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VN5770AKP-E是由三個(gè)單片芯片組成的器件，封裝在標(biāo)準(zhǔn)SO-28封裝中：一個(gè)雙高端開(kāi)關(guān)和兩個(gè)低端開(kāi)關(guān)。雙高壓側(cè)采用意法半導(dǎo)體?VIPower?M0-5技術(shù)制造，而低壓側(cè)開(kāi)關(guān)則采用完全保護(hù)的VIPower M0-3 OMNIFET II。該裝置適用于驅(qū)動(dòng)橋式配置的直流電機(jī)，也可用作任何低壓應(yīng)用的四路開(kāi)關(guān)。
雙高端開(kāi)關(guān)集成了內(nèi)置的具有熱滯后的非閉鎖熱關(guān)斷功能。輸出限流器在過(guò)載條件下保護(hù)設(shè)備。在長(zhǎng)時(shí)間過(guò)載的情況下，該設(shè)備將耗散功率限制在安全水平，直至熱停機(jī)干預(yù)。模擬電流感測(cè)引腳提供與負(fù)載電流成比例的電流（根據(jù)已知比率），并通過(guò)電壓標(biāo)志指示相關(guān)高壓側(cè)開(kāi)關(guān)的超溫關(guān)閉。
低壓側(cè)開(kāi)關(guān)內(nèi)置了具有熱滯后、線性電流限制和過(guò)電壓箝位的非閉鎖熱關(guān)斷功能。低壓側(cè)開(kāi)關(guān)過(guò)熱停機(jī)的故障反饋由相關(guān)輸入引腳電流消耗上升到故障吸收電流標(biāo)志表示。
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