4.8A內(nèi)置MOS降壓方案選型，CX8576耐壓30V/40V的區(qū)別在哪里？

4.8A內(nèi)置MOS降壓方案選型，CX8576耐壓30V/40V的區(qū)別在哪里？

有客戶選型內(nèi)置MOS電流4.8A小體積DC-DC降壓芯片用哪款？

建議選用CX8576，這是一顆雙路限流內(nèi)置雙NMOS，4.8電流的高性價比DC-DC，適用于小體積車載充電器及其他充電設(shè)備用于雙路降壓功能。

當(dāng)把選型表發(fā)給客戶之后，客戶看到CX8576有兩個版本，會問起，CX8576耐壓30V/40V的區(qū)別在哪里？這兩款有哪些區(qū)別之處？

30V與 40V區(qū)別在于：

1、30V / 40V耐壓不同

2、內(nèi)置雙NMOS,MOS內(nèi)阻不同

30V 內(nèi)置10mΩ High-side NMOS +10mΩ Low-side NMOS

40V 內(nèi)置15mΩ High-side NMOS +12mΩ Low-side NMOS

3、輸出電壓電流可設(shè)30V（2.5V-20V）/40V（3.0V-20V）

4、30V 4腳EN腳/40V NC懸空

5、短路反饋電壓不同30V 0.4V/? 40V 0.6V

6、30V開關(guān)頻率可調(diào)

需求電壓40V,2個USB口，4A電流且QC3.0快充的DC-DC方案建議選用CX8576+CX601是套極高性價比DC-DC電源快充降壓方案。

原廠可提供CX8576樣品申請，CX8576方案開發(fā)與技術(shù)支持！

CX8576可搭配QC協(xié)議或PD協(xié)議構(gòu)成高性價比QC/PD快充整體解決方案，詳情可向原廠申領(lǐng)樣品與DEMO測試。