代表了該技術(shù)