芯耀
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單模激光器芯片通過(guò)內(nèi)置光柵（DFB/DBR）或垂直腔面（VCSEL）結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)單一縱模輸出（線寬<0.1nm），具備光譜窄、方向性好、頻率穩(wěn)定等特性。核心設(shè)計(jì)采用半導(dǎo)體外延（如InP/GaAs基）形成量子阱有源區(qū)，結(jié)合亞微米級(jí)光柵實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)篩選。工藝涵蓋高精度光刻、干法刻蝕脊波導(dǎo)、電極集成及氣密封裝。
主要應(yīng)用于：1、光通信（5G/數(shù)據(jù)中心高速傳輸）；2 激光雷達(dá)，（自動(dòng)駕駛精準(zhǔn)測(cè)距）；3、生物傳感、（高分辨率檢測(cè)）。不同的應(yīng)用場(chǎng)景用的波長(zhǎng)和功率也是不同。
單模激光器因?yàn)楣獍咝?，方?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/495961.html">光纖耦合，因此ridge一半都比較小，芯片尺寸也會(huì)小。比如常用的DFB的尺寸，1000um長(zhǎng)度，寬度100um，ridge 2um~5um，較窄的寬度有助于實(shí)現(xiàn)單橫模（single transverse mode）輸出。但是如果想要更大功率的就laser輸出，需要加到ridge的寬度，一般有6~10um的ridge。
5um的ridge做出來(lái)之后，如何套刻出4um的歐姆接觸窗口區(qū)是個(gè)技術(shù)和設(shè)備問(wèn)題，對(duì)于5um的線條可以用接觸曝光機(jī)，控制PR和工藝，問(wèn)題不大，二次套刻就需要stepper光刻機(jī)。不用stepper也可以用半曝光或者叫自適應(yīng)曝光技術(shù)，開(kāi)出5um的接觸區(qū)。
另外一種采用剝離工藝去除 SiO2 制作出 5 μm 電極窗口。但是兩種都有很多技術(shù)不穩(wěn)定性，不如stepper的方案。對(duì)于一些蝶形封裝的也有芯片較大的。比如下面的這個(gè)廠家芯片：
我們以2um ?3um 4um 5um 的ridge設(shè)計(jì)一款單模激光器芯片， 長(zhǎng)1500um，寬度 400um ， 打線焊盤直徑60um~100un。采用SiO2底部鈍化，金電極上蓋工藝，因此整個(gè)工藝過(guò)程對(duì)光刻精度要求最高的區(qū)域就是5um窗口區(qū)。
不過(guò)單模芯片的制造也面臨其他生產(chǎn)步驟的工藝難度，從外延、到光刻、到化片及后期的封裝耦合。
