此設(shè)計(jì)方案實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)

描述

此參考設(shè)計(jì)基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計(jì)不僅可以顯著改善功率密度，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級(jí)設(shè)計(jì)可廣泛應(yīng)用于眾多需要快速響應(yīng)的空間受限型應(yīng)用，例如 5G 電信電源、服務(wù)器和工業(yè)電源。

特性

基于 GaN 的緊湊型功率級(jí)設(shè)計(jì)，具有高達(dá) 50MHz 的開關(guān)頻率

適用于高側(cè)和低側(cè)的彼此獨(dú)立的 PWM 輸入，或具有可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間的單一 PWM 輸入

最小脈沖寬度為 3ns

300V/ns 的高壓擺率抗擾性

驅(qū)動(dòng)器 UVLO 和過熱保護(hù)