• 正文
    • 一、最大反向電壓(VRRM):電路耐壓設(shè)計(jì)的基石
    • 二、平均整流電流(IF(AV)):熱管理與載流能力的核心參數(shù)
    • 三、綜合示例:輸入12V、輸出5A的DC電源設(shè)計(jì)
    • 四、理解參數(shù)≠簡(jiǎn)單對(duì)號(hào)入座
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如何理解MDD肖特基整流橋的最大反向電壓與平均電流規(guī)格

06/16 15:07
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在電子電源系統(tǒng)中,MDD肖特基整流橋因其低正向壓降、高轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)、充電器等設(shè)備。而在選型與應(yīng)用過程中,最大反向電壓與平均整流電流(IF(AV))是兩項(xiàng)至關(guān)重要的核心參數(shù)。本文將結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景,幫助工程師深入理解這兩個(gè)規(guī)格的含義及選型考量。

一、最大反向電壓(VRRM):電路耐壓設(shè)計(jì)的基石

最大反向電壓,通常標(biāo)記為VRRM,是肖特基整流橋在施加反向電壓時(shí)能長期承受的最高重復(fù)電壓值。當(dāng)輸入為交流電時(shí),二極管在半周導(dǎo)通、半周截止的過程中,會(huì)承受與輸入峰值電壓相對(duì)應(yīng)的反向電壓。

例如,在一個(gè)220V AC市電輸入的整流場(chǎng)合中,其峰值電壓為:

Vpeak≈220V×√2≈311V

若使用的是全橋整流結(jié)構(gòu),每個(gè)肖特基管需承受約310V的反向電壓。此時(shí),VRRM應(yīng)選取不低于350V乃至400V,以留出適當(dāng)?shù)脑A?,防止浪涌?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/1568100.html">瞬態(tài)電壓引發(fā)反向擊穿。

需要注意的是,肖特基二極管的耐壓普遍不如普通硅整流器件,常見VRRM為30V、45V、60V、100V、150V,部分型號(hào)可達(dá)200V或更高。在高壓應(yīng)用場(chǎng)景(如PFC整流、AC輸入)中,選用肖特基整流橋需要特別謹(jǐn)慎。

建議:VRRM的選型應(yīng)≥電路最大反向電壓的1.2~1.5倍,并結(jié)合TVS、壓敏電阻浪涌抑制器件構(gòu)建系統(tǒng)防護(hù)。

二、平均整流電流(IF(AV)):熱管理與載流能力的核心參數(shù)

平均整流電流,即IF(AV),表示整流橋在規(guī)定工作條件下,長期穩(wěn)定工作的最大平均正向電流。它不僅代表了器件的載流能力,更反映其導(dǎo)通損耗與發(fā)熱程度。

肖特基整流橋的IF(AV)通常與以下因素密切相關(guān):

封裝形式:如MB6S(表貼)、KBP(直插)、GBJ(大功率)等,影響熱阻和散熱能力;

散熱條件:自然散熱、加裝散熱片還是PCB銅箔散熱;

工作頻率與導(dǎo)通占空比:連續(xù)整流與間歇工作下熱積累差異明顯。

例如,一個(gè)封裝為KBP的5A肖特基整流橋,在自然風(fēng)冷下可承受的實(shí)際電流可能僅為3A左右,超過額定值將引發(fā)器件過熱甚至失效。

工程選型時(shí),應(yīng)根據(jù)整流后的最大負(fù)載電流,并結(jié)合工作環(huán)境溫度、散熱設(shè)計(jì)等因素,選擇IF(AV)具備足夠裕量的型號(hào)。一般建議實(shí)際工作電流不超過額定值的70~80%。

三、綜合示例:輸入12V、輸出5A的DC電源設(shè)計(jì)

以一個(gè)輸入12V、輸出5A的DC電源為例:

整流橋需承受的最大反向電壓約為12V,考慮電網(wǎng)波動(dòng)和反向尖峰,應(yīng)選用VRRM≥20V~30V的肖特基整流橋;

輸出電流為5A,整流橋中每臂管流過平均電流約為2.5A,考慮余量后應(yīng)選擇IF(AV)≥5A的型號(hào);

若系統(tǒng)散熱條件有限,則需適當(dāng)加大規(guī)格(如選用8A或10A整流橋)或優(yōu)化PCB散熱銅箔。

四、理解參數(shù)≠簡(jiǎn)單對(duì)號(hào)入座

最大反向電壓和平均整流電流不僅僅是標(biāo)稱值,而是整合應(yīng)用環(huán)境、熱設(shè)計(jì)與壽命預(yù)期的設(shè)計(jì)依據(jù)。對(duì)于追求系統(tǒng)可靠性與穩(wěn)定性的工程師而言,合理理解與運(yùn)用這兩個(gè)參數(shù),是整流橋選型中的“基本功”。

辰達(dá)半導(dǎo)體

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深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試及銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域17載,始終堅(jiān)持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動(dòng),以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)矩陣,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個(gè)領(lǐng)域,服務(wù)于全球40多個(gè)國家與地區(qū)。 公司秉持與時(shí)俱進(jìn)的發(fā)展理念,基于目前先進(jìn)的分立器件設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試能力,持續(xù)關(guān)注前沿技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展趨勢(shì),全面推動(dòng)產(chǎn)品升級(jí)迭代,提高分立器件產(chǎn)業(yè)化及服務(wù)閉環(huán)的能力,為客戶提供可持續(xù)、全方位、差異化的一站式產(chǎn)品解決方案。

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